Question

請回答下列問題：
（1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學方程式：

 

．
②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧．SiHCl₃遇水劇烈反應生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，配平后的化學反應方程式為

 

；H₂還原SiHCl₃過程中若混入O₂，可能引起的后果是

 

．
（2）下列有關(guān)硅材料的說法正確的是

 

 （填字母）．
A．碳化硅化學性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B．氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料--光導纖維
D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點很高
E．鹽酸可以與硅反應，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入稀硝酸，振蕩．寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋

 

．

Answer 1

考點：硅和二氧化硅

專題：碳族元素

分析：（1）①根據(jù)反應物、生成物及反應條件書寫方程式；
②根據(jù)元素守恒判斷另一種物質(zhì)，根據(jù)反應物、生成物書寫方程式；加熱條件下，氫氣和氧氣混合易發(fā)生爆炸；
（2）A．原子晶體熔點高、性質(zhì)穩(wěn)定；
B．原子晶體熔點高、硬度大；
C．光導纖維的主要成分是二氧化硅；
D．普通玻璃無固定的熔點；
E．鹽酸不能與硅反應；
（3）硅酸鈉和稀硝酸反應生成不溶性的硅酸．

解答： 解：（1）①氫氣和純SiHCl₃反應生成高純硅和氯化氫：SiHCl₃+H₂

1357K  .

Si+3HCl，故答案為：SiHCl₃+H₂

1357K  .

Si+3HCl；
②SiHCl₃和H₂O劇烈反應生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，分析它們化合價的變化可知，，而Cl的化合價未發(fā)生變化，因此另一種元素即H元素的化合價必定降低，即另一種物質(zhì)是H₂，SiHCl₃遇水劇烈反應生成H₂SiO₃、HCl和氫氣：3SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl，加熱條件下，氫氣遇氧氣易爆炸，故答案為：3SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl；爆炸；
（2）A．碳化硅屬于原子晶體，化學性質(zhì)穩(wěn)定且熔點較高，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥，故正確；
B．氮化硅屬于原子晶體，硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承，故正確；
C．光導纖維的主要成分是二氧化硅，是利用光的全反射原理，故正確；
D．普玻璃是一種玻璃態(tài)物質(zhì)，無固定的熔點，故錯誤；
E．鹽酸不能與硅反應，而HCl在573 K以上的溫度下可與硅發(fā)生反應，故錯誤；
故選ABC；
（3）硅酸的酸性小于硝酸，硅酸鈉和硝酸反應生成難溶性的硅酸鈉，所以看到有白色膠狀物產(chǎn)生，反應方程式為，
故答案為：有白色膠狀沉淀生成，反應原理為 Na₂SiO₃+2HNO₃=H₂SiO₃↓+2NaNO₃．

點評：本題主要考查硅單質(zhì)及其化合物的性質(zhì)及其應用，綜合性較強，考查學生的綜合思維能力．題目難度中等．