【題目】W、X、Y、Z是四種常見(jiàn)的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如圖。已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質(zhì)是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料；Z的非金屬性在同周期元素中最強(qiáng)，下列說(shuō)法正確的是

A．化合物XZW既含離子鍵也含共價(jià)鍵

B．對(duì)應(yīng)氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性Y＞Z

C．對(duì)應(yīng)簡(jiǎn)單離子半徑：X＞W

D．Y的氧化物能與Z或X的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物反應(yīng)

【答案】A

【解析】

試題分析：W、X、Y、Z是四種常見(jiàn)的短周期元素，已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10，則W元素原子的質(zhì)子數(shù)為18-10=8，故W為氧元素；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1，X為Na或F，X原子半徑大于氧原子，故X為Na元素；Y的單質(zhì)是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，原子序數(shù)大于Na元素，故Y為Si元素；Z的非金屬性在同周期元素中最強(qiáng)，故Z為Cl元素，A、化合物NaClO中鈉離子與次氯酸根離子之間形成離子鍵，次氯酸根中氯原子與氧原子之間形成共價(jià)鍵，故A正確；B、非金屬性Cl＞Si，故氫化物穩(wěn)定性Y＜Z，故B錯(cuò)誤；C、電子層結(jié)構(gòu)相同核電荷數(shù)越大離子半徑越小，故離子半徑O2-＞Na+，故C錯(cuò)誤；D、二氧化硅能與氫氧化鈉反應(yīng)生成硅酸鈉與水，除氫氟酸外二氧化硅不溶于其它酸，不能越高氯酸反應(yīng)，故D錯(cuò)誤。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】第ⅥA族氫化物的熔沸點(diǎn)比較中，水最高的原因是

A. 水分子間有氫鍵 B. 水分子內(nèi)的共價(jià)健最穩(wěn)定

C. 水分子間的范德華力最大 D. 氧元素的非金屬性最強(qiáng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】氯苯在染料、醫(yī)藥工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用，某實(shí)驗(yàn)小組利用如下裝置合成氯苯（支撐用的鐵架臺(tái)部分省略）并通過(guò)一定操作提純氯苯。

反應(yīng)物和產(chǎn)物的相關(guān)數(shù)據(jù)列表如下：

密度/g·cm－3

沸點(diǎn)/℃

水中溶解性

苯

0.879

80.1

微溶

氯苯

1.11

131.7

不溶

請(qǐng)按要求回答下列問(wèn)題。

（1）裝置A中橡膠管c的作用是______________，裝置E的作用是__________________。

（2）實(shí)驗(yàn)時(shí)；使a中的濃鹽酸緩緩滴下，可觀察到儀器b內(nèi)的現(xiàn)象是________________，寫出反應(yīng)的離子方程式______________________________________。

（3）為證明氯氣和苯發(fā)生的是取代而不是加成反應(yīng)，該小組用裝置F說(shuō)明，則裝置F置于________之間（填字母），F(xiàn)中小試管內(nèi)CCl4的作用是___________________，還需使用的試劑是______________。

（4）已知D中加入5 mL苯，經(jīng)過(guò)提純后收集到氯苯3.0 g，則氯苯的產(chǎn)率為_________%（保留三位有效數(shù)字）。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】短周期元素R、T、Q、W在元素周期表中的相對(duì)位置如右下圖所示，其中T所處的周期序數(shù)與族序數(shù)相等。下列判斷不正確的是

A. 最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：R>Q

B. 最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性：Q<W

C. 原子半徑：T>Q>R

D. 含T的鹽溶液一定顯酸性

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】“天宮一號(hào)”的供電系統(tǒng)中有再生氫氧燃料電池（RFC），RFC是一種將太陽(yáng)能電池電解水技術(shù)與氫氧燃料電池技術(shù)相結(jié)合的可充電電池。下圖為RFC工作原理示意圖（隔膜為質(zhì)子選擇性透過(guò)膜），下列說(shuō)法中正確的是

裝置I 裝置II

A. c極上發(fā)生的電極反應(yīng)是：O2 + 4H+ + 4e- = 2H2O

B. 當(dāng)有0.1mol電子轉(zhuǎn)移時(shí)，b極產(chǎn)生1.12L 氣體Y（標(biāo)準(zhǔn)狀況下）

C. 裝置I與裝置II的電解質(zhì)溶液中，氫離子運(yùn)動(dòng)方向相反

D. RFC系統(tǒng)工作過(guò)程中只存在3種形式的能量轉(zhuǎn)化

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)均與金剛石相似。銅是重要的過(guò)渡元素，能形成多種配合物，如Cu2＋與乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如圖所示配離子。回答下列問(wèn)題：

（1）基態(tài)Ga原子價(jià)電子的軌道表達(dá)式為________________；

（2）熔點(diǎn)：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；

（3）第一電離能：As_____Se（填“>”或“<”）；

（4）Cu2＋與乙二胺所形成的配離子內(nèi)部不含有的化學(xué)鍵類型是______；

a．配位鍵 b.極性鍵 c．離子鍵 d．非極性鍵

（5）乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺。但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高很多，原因是___________；

（6）Cu的某種晶體晶胞為面心立方結(jié)構(gòu)，晶胞邊長(zhǎng)為acm，銅原子的半徑為rcm。該晶體中銅原子的堆積方式為_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），該晶體密度為____g/cm3（用含a和NA的代數(shù)式表達(dá)），該晶體中銅原子的空間利用率為______（用含a和r的代數(shù)式表達(dá)）。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】(1)判斷下列物質(zhì)在相應(yīng)條件下能否電離，并說(shuō)明理由。

①液態(tài)HCl：__________________，理由：_________________________________。

②熔融狀態(tài)下的NaCl：__________________，理由：_________________________________。

③高溫熔化后的單質(zhì)鐵：__________________，理由：_________________________________。

④固體KOH：__________________，理由：________________________________。

(2)寫出下列物質(zhì)在水溶液中的電離方程式。

HCl：____________________________________；

H2SO4：___________________________________________；

Ca(OH)2：_____________________________________________；

KOH：___________________________________________________；

NH4NO3：___________________________________________________；

KAl(SO4)2：_________________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】已知?dú)錃馀c溴蒸汽化合生成1mol溴化氫時(shí)放出的能量51kJ，1mol H-H、Br-Br和H-Br鍵斷裂時(shí)需要吸收的能量分別是436kJ、a kJ和369kJ則a為(　　)

A. 404B. 260C. 230D. 200

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下列應(yīng)用與鹽類的水解無(wú)關(guān)的是 （ ）

A. 明礬凈水B. 配制CuCl2溶液時(shí)加入適量鹽酸

C. NaCl可用作防腐劑和調(diào)味劑D. 泡沫滅火器的滅火原理

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