Question

【題目】今年是俄羅斯化學(xué)家門(mén)捷列夫提出“元素周期律”150周年。門(mén)捷列夫?yàn)楹脦追N當(dāng)時(shí)尚未發(fā)現(xiàn)的元素如“類(lèi)鋁”、“類(lèi)硅”和“類(lèi)硼”留下了空位。而法國(guó)科學(xué)家在1875年研究閃鋅礦(ZnS)時(shí)發(fā)現(xiàn)的“鎵”，正是門(mén)捷列夫預(yù)言的“類(lèi)鋁”，性質(zhì)也是和預(yù)言中驚人的相似。

回答下列問(wèn)題：

(1)①寫(xiě)出鎵的基態(tài)原子的電子排布式______；門(mén)捷列夫預(yù)言的“類(lèi)硼”就是現(xiàn)在的鈧、“類(lèi)硅”即使現(xiàn)在的鍺，這三種元素的原子中，未成對(duì)的電子數(shù)最多的是______填元素符號(hào)。

②下列說(shuō)法最有可能正確的一項(xiàng)是______。填字母

A.類(lèi)鋁在時(shí)蒸氣壓很高 類(lèi)鋁的氧化物不能溶于堿

C.類(lèi)鋁不能與沸水反應(yīng) 類(lèi)鋁能生成類(lèi)似明礬的礬類(lèi)

氯化鎵熔點(diǎn)77.9℃，其中鎵的雜化方式與下列微粒的中心原子雜化方式相同且氯化鎵空間構(gòu)型也與其微粒相同的是______。填字母

A.PCl3B.SO3C.CH3-D.NO3-

(3)鎵多伴生在鋁土礦、二硫鎵銅礦等礦中。

①Cu(OH)2可溶于氨水，形成的配合物中，配離子的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為用“”表示出配位鍵______。

②鋅的第一電離能(I1)大于銅的第一電離能，而鋅的第二電離能(I2)卻小于銅的第二電離能的主要原因是______。

(4)2011年，我國(guó)將鎵列為戰(zhàn)略儲(chǔ)備金屬，我國(guó)的鎵儲(chǔ)量約占世界儲(chǔ)量的80%以上。砷化鎵也是半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)與硫化鋅類(lèi)似，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：

①原子坐標(biāo)參數(shù)是晶胞的基本要素之一，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。圖中A(0,0,0)、、，則此晶胞中，距離A球最遠(yuǎn)的黑球的坐標(biāo)參數(shù)為______。

若砷和鎵的原子半徑分別為acm和bcm，砷化鎵的摩爾質(zhì)量Mg/mol為、密度為ρg/cm3，晶胞中原子體積占空間體積百分率為w即原子體積的空間占有率，則阿伏加德羅常數(shù)為______mol-1。

Answer 1

【答案】1s22s22p63s23p63d104s24p1 Ge D BD 失去1個(gè)電子后Zn+價(jià)電子排布為3d104s1，而Cu+價(jià)電子排布為3d10，達(dá)到更穩(wěn)定狀態(tài)，故Zn的第二電離能小于Cu的第二電離能

【解析】

(1)①Ga是31號(hào)元素，處于第四周期IIIA族，結(jié)合能量最低原理書(shū)寫(xiě)核外電子排布式；鍺處于第四周期第IV族、鈧處于第四周期第IIIB族，二者價(jià)電子排布式為4s24p2、3d14s2；

②類(lèi)鋁與Al的性質(zhì)相似，但類(lèi)鋁的金屬性比Al強(qiáng)，注意固體的蒸氣壓一般比較小，也隨溫度升髙而增大；

(2)GaCl3中心原子Ga沒(méi)有孤對(duì)電子，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，中心原子雜化方式、空間構(gòu)型與氯化鎵相同的微粒應(yīng)滿足微粒的中心原子應(yīng)沒(méi)有孤對(duì)電子、價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3；

(3)①配離子為[Cu(NH3)4] 2+，Cu2+提供空軌道，NH3中N原子提供孤對(duì)電子，形成配位鍵；

②第一電離能Cu失去的3d104s1的電子，而Zn能失去的是穩(wěn)定結(jié)構(gòu)3d104s2的電子。失去1個(gè)電子后Zn+價(jià)電子排布為3d104s1，而價(jià)電子排布為3d10，更穩(wěn)定；

