硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。回答下列問題:

(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號        ,該能層具有的原子軌道數(shù)為       、電子數(shù)為          。

(2)硅主要以硅酸鹽、        等化合物的形式存在于地殼中。

(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以             相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻(xiàn)         個原子。

(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4CI在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                               。

(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):

①     硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是                                                                  

                                              

②     SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                         

                                                                               

 (6)在硅酸鹽中,四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根;其中Si原子的雜化形式為      。Si與O的原子數(shù)之比為            化學(xué)式為              

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

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下列有關(guān)氣體的敘述中,不正確的是

A.不同的氣體,若體積不同,則它們所含的分子數(shù)肯定不同

B.在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,氣體的摩爾體積約為22.4 L·mol1

C.當(dāng)分子數(shù)目相同時,氣體體積的大小主要取決于氣體分子之間的距離

D.氣態(tài)物質(zhì)沒有固定的形狀,且容易被壓縮

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某100 mL物質(zhì)的量濃度為1 mol/L的NaOH溶液。試計(jì)算:

(1) 該溶液中NaOH的質(zhì)量。

(2) 上述溶液與物質(zhì)的量濃度為1 mol/L 的HCl溶液恰好完全反應(yīng),需HCl溶液的體積是多少毫升?

(3) 該反應(yīng)后得到溶液中溶質(zhì)的物質(zhì)的量是               mol。

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[化學(xué)——物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](13分)

氮化硼(BN)晶體有多種相結(jié)構(gòu)。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相,與石墨相似,具有層狀結(jié)構(gòu),可作高溫潤滑劑。立方相氮化硼是超硬材料,有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示。

   

(1)基態(tài)硼原子的電子排布式為________。

(2)關(guān)于這兩種晶體的說法,正確的是________(填序號)。

a.立方相氮化硼含有σ鍵和π鍵,所以硬度大

b.六方相氮化硼層間作用力小,所以質(zhì)地軟

c.兩種晶體中的B—N鍵均為共價鍵

d.兩種晶體均為分子晶體

(3)六方相氮化硼晶體層內(nèi)一個硼原子與相鄰氮原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為________,其結(jié)構(gòu)與石墨相似卻不導(dǎo)電,原因是_____________________________________________________。

(4)立方相氮化硼晶體中,硼原子的雜化軌道類型為________。該晶體的天然礦物在青藏高原地下約300 km的古地殼中被發(fā)現(xiàn)。根椐這一礦物形成事實(shí),推斷實(shí)驗(yàn)室由六方相氮化硼合成立方相氮化硼需要的條件應(yīng)是________________。

(5)NH4BF4(氟硼酸銨)是合成氮化硼納米管的原料之一。1 mol NH4BF4 含有________mol配位鍵。

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已知:P4(s)+6Cl2(g)=4PCl3(g) ΔH=akJ·mol-1

   P4(s)+10Cl2(g)=4PCl5(g) ΔH= bkJ·mol-1

P4具有正四面體結(jié)構(gòu),PCl5中P-Cl鍵的鍵能為ckJ·mol-1,PCl3中P-Cl鍵的鍵能為1.2ckJ·mol-1

下列敘述正確的是(  )

A.P-P鍵的鍵能大于P-Cl鍵的鍵能

B.可求Cl2(g)+PCl3(g)=PCl5(s)的反應(yīng)熱ΔH

C.Cl-Cl鍵的鍵能kJ·mol-1

D.P-P鍵的鍵能為kJ·mol-1

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 (1)元素的第一電離能:Al________Si(填“>”或“<”)。

(2)基態(tài)Mn2的核外電子排布式為________。

(3)硅烷(SinH2n+2)的沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是_________________________________。

(4)硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉,其陰離子Xm(含B、O、H三種元素)的球棍模型如下圖所示:

①在Xm中,硼原子軌道的雜化類型有________;配位鍵存在于________原子之間(填原子的數(shù)字標(biāo)號);

m=________(填數(shù)字)。

②硼砂晶體由Na、Xm和H2O構(gòu)成,它們之間存在的作用力有________ (填序號)。

A.離子鍵    B.共價鍵     C.金屬鍵

D.范德華力   E.氫鍵

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短周期元素甲、乙、丙、丁的原子序數(shù)依次增大,甲和乙形成的氣態(tài)化合物的水溶液呈堿性,乙位于第VA族,甲和丙同主族,丁原子最外層電子數(shù)與電子層數(shù)相等,則

A、原子半徑:丙>丁>乙

B、單質(zhì)的還原性:丁>丙>甲

C、甲、乙、丙的氧化物均為共價化合物

D、乙、丙、丁的最高價氧化物對應(yīng)的水化物能相互反應(yīng)

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已知A、B、C、D、E是短周期中原子序數(shù)依次增大的5種主族元素,其中元素A、E的單質(zhì)在常溫下呈氣態(tài),元素B的原子最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的2倍,元素C在同周期的主族元素中原子半徑最大,元素D的合金是日常生活中常用的金屬材料。下列說法正確的是

A.元素A、B組成的化合物常溫下一定呈氣態(tài)

B.一定條件下,元素C、D的最高價氧化物對應(yīng)的水化物之間能發(fā)生反應(yīng)

C.工業(yè)上常用電解法制備元素C、D、E的單質(zhì)

D.化合物AE與CE古有相同類型的化學(xué)鍵

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32S與33S互為同位素,下列說法正確的是

A.32S與33S原子的最外層電子數(shù)均為2

B.32S與33S具有相同的中子數(shù)

C.32S與33S具有不同的電子數(shù)

D.32S與33S具有相同的質(zhì)子數(shù)

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