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【題目】下列說法不正確的是

A.工業(yè)用焦炭在高溫下還原二氧化硅制得高純硅

B.SiO2可用于制造光導纖維

C.鈉是一種強還原劑，可以把鈦、鋯、鈮等從其熔融鹽中置換出來

D.氧化鎂熔點高達250℃，是優(yōu)質的耐高溫材料

【答案】A

【解析】

A、工業(yè)用焦炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅，再將粗硅和氯氣反應值得四氯化硅，再用氫氣還原四氯化硅得到高純硅，A錯誤；

B、SiO2具有良好的透光性，可用于制造光導纖維，B正確；

C、鈉是一種強還原劑，可以把鈦、鋯、鈮等從其熔融鹽中置換出來，C正確；

D、氧化鎂熔點高達250℃，是優(yōu)質的耐高溫材料，D正確；

故選A。

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】氨是重要的工業(yè)原料，其可以用來合成氮肥，某氮肥廠氨氮廢水中氮元素多以NH4+和NH3·H2O的形式存在，該廢水的處理流程如下：

請回答下列問題：

（1）過程1中加入氫氧化鈉，寫出其中發(fā)生的離子方程式____________________

（2）寫出氨分子的結構式______；指出分子中化學鍵是_____(填‘離子鍵’或‘共價鍵’)。

（3）過程Ⅱ：在微生物作用的條件下，NH4+經過兩步反應被氧化成NO3-。其中第一步反應的能量變化示意圖如圖：

第一步反應是_______反應(選填“放熱”或“吸熱”)，判斷依據是_______________。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】某密閉容器中充入等物質的量的A和B，一定溫度下發(fā)生反應A(g)＋xB(g)2C(g)，達到平衡后，在不同的時間段，分別改變反應的一個條件，測得容器中各物質的物質的量濃度、反應速率分別隨時間的變化如圖所示：

下列說法中正確的是

A. 30～40 min間該反應使用了催化劑

B. 反應方程式中的x＝1，正反應為吸熱反應

C. 30 min時降低溫度，40 min時升高溫度

D. 30 min時減小壓強，40 min時升高溫度

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列各組物質的分類或變化正確的是( )

①混合物：氯水、氨水、水玻璃、水銀、食醋、淀粉 ②含有氧元素的化合物叫氧化物 ③CO2、NO2、P2O5均為酸性氧化物，Na2O、Na2O2 為堿性氧化物 ④同素異形體：C60、C70、金剛石、石墨 ⑤在熔融狀態(tài)下能導電的化合物為離子化合物 ⑥強電解質溶液的導電能力一定強 ⑦有單質參加的反應或有單質產生的反應是氧化還原反應 ⑧煤的氣化、液化、干餾都是化學變化

A. ④⑤⑧ B. ②③⑤ C. ①④⑥⑦ D. ③④⑦⑧

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】MnO2 和 Zn 是制造普通干電池的重要原料，現(xiàn)用軟錳礦(主要成分為 MnO2)和閃鋅礦(主要成分為 ZnS)制備MnO2和Zn的工藝流程如下：

下列說法不正確的是( )

A. 酸溶時，ZnS 作還原劑 B. 原料硫酸可以循環(huán)使用

C. 操作 1 是萃取 D. 不可用鹽酸代替硫酸進行酸溶

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列有關說法中不正確的是（ ）

A.工業(yè)上用CO還原赤鐵礦（含Fe2O3）獲得鐵

B.從海產品（如海帶等）中提取碘是工業(yè)上獲取碘的重要途徑

C.工業(yè)上可通過鋁土礦獲得鋁

D.瑪瑙、水晶、鉆石、紅寶石等裝飾品的主要成分都是硅酸鹽

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】隨著科學技術的不斷進步，研究物質的手段和途徑越來越多，N5+、H3、O4、C60等已被發(fā)現(xiàn)。下列說法正確的是（ ）

A.H2 和 H3 屬于同素異形體B.C60 的摩爾質量為 720 g

C.O2 和 O4 屬于同位素D.N5+離子中含有 36 個電子

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】（1）在①②石墨③C60④⑤CH3CH2OH⑥⑦⑧CH3OCH3中：互為同位素；______互為同分異構體_______；互為同素異形體_______（填序號）．

（2）現(xiàn)有①CaCl2 ②金剛石 ③NH4Cl ④Na2SO4 ⑤冰等五種物質，按下列要求回答：

I.熔化時不需要破壞化學鍵的是_______，熔點最高的是_________。（填序號）

II.只含有離子鍵的物質是_________，晶體以分子間作用力結合的是_________。（填序號）

（3）寫出下列物質的電子式

①H2O______②NaOH______③NH3______；

（4）寫出CO2的結構式______；寫出硫原子的原子結構示意圖______．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】某電子層作為原子的最外層時，最多容納的電子數是次外層的4倍，則此電子層是(　　)

A.K層B.L層C.M層D.N層

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