A. | 干冰、冰、金屬鈉 | B. | 二氧化硅、食鹽、硫 | ||
C. | 金剛石、碘、氧化鈣 | D. | HF、HCl、HBr |
分析 一般情況下,不同類型的晶體,熔點:原子晶體>離子晶體>金屬晶體>分子晶體;同種類型的晶體可根據(jù)影響晶體的因素分析.
解答 解:A.干冰為分子晶體,常溫下為氣體,熔點最低,故A錯誤;
B.二氧化硅為原子晶體,硫為分子晶體,食鹽為離子晶體,則熔點:二氧化硅>食鹽>硫,故B正確;
C.金剛石為原子晶體,碘為分子晶體,氧化鈣為離子晶體,則熔點:金剛石>氧化鈣>碘,故C錯誤;
D.HF、HCl、HBr都為同主族元素所形成的分子晶體,分子的相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,分子間含有氫鍵的沸點最高,應(yīng)為HF>HBr>HCl,故D錯誤.
故選B.
點評 本題考查晶體的熔沸點高低的比較,題目難度不大,注意比較晶體熔沸點高低的角度.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 稀硫酸滴在鎂片上:Mg+2H+═Mg2++H2↑ | |
B. | 硫酸鎂溶液與氫氧化鋇溶液反應(yīng):Ba2++SO42-═BaSO4↓ | |
C. | 硝酸銀溶液與鹽酸反應(yīng):Ag++Cl-═AgCl↓ | |
D. | 澄清石灰水與碳酸鈉溶液反應(yīng):Ca(OH)2+CO32-═CaCO3↓+H2O |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 鹵素有單質(zhì)存在于自然界中 | |
B. | 隨核電荷數(shù)增加,單質(zhì)熔沸點升高 | |
C. | 隨核電荷數(shù)增加,單質(zhì)氧化性增強(qiáng) | |
D. | 單質(zhì)與水反應(yīng),均可用通式X2+H2O═HX+HXO表示 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Q 1>Q 2 | B. | Q 1=Q 2 | C. | Q 1<Q 2 | D. | 無法確定 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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