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【題目】按圖甲裝置進行實驗，若圖乙中橫坐標x表示通過電極的電子的物質的量。下列敘述正確的是（　�。�

A.F表示反應生成Cu的物質的量

B.E表示反應實際消耗H2O的物質的量

C.E表示反應生成O2的物質的量

D.F表示反應生成H2SO4的物質的量

【答案】B

【解析】

惰性電極電解硫酸銅溶液，生成物是銅、氧氣和硫酸，反應的化學方程式是2CuSO4+2H2O2Cu+2H2SO4+O2↑。根據電子守恒：2Cu～4e－～O2，反應中生成1 mol氧氣轉移4 mol電子，而轉移4 mol電子生成2 mol銅，F表示反應生成氧氣的物質的量，E表示反應生成Cu的物質的量或生成硫酸的物質的量或消耗水的物質的量或消耗硫酸銅的物質的量，答案選B。

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列與金屬腐蝕有關的說法正確的是( )

A. 圖a中，插入海水中的鐵棒，越靠近底端腐蝕越嚴重

B. 圖b中，開關由M改置于N時，Cu-Zn合金的腐蝕速率減小

C. 圖c中，接通開關時Zn腐蝕速率增大，Zn上放出氣體的速率也增大

D. 圖d中，鋼鐵輪船外殼連接一塊金屬A(銅塊)可以減緩船體外殼腐蝕速度

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】用CO合成甲醇(CH3OH)的化學方程式為CO(g)+2H2(g)CH3OH(g) △H<0，按照相同的物質的量投料，測得CO在不同溫度下的平衡轉化率與壓強的關系如圖所示。下列說法正確的是（ ）

A.溫度：T1>T2>T3

B.正反應速率：v(b)>v(d) v(a)>v(c)

C.平衡常數：K(a)>K(c) K(b)=K(d)

D.平均摩爾質量：M(b)>M(d) M(a)<M(c)

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】如圖中分別是某課外活動小組設計的制取氨氣并用氨氣進行噴泉實驗的兩組裝置，回答下列問題：

（1）用A圖所示的裝置可制備干燥的NH3，反應的化學方程式為：___。干燥管中干燥劑能否改用無水CaCl2？__。（填“能”或“不能”）檢驗NH3是否收集滿的實驗方法是：__。氨氣溶于水呈堿性的原因是：___。

（2）若要配制100mL9.0mol/L的氨水，用到的玻璃儀器有燒杯、玻璃棒、量筒、___、__。

（3）將等濃度、等體積的氨水和鹽酸混合，所得溶液中離子濃度從大到小的順序為___。

（4）用B圖所示的裝置可進行噴泉實驗，上部燒瓶已充滿干燥氨氣，引發(fā)水上噴的操作是__，該實驗的原理是：___。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】（1）證明溴乙烷中溴元素的存在，有下列幾步，其正確的操作順序是___。

①加入硝酸銀溶液 ②加入氫氧化鈉溶液 ③加熱 ④加入稀硝酸至溶液呈酸性

（2）有機物M結構如圖，。根據M的結構回答：最多有__個原子共平面。

（3）某烴A和炔烴B的混合物共1L，完全燃燒生成相同狀況下的二氧化碳1.4L，水蒸氣1.6L，寫出兩種烴的結構簡式A__，B___。

（4）實驗室制取硝基苯的化學反應方程式是___。

（5）溴乙烷水解得到乙醇，乙醇可以發(fā)生催化氧化成醛，寫出乙醇催化氧化的方程式：___。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】第三代太陽能電池就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

