工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．

1．原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42－等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用．精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸)③BaCl2，這3種試劑添加的合理順序是________(填序號(hào))洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl，選用的試劑為_(kāi)_______．(填序號(hào))

(①飽和Na2CO3溶液�、陲柡蚄2CO3溶液�、�75％乙醇�、芩穆然�)

2．下圖是離子交換膜(允許鈉離子通過(guò)，不允許氫氧根與氯離子通過(guò))法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是________；NaOH溶液的出口為________(填字母)；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為________(填字母)；干燥塔中應(yīng)使用的液體是________．

答案：
解析：

　　1．(2分)③①②；③

　　2．(4分)氯氣；a；d；濃硫酸


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2009?重慶）工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
；NaOH溶液的出口為
a
a
（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸
．

（2）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注．
①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
．
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（g）4SiHCl3（g）達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg．
（3）采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣
134.4
134.4
M3（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

（2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模）Ⅰ．工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用．精制時(shí)，粗鹽溶于水過(guò)濾后，還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl（鹽酸）③BaCl2