這里有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù)：

(1)Ⅰ組物質(zhì)的熔點(diǎn)比Ⅱ組物質(zhì)的熔點(diǎn)________，原因是________．

(2)Ⅱ組內(nèi)物質(zhì)比較，熔點(diǎn)變化由高到低的順序?yàn)開(kāi)_______，理由是________．

(3)Ⅰ組內(nèi)物質(zhì)比較，發(fā)現(xiàn)該組物質(zhì)的熔點(diǎn)由________鍵決定，該鍵的強(qiáng)弱可能與________有關(guān)．

答案：
解析：

　　(1)高�、窠M物質(zhì)是離子化合物，熔點(diǎn)由離子鍵決定，Ⅱ組物質(zhì)由分子構(gòu)成，熔化時(shí)克服的是分子間作用力

　　(2)SiI4＞SiBr4＞SiCl4＞SiF4　組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高

　　(3)離子　鹵離子半徑


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：高一化學(xué)（通用各科奧林匹克ABC卷及解析） 題型：043

有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù)：

分析以上數(shù)據(jù)回答：

(1)你認(rèn)為有哪些規(guī)律？

(2)形成這些規(guī)律的主要原因是什么？

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：022

有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù)

Ⅰ組

物質(zhì)

NaCl

  KCl 

RbCl   

CsCl

熔點(diǎn)

808℃

772℃

717℃  

645℃

　　　　　　　　　　　　  

Ⅱ組

物質(zhì) 

SiCl4

GeCl4

SnCl4  

PbCl4

熔點(diǎn)  

-70.4℃ 

-49.5℃ 

-36.2℃  

-15℃

 分析以上數(shù)據(jù)，回答：

（1）有什么規(guī)律可循？

答：________。

（2）造成這些規(guī)律的主要原因是什么？

答：________。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù)：

 

Ⅰ組

物質(zhì)

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)

808 ℃

772 ℃

717 ℃

645 ℃

Ⅱ組

物質(zhì)

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)

-70.4 ℃

-49.5 ℃

-36.2 ℃

-15 ℃

分析以上數(shù)據(jù)，回答：

（1）有什么規(guī)律可循___________________________________________________。

（2）造成這些規(guī)律的主要原因是__________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

有兩組關(guān)于物質(zhì)熔點(diǎn)的數(shù)據(jù)：

Ⅰ組

物質(zhì)

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)

808 ℃

772 ℃

717 ℃

645 ℃

Ⅱ組

物質(zhì)

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)

-70.4 ℃

-49.5 ℃

-36.2 ℃

-15 ℃

分析以上數(shù)據(jù)，回答：

（1）有什么規(guī)律可循__________________________________________________________。

（2）造成這些規(guī)律的主要原因是_________________________________________________。

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