（1）晶體硅中Si原子的雜化方式是___，基態(tài)Ga原子核外電子排布式為___。

（2）向硫酸銅溶液中逐滴滴加濃氨水，先出現藍色絮狀沉淀，后沉淀逐漸溶解得到[Cu（NH3）4]SO4的深藍色透明溶液。

①NH3極易溶于水，除因為NH3與H2O都是極性分子外，還因為____。

②在[Cu（NH3）4]2+中Cu2+與NH3之間形成的化學鍵稱為___，提供孤電子對的成鍵原子是___。

③[Cu（NH3）4]2+具有對稱的空間構型，[Cu（NH3）4]2+中的兩個NH3被兩個C1-取代，能得到兩種不同結構的產物，則[Cu（NH3）4]2+的空間構型為___。

（3）某含銅化合物的晶胞如圖所示，晶胞上下底面為正方形，側面與底面垂直。則晶胞中每個Cu原子與____個S原子相連，含銅化合物的化學式為____。設NA為阿伏加德羅常數的值，則該晶胞的密度為___gcm3（用含a、b、NA的代數式表示）。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下圖所示原電池的鹽橋中裝有飽和K2SO4溶液，電池工作一段時間后，甲燒杯中溶液顏色不斷變淺。下列敘述中正確的是

A. b極是電池的正極

B. 甲燒杯中K+經鹽橋流向乙燒杯

C. 甲燒杯中溶液的pH逐漸減小

D. 電池的總反應離子方程式為：MnO4-+5Fe2++8H+=Mn2++5Fe3++4H2O

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】一定溫度下，在三個容積相同的恒容密閉容器中按不同方式投入反應物，發(fā)生反應2SO2(g)＋O2(g)2SO3(g)；ΔH ＝－196.6kJ/mol，測得反應的相關數據如下：

容器1

容器2

容器3

反應溫度 T/K

700

700

800

反應物投入量

2molSO2、1mol O2

4molSO3

2molSO2、1mol O2

平衡v正(SO2)/ mol·L－1 ·s－1

v1

v2

v3

平衡c(SO3)/ mol·L－1

c1

c2

c3

物質的平衡轉化率α

α1(SO2)

α2(SO3)

α3(O2)

平衡常數K

K1

K2

K3

下列說法正確的是 (　　)

A.v1＜v2，c2＜2c1B.K1＞K3 ，p2＞2p3

C.v1＜v，α1(SO2)＜α3(SO2)D.c2＞2c3，α2(SO3)+α3(SO2)＜1

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】快離子導體是一類具有優(yōu)良離子導電能力的固體電解質。圖1（Li3SBF4）和圖2是潛在的快離子導體材料的結構示意圖�；卮鹣铝袉栴}：

（1）S+2e-=S2-過程中，獲得的電子填入基態(tài)S原子的___（填軌道符號）；

（2）BF3+NH3=NH3BF3的反應過程中，形成化學鍵時提供電子的原子軌道符號是___；產物分子中采取sp3雜化軌道形成化學鍵的原子是___；

（3）基態(tài)Li+、B+分別失去一個電子時，需吸收更多能量的是___，理由是___；

（4）圖1所示的晶體中，鋰原子處于立方體的位置___；若其晶胞參數為apm，則晶胞密度為___g·cm-3(列出計算式即可)

（5）當圖2中方格內填入Na+時，恰好構成氯化鈉晶胞的，且氯化鈉晶胞參數a=564pm。氯化鈉晶體中，Cl-按照A1密堆方式形成空隙，Na+填充在上述空隙中。每一個空隙由___個Cl-構成，空隙的空間形狀為___；

（6）溫度升高時，NaCl晶體出現缺陷（如圖2所示，某一個頂點沒有Na+，出現空位），晶體的導電性大大增強。該晶體導電時，在電場作用下遷移到空位上，形成電流。遷移的途徑有兩條（如圖2中箭頭所示）：

途徑1：在平面內擠過2、3號氯離子之間的狹縫（距離為x）遷移到空位。

途徑2：擠過由1、2、3號氯離子形成的三角形通道（如圖3，小圓的半徑為y）遷移到空位。已知：r(Na+)=95pm，r(Cl-)=185pm，=1.4，。

①x=___，y=___；（保留一位小數）

②遷移可能性更大的途徑是___。

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