發(fā)生的主要反應(yīng) | |
電弧爐 | SiO2+2C$\frac{\underline{\;1600-1800℃\;}}{\;}$Si+2CO↑ |
流化床反應(yīng)器 | Si+3HCl$\frac{\underline{\;250-300\;}}{\;}$SiHCl3+H2 |
還原爐 |
物質(zhì) | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
沸點(diǎn)/°C | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | -30.4 | -84.9 | -111.9 |
分析 (1)石英砂主要成分為二氧化硅,粗硅提純是利用碳做還原劑還原二氧化硅為單質(zhì)硅,二氧化硅和碳在高溫的條件下反應(yīng)生成碳化硅和一氧化碳,還原爐中SiHCl3和氫氣發(fā)生反應(yīng)生成硅和氯化氫;
①還原爐中SiHCl3和氫氣發(fā)生反應(yīng)生成硅和氯化氫;可循環(huán)使用的物質(zhì)是參與反應(yīng)過(guò)程,最后又從新生成的物質(zhì);石英砂主要成分為二氧化硅,粗硅提純是利用碳做還原劑還原二氧化硅為單質(zhì)硅,二氧化硅和碳在高溫的條件下反應(yīng)生成碳化硅和一氧化碳;
②根據(jù)題中數(shù)據(jù),采用精餾(或蒸餾)方法提純SiHCl3;
③SiHCl3水解生成硅酸、氫氣和氯化氫;
(2)①由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4,根據(jù)反應(yīng)物和生成物寫(xiě)出化學(xué)方程式;
②化學(xué)氣相沉積法是兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi),然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成一種新的材料,沉積到晶片表面上得較高純度的氮化硅,根據(jù)反應(yīng)物和生成物寫(xiě)出化學(xué)方程式;
③Si3N4與MgO反應(yīng)除生成Mg3N2外還可能生成SiO2,SiO2與鹽酸不反應(yīng),而Mg3N2、MgO溶于鹽酸的性質(zhì).
解答 解:(1)①還原爐中SiHCl3和氫氣發(fā)生反應(yīng)制得純硅,SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+3HCl,流程分析可知可循環(huán)使用的物質(zhì)為HCl和H2;用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅,石英砂的主要成分是二氧化硅,制備粗硅發(fā)生置換反應(yīng),SiO2+2C $\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑,同時(shí),在反應(yīng)中,也可能生成碳化硅,反應(yīng)為SiO2+3C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$SiC+2CO↑,
故答案為:SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+3HCl;HCl和H2;SiO2+3C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$SiC+2CO↑;
②利用沸點(diǎn)的不同提純SiHCl3屬于蒸餾,SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),由于沸點(diǎn)差別較大,可以通過(guò)精餾(或蒸餾)除去雜質(zhì);
故答案為:精餾(或蒸餾);
③SiHCl3水解反應(yīng)生成硅酸、氫氣和氯化氫,反應(yīng)的方程式為:SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑;
故答案為:SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑;
(2)①SiCl4和NH3反應(yīng)生成Si3N4和氯化氫,反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)方程式:3SiCl4+4NH3$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si3N4+12HCl;
故答案為:3SiCl4+4NH3$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si3N4+12HCl;
②SiCl4與N2、H2反應(yīng)生成Si3N4,還應(yīng)生成HCl,化學(xué)方程式為:3SiCl4+2N2+6H2 $\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si3N4+12HCl;
故答案為:3SiCl4+2N2+6H2 $\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si3N4+12HCl;
③由元素守恒判斷,Si3N4與MgO反應(yīng)除生成Mg3N2外還可能生成SiO2,利用SiO2與鹽酸不反應(yīng),而Mg3N2、MgO溶于鹽酸的性質(zhì),可采用加入足量稀鹽酸的方法,使MgO、Mg3N2溶解后過(guò)濾;
故答案為:SiO2;加足量稀鹽酸過(guò)濾.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)的有關(guān)知識(shí),側(cè)重考查了硅及其化合物的有關(guān)知識(shí),注意粗硅的提純反應(yīng)原理,注意根據(jù)質(zhì)量守恒書(shū)寫(xiě)化學(xué)方程式,題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 14g | B. | 42g | C. | 56g | D. | 28g |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 正極一側(cè)為有機(jī)電解液 | B. | 放電過(guò)程中LiOH在正極生成 | ||
C. | 放電時(shí)Li+從正極區(qū)移向負(fù)極區(qū) | D. | 專(zhuān)用充電電極可以是鐵、銅等金屬 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
實(shí)驗(yàn)步驟 | 預(yù)期現(xiàn)象和結(jié)論 |
步驟1:取C中的少量固體樣品于試管中,滴加 足量蒸餾水至固體溶解,然后將所得溶液分別置于A、B試管中. | |
步驟2:向A試管中滴加BaCl2溶液 | ①若無(wú)明顯現(xiàn)象,證明固體中不含碳酸鈉; ②若溶液變渾濁,證明固體中含有碳酸鈉. |
步驟3:向B試管中滴加過(guò)量的稀硝酸,再滴加AgNO3溶液 | 若溶液變渾濁,結(jié)合步驟2中的①,則假設(shè) 一成立;結(jié)合步驟2中的②,則假設(shè)二成立. |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 3種 | B. | 4種 | C. | 5種 | D. | 6種 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電池放電時(shí)Na+從b極區(qū)移向a極區(qū) | |
B. | 該電池的負(fù)極反應(yīng)為:BH4-+8OH--8e-═BO2-+6H2O | |
C. | 電極a采用MnO2,MnO2既作電極材料又有催化作用 | |
D. | 每消耗3 mol H2O2,轉(zhuǎn)移的電子為3 mol |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
化學(xué)式 | AgCl | Ag2CrO4 | CH3COOH | HClO | H2CO3 |
Ks或Ka | Ksp=1.8×10-10 | Ksp=2.0×10-12 | Ka=1.8×10-5 | Ka=3.0×10-8 | Ka1=4.1×10-7 Ka2=5.6×10-11 |
A. | 相同濃度CH3COONa和NaClO的混合液中,各離子濃度的大小關(guān)系是c(Na+)>c(ClO-)>c(CH3COO-)>c(OH-)>c(H+) | |
B. | 向0.1mol•L-1CH3COOH溶液中滴加NaOH溶液至c(CH3COOH):c(CH3COO-)=5:9,此時(shí)溶液pH=5 | |
C. | 碳酸鈉溶液中滴加少量氯水的離子方程式為CO2-3 +Cl2+H2O=HCO-3+Cl-+HClO | |
D. | 向濃度均為1×10-3mol•L-1的KCl和K2CrO4混合液中滴加1×10-3mol•L-1的AgNO3溶液,CrO2-4先形成沉淀. |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 只有① | B. | 只有①②⑤ | C. | 只有①②③⑤ | D. | ①②③④⑤ |
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