A. | 原子晶體的熔點(diǎn)一定比分子晶體高 | |
B. | SO2和SO3均是非極性分子 | |
C. | PCl3分子中P-Cl的鍵角小于109°28? | |
D. | 晶體中有陽離子必有陰離子 |
分析 A.原子晶體的熔沸點(diǎn)較高,分子晶體熔沸點(diǎn)較低;
B.二氧化硫是極性分子,三氧化硫是非極性分子;
C.PCl3分子為三角錐形,孤電子對(duì)和成鍵電子之間的排斥力大于成鍵電子和成鍵之間的排斥力;
D.晶體中含有陽離子不一定含有陰離子.
解答 解:A.原子晶體的熔沸點(diǎn)較高,分子晶體熔沸點(diǎn)較低,所以原子晶體的熔點(diǎn)一定比分子晶體高,故A正確;
B.二氧化硫分子是V形,是極性分子,三氧化硫是平面三角形,非極性分子,故B錯(cuò)誤;
C.PCl3分子為三角錐形,由于該分子中含有孤電子對(duì),導(dǎo)致其鍵角小于正四面體結(jié)構(gòu)的鍵角,即小于109°28′,故C正確;
D.晶體中含有陽離子不一定含有陰離子,如金屬晶體是由金屬陽離子和自由電子構(gòu)成的,故D錯(cuò)誤;
故選BD.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶體熔沸點(diǎn)比較、分子構(gòu)型、分子極性及鍵角、晶體構(gòu)成微粒等知識(shí)點(diǎn),為高頻考點(diǎn),會(huì)利用價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷分子空間構(gòu)型,易錯(cuò)選項(xiàng)是D,注意晶體中含有陽離子不一定含有陰離子,但含有陰離子的晶體一定含有陽離子.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 以乙烯為原料制備二氯乙烷 | B. | 甲烷與氯氣制備一氯甲烷 | ||
C. | 以銅和濃硝酸為原料生產(chǎn)硝酸銅 | D. | 用SiO2制備高純硅 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 反應(yīng)O3+O═2O2的△H=E1-E3 | B. | 反應(yīng)O3+O═2O2是吸熱反應(yīng) | ||
C. | △H=△H1+△H2 | D. | 氯原子沒有改變O3分解反應(yīng)的歷程 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
X | Y | ||
W | Z | ||
T |
A. | X、Y、Z的原子半徑r(T)>r(W)>r(Z) | |
B. | 由X、Y、Z氫化物的熱穩(wěn)定性X>Y>Z | |
C. | X最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性比W的弱 | |
D. | W元素的單質(zhì)具有半導(dǎo)體的特性,可以用于制造光導(dǎo)纖維 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 完全反應(yīng)后不可能有O2剩余 | |
B. | 原混合氣體中C2H4與C2H2的體積共為1.9L | |
C. | 完全反應(yīng)后生成水的質(zhì)量為9 g | |
D. | 原混合氣體中CO與CH4的體積之比一定為1:1 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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