有四種物質(zhì)的量濃度相等且都由一價(jià)陽(yáng)離子A和B及一價(jià)陰離子X(jué)和Y組成的鹽溶液。據(jù)測(cè)定常溫下AX和BY溶液的pH=7,AY溶液的pH>7,BX溶液的pH<7,由此判斷最可能不水解的鹽是

  A.BX            B.AX            C.AY              D.BY

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(1)將足量BaCO3分別加入:①30mL 水 ②10mL 0.2mol/L Na2CO3溶液 ③50mL 0.01mol/L 氯化鋇溶液 ④100mL 0.01mol/L鹽酸中溶解至溶液飽和.請(qǐng)確定各溶液中Ba2+的濃度由大到小的順序?yàn)椋?!--BA-->
③>④>①>②
③>④>①>②
(填編號(hào))
(2)現(xiàn)有電解質(zhì)溶液:①Na2CO3②NaHCO3?③NaAlO2  ④CH3COONa  ⑤NaOH  且已知:CO2+3H2O+2AlO2-═2Al(OH)3↓+CO32-.?
①當(dāng)五種溶液的pH相同時(shí),其物質(zhì)的量濃度由大到小的順序是
④>②>①>③>⑤
④>②>①>③>⑤
(填編號(hào)).
②將上述物質(zhì)的量濃度均為0.1mol?L-1的五種溶液,稀釋相同倍數(shù)時(shí),其pH變化最大的是
(填編號(hào)).
③在上述五種電解質(zhì)溶液中,分別加入AlCl3溶液,有氣體產(chǎn)生的是
①②
①②
(填編號(hào)).
④將上述①②③④這四種電解質(zhì)溶液混合,發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為
H2O+HCO3-+AlO2-═CO32-+Al(OH)3
H2O+HCO3-+AlO2-═CO32-+Al(OH)3

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

(2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模)Ⅰ.工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅.
(1)原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì),必須精制后才能供電解使用.精制時(shí),粗鹽溶于水過(guò)濾后,還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸)③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是
③①②
③①②
(填序號(hào))洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl,選用的試劑為
.(填序號(hào))(①飽和Na2CO3溶液  ②飽和K2CO3溶液  ③75%乙醇、芩穆然迹
(2)如圖是離子交換膜(允許鈉離子通過(guò),不允許氫氧根與氯離子通過(guò))法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
;NaOH溶液的出口為
a
a
(填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
(填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸


Ⅱ.多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注.
(1)SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl

(2)SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)?4SiHCl3(g)
達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg.
(3)實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng):
Zn+H2SO4→ZnSO4+H2↑;MnO2+4HCl(濃)
MnCl2+Cl2↑+2H2O
據(jù)此,從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
e
e
(填代號(hào))和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
d
d
(填代號(hào)).
可選用制備氣體的裝置:

(4)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣
134.4
134.4
m3(標(biāo)準(zhǔn)狀況).(忽略可能存在的其他反應(yīng))
某工廠生產(chǎn)硼砂過(guò)程中產(chǎn)生的固體廢料,主要含有MgCO3、MgSiO3、CaMg(CO32、Al2O3和Fe2O3等,回收其中鎂的工藝流程如下:

沉淀物 Fe(OH)3 Al(OH)3 Mg(OH)2
PH 3.2 5.2 12.4
Ⅲ.部分陽(yáng)離子以氫氧化物形式完全沉淀時(shí)溶液的pH見(jiàn)上表,請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)“浸出”步驟中,為提高鎂的浸出率,可采取的措施有
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
(要求寫(xiě)出兩條).
(2)濾渣I的主要成分是
Fe(OH)3、Al(OH)3
Fe(OH)3、Al(OH)3

Mg(ClO32在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑,可采用復(fù)分解反應(yīng)制備:
MgCl2+2NaClO3→Mg(ClO32+2NaCl
已知四種化合物的溶解度(S)隨溫度(T)變化曲線如圖所示:

(3)將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)比混合制備Mg(ClO32.簡(jiǎn)述可制備Mg(ClO32的原因:
在某一溫度時(shí),NaCl最先達(dá)到飽和析出;Mg(ClO32的溶解度隨溫度變化的最大,NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別;
在某一溫度時(shí),NaCl最先達(dá)到飽和析出;Mg(ClO32的溶解度隨溫度變化的最大,NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別;

(4)按題(3)中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn).在冷卻降溫析出Mg(ClO32過(guò)程中,常伴有NaCl析出,原因是:
降溫前,溶液中NaCl已達(dá)飽和,降低過(guò)程中,NaCl溶解度會(huì)降低,會(huì)少量析出;
降溫前,溶液中NaCl已達(dá)飽和,降低過(guò)程中,NaCl溶解度會(huì)降低,會(huì)少量析出;
.除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是:
重結(jié)晶
重結(jié)晶

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(6分)現(xiàn)有電解質(zhì)溶液①Na2CO3,②NaHCO3,③NaAlO2,④CH3COONa,⑤NaOH

(1)當(dāng)五種溶液的濃度相同時(shí),溶液中由水電離出的H+的物質(zhì)的量濃度由大到小的順序是               (填序號(hào))。

(2)在上述五種電解質(zhì)溶液中,分別加入AlCl3溶液,有氣體產(chǎn)生的是          (填序號(hào))。

(3)將上述①②③④四種電解質(zhì)溶液混合,發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為               

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013-2014學(xué)年高考化學(xué)二輪專題沖刺第16講 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)卷(解析版) 題型:填空題

已知:AB、C、DE、F六種元素,原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云,兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等;B是短周期中原子半徑最大的元素;C元素3p能級(jí)半充滿;E是所在周期電負(fù)性最大的元素;F是第四周期未成對(duì)電子最多的元素。

試回答下列有關(guān)的問(wèn)題。

(1)寫(xiě)出F元素的電子排布式:___________________________________________。

(2)已知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子,則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為_____________________________________________________________。

(3)已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子,一種為極性分子,屬于極性分子的化合物的分子空間構(gòu)型是_________________。

(4)B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是________(寫(xiě)元素符號(hào))。四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液,物質(zhì)的量濃度相同時(shí),pH由大到小的順序是____________

______________________________________________________________(寫(xiě)化學(xué)式)。

(5)BE兩元素形成的化合物組成的晶體中,陰、陽(yáng)離子都具有球型對(duì)稱結(jié)構(gòu),它們都可以看做剛性圓球,并彼此相切。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖:

晶胞中距離一個(gè)B最近的B________個(gè)。若晶體密度為ρ g·cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示,則E的離子半徑為________cm(NAρ的式子表達(dá))。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年河北省唐山市高三第一次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:推斷題

已知:A、B、C、D、E、F六種元素,原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云,兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等;B是短周期中原子半徑最大的元素;C元素3p能級(jí)半充滿;E是所在周期電負(fù)性最大的元素;F是第四周期未成對(duì)電子最多的元素。試回答下列有關(guān)的問(wèn)題:

(1)寫(xiě)出F元素的電子排布式_______。

(2)已知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子,則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為_(kāi)_____。

(3)已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3、CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子,一種為極性分子,屬于極性分子的化合物的分子空間構(gòu)型是______。

(4)B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是______ (寫(xiě)元素符號(hào))。四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液,物質(zhì)的量濃度相同時(shí),pH由大到小的順序是______(寫(xiě)化學(xué)式)。

(5)由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中,陰、陽(yáng)離子都有球型對(duì)稱結(jié)構(gòu),它們都可以看作剛性圓球,并彼此“相切”。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖:

晶胞中距離一個(gè)Na+最近的Na+有____________個(gè)。若晶體密度為ρ g·cm-3,阿伏加德羅常的值用NA表示,則Cl的離子半徑_____cm(用含NA與ρ式子表達(dá))。

 

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