(4)①晶胞中距離A球最遠(yuǎn)的黑球與A球的連線處于晶胞體對(duì)角線上，根據(jù)幾何原理二者距離等于體對(duì)角線長(zhǎng)度的，該黑色球距離各坐標(biāo)平面距離均為晶胞棱長(zhǎng)的；

②設(shè)阿伏伽德羅常數(shù)為NA/mol，均攤法計(jì)算晶胞中Ga、As原子數(shù)目，用阿伏伽德羅常數(shù)、摩爾質(zhì)量表示出晶胞質(zhì)量。計(jì)算晶胞中Ga、As原子總體積，結(jié)合原子體積的空間占有率計(jì)算晶胞體積，再利用晶胞質(zhì)量晶體密度晶胞體積列方程計(jì)算。

(1)①Ga是31號(hào)元素，處于第四周期IIIA族，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1，4p軌道的1個(gè)電子為單電子，鍺處于第四周期第IV族、鈧處于第四周期第IIIB族，二者價(jià)電子排布式為4s24p2、3d14s2，未成對(duì)電子數(shù)分別為2、1，故Ge的未成對(duì)電子數(shù)最多；

②A固體的蒸氣壓一般比較小，類(lèi)鋁在1000℃時(shí)蒸氣壓應(yīng)該不是很高，A錯(cuò)誤；

B.氧化鋁溶于堿，類(lèi)鋁的氧化物也可以溶于強(qiáng)堿，B錯(cuò)誤；

C.類(lèi)鋁的金屬性比Al，雖然Al與沸水不反應(yīng)，但類(lèi)鋁可能與沸水反應(yīng)，C錯(cuò)誤；

類(lèi)鋁與鋁的結(jié)構(gòu)相似，能生成類(lèi)似明礬的礬類(lèi)，D正確；

故合理選項(xiàng)是D；

(2)GaCl3中心原子Ga沒(méi)有孤對(duì)電子，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，中心原子雜化方式、空間構(gòu)型與氯化鎵相同的微粒應(yīng)滿足微粒的中心原子應(yīng)沒(méi)有孤對(duì)電子、價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3。

A.PCl3中P原子孤電子對(duì)數(shù)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)1+3=4，A不符合；

B.SO3中S原子孤電子對(duì)數(shù)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)0+3=3，B符合；

C.CH3-中C原子孤電子對(duì)數(shù)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)1+3=4，C不符合；

D.NO3-中N原子孤電子對(duì)數(shù)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)0+3=3，D符合；

故合理選項(xiàng)是BD；

(3)①配離子為[Cu(NH3)4]2+，提供空軌道，NH3中N原子提供孤對(duì)電子，形成配位鍵，配離子的結(jié)構(gòu)可以表示為：；

②第一電離能Cu失去的3d104s1的電子，而Zn能失去的是穩(wěn)定結(jié)構(gòu)3d104s2的電子，故Zn的第一電離能大于Cu的第一電離能。失去1個(gè)電子后Zn+價(jià)電子排布為3d104s1，而Cu+價(jià)電子排布為3d10，Cu+達(dá)到更穩(wěn)定狀態(tài)，故Zn的第二電離能小于Cu的第二電離能；

(4)①晶胞中距離A球最遠(yuǎn)的黑球與A球的連線處于晶胞體對(duì)角線上，根據(jù)幾何原理二者距離等于體對(duì)角線長(zhǎng)度的，該黑色球距離各坐標(biāo)平面距離均為晶胞棱長(zhǎng)的，由坐標(biāo)參數(shù)可知晶胞棱長(zhǎng)為1，故該黑色球到各坐標(biāo)平面的距離均為，故該黑色球的坐標(biāo)參數(shù)為；

②設(shè)阿伏伽德羅常數(shù)為，晶胞中Ga原子數(shù)目，As原子數(shù)目=4，晶胞相當(dāng)于有4個(gè)“GaAs”，晶胞質(zhì)量，晶胞中Ga、As原子總體積，則晶胞的體積為，故，解得。