11.除去鎂粉中的少量鋁粉,可以選用的試劑是( 。
A.硫酸溶液B.氨水溶液C.鹽酸溶液D.氫氧化鈉溶液

分析 根據(jù)鎂和鋁性質(zhì)的差異性分析,鋁能和強(qiáng)堿反應(yīng),但鎂和強(qiáng)堿不反應(yīng),據(jù)此分析解答.

解答 解:A.鎂和鋁都能與硫酸溶液反應(yīng)生成鹽和氫氣,所以不能用硫酸溶液除去鎂粉中的鋁粉,故A錯(cuò)誤;
B.氨水和鎂、鋁都不反應(yīng),所以不能用氨水除去鎂粉中的鋁粉,故B錯(cuò)誤;
C.鎂和鋁都能與鹽酸反應(yīng)生成鹽和氫氣,所以不能用稀鹽酸除去鎂粉中的鋁粉,故C錯(cuò)誤;
D.氫氧化鈉溶液能和鋁反應(yīng)生成可溶性的偏鋁酸鈉,鎂和氫氧化鈉溶液不反應(yīng),所以能用氫氧化鈉溶液除去鎂粉中的鋁粉,故D正確.
故選D.

點(diǎn)評(píng) 本題考查了鎂鋁的性質(zhì),明確鎂鋁性質(zhì)的差異性來分析解答,難度不大.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

1.下列是中學(xué)化學(xué)中熟悉的物質(zhì),請(qǐng)用序號(hào)完成下列問題①O2②NaHSO4③NH4C1  ④H2SO4⑤Na2CO3⑥Na2S
(1)這些物質(zhì)中,只含共價(jià)鍵的是①④.
(2)只含離子鍵的是⑥.
(3)既含共價(jià)鍵又含離子鍵的是②③⑤.
(4)屬于離子化合物的是②③⑤⑥,屬于共價(jià)化合物的是④.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

2.依據(jù)氧化還原反應(yīng):2Ag+(aq)+Cu(s)═Cu2+(aq)+2Ag(s) 鹽橋(盛有KNO3瓊脂的U型管)構(gòu)成一個(gè)原電池設(shè)計(jì)的原電池如圖所示,鹽橋(盛有KNO3瓊脂的U型管).請(qǐng)回 答下列問題:
(1)電極X的材料是Cu;電解質(zhì)溶液Y是AgNO3
(2)銀電極為電池的正極,X電極上發(fā)生的電極反應(yīng)為Cu-2e-=Cu2+
(3)鹽橋中的NO${\;}_{3}^{-}$移向Cu(NO32溶液.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

19.下列各組物質(zhì)中,互為同位素的是③;互為同素異形體的是①;互為同系物的是⑦;互為同分異構(gòu)體的是⑥;為同種物質(zhì)的是②④.(填序號(hào))
①O2和O3②H2O和D2O     ③37Cl和35Cl  ④40K和40Ca  ⑥ ⑦甲烷與C3H8

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

6.關(guān)于硅及其化合物的敘述中,不正確的是( 。
A.硅的單質(zhì)都可用作半導(dǎo)體材料B.石英可用來制造光導(dǎo)纖維
C.碳化硅可用作砂紙、砂輪的磨料D.水玻璃可作黏合劑及耐火材料

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

16.根據(jù)中學(xué)化學(xué)教材所附元素周期表判斷,下列敘述不正確的是( 。
A.第15列元素的最高價(jià)氧化物的化學(xué)式為R2O5
B.第2列元素中肯定沒有非金屬元素
C.L層電子數(shù)為奇數(shù)的所有元素所在族的序數(shù)與元素原子L層電子數(shù)相等
D.M層電子數(shù)為奇數(shù)的所有元素所在族的序數(shù)與元素原子M層電子數(shù)相等

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

3.某學(xué)生用圖所示的裝置測(cè)定鎂的相對(duì)原子質(zhì)量:
(1)實(shí)驗(yàn)前必須對(duì)裝置進(jìn)行氣密性檢查,具體操作是:裝置中注入一定量的水,上下移動(dòng)量氣管,使兩邊形成液面高度差,靜置,液面高度差不變,證明裝置氣密性良好;
(2)如果量氣管的最大測(cè)量體積為50mL(假設(shè)條件為標(biāo)準(zhǔn)狀況),則取金屬鎂條(設(shè)純度為100%)的質(zhì)量不超過0.053g;(精確到0.001)
(3)實(shí)驗(yàn)結(jié)束,在讀取數(shù)據(jù)前必須:a冷卻,使溫度恢復(fù)到原來狀態(tài);b調(diào)節(jié)量氣管,使量氣管與漏斗中的液面保持在同一水平;
(4)該學(xué)生實(shí)驗(yàn)時(shí)稱取鎂條0.051g(已除去氧化膜),實(shí)驗(yàn)結(jié)果收集到氣體48.00mL(已換算到標(biāo)準(zhǔn)狀況,其他實(shí)驗(yàn)操作均正確),根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)定,鎂的相對(duì)原子質(zhì)量為23.80;產(chǎn)生誤差的原因可能是裝置氣密性不良,可能漏氣或鎂條的氧化膜去除不盡(寫出一點(diǎn)).

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

20.V2O5 是一種新型光電材料.某課題組模擬生產(chǎn)V2O5工藝部分流程如下:
Ⅰ.配制偏釩酸鈉(NaVO3)溶液
(1)向V2O5 固體中緩慢滴加NaOH溶液,邊加熱邊攪拌至V2O5 固體完全溶解,反應(yīng)的離子方程式為V2O5+2OH-=2VO3-+H2O.
Ⅱ.沉釩
一定條件下向偏釩酸鈉溶液中加入氯化銨溶液,加熱、攪拌得到偏釩酸銨沉淀.如圖為部分因素對(duì)沉釩率的影響.

(2)為了提高沉釩率,應(yīng)調(diào)節(jié)溶液pH=8.0.已知偏釩酸銨微溶于冷水,可溶于熱水,結(jié)合圖中信息,生成偏釩酸銨沉淀的反應(yīng)是吸熱(填“吸熱”或“放熱”)反應(yīng).
(3)該課題組對(duì)影響沉釩率的其他因素(除溫度和pH)提出如下假設(shè).
假設(shè)一:氯化銨溶液的濃度
假設(shè)二:偏釩酸鈉溶液濃度

(4)結(jié)合上述最佳條件設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證假設(shè)一,寫出實(shí)驗(yàn)步驟與結(jié)論.
限選試劑:0.5mol/L的偏釩酸鈉溶液、1mol/L的氯化銨溶液、蒸餾水,常見實(shí)驗(yàn)儀器任選.(提示:沉釩率可用專用儀器測(cè)定并計(jì)算)
實(shí)驗(yàn)步驟與結(jié)論:
Ⅲ.熱分解
(5)偏釩酸銨灼燒產(chǎn)生五氧化二釩,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為2NH4VO3$\frac{\underline{\;△\;}}{\;}$2NH3↑+H2O↑+V2O5

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

15.用如圖所示實(shí)驗(yàn)裝置(夾持儀器已略去)探究銅絲與過量濃硫酸的反應(yīng).下列實(shí)驗(yàn)不合理的是( 。
A.上下移動(dòng)①中銅絲可控制生成SO2的量
B.②中選用品紅溶液驗(yàn)證SO2的生成
C.③中選用NaOH溶液吸收多余的SO2
D.該反應(yīng)中濃硫酸表現(xiàn)了強(qiáng)氧化性和脫水性

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