這里有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù):

(1)Ⅰ組物質(zhì)的熔點(diǎn)比Ⅱ組物質(zhì)的熔點(diǎn)________,原因是________.

(2)Ⅱ組內(nèi)物質(zhì)比較,熔點(diǎn)變化由高到低的順序?yàn)開(kāi)_______,理由是________.

(3)Ⅰ組內(nèi)物質(zhì)比較,發(fā)現(xiàn)該組物質(zhì)的熔點(diǎn)由________鍵決定,該鍵的強(qiáng)弱可能與________有關(guān).

答案:
解析:

  (1)高、窠M物質(zhì)是離子化合物,熔點(diǎn)由離子鍵決定,Ⅱ組物質(zhì)由分子構(gòu)成,熔化時(shí)克服的是分子間作用力

  (2)SiI4>SiBr4>SiCl4>SiF4 組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),熔點(diǎn)越高

  (3)離子 鹵離子半徑


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:高一化學(xué)(通用各科奧林匹克ABC卷及解析) 題型:043

有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù):

分析以上數(shù)據(jù)回答:

(1)你認(rèn)為有哪些規(guī)律?

(2)形成這些規(guī)律的主要原因是什么?

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:022

有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù)

物質(zhì)

NaCl

  KCl 

RbCl   

CsCl

熔點(diǎn)

808

772

717  

645

              

物質(zhì) 

SiCl4

GeCl4

SnCl4  

PbCl4

熔點(diǎn)  

-70.4 

-49.5 

-36.2  

-15

 分析以上數(shù)據(jù),回答:

1)有什么規(guī)律可循?

答:________。

2)造成這些規(guī)律的主要原因是什么?

答:________。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù):

 

Ⅰ組

物質(zhì)

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)

808 ℃

772 ℃

717 ℃

645 ℃

Ⅱ組

物質(zhì)

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)

-70.4 ℃

-49.5 ℃

-36.2 ℃

-15 ℃

分析以上數(shù)據(jù),回答:

(1)有什么規(guī)律可循___________________________________________________。

(2)造成這些規(guī)律的主要原因是__________________________________________。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù):

Ⅰ組

物質(zhì)

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)

808 ℃

772 ℃

717 ℃

645 ℃

Ⅱ組

物質(zhì)

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)

-70.4 ℃

-49.5 ℃

-36.2 ℃

-15 ℃

分析以上數(shù)據(jù),回答:

(1)有什么規(guī)律可循__________________________________________________________。

(2)造成這些規(guī)律的主要原因是_________________________________________________。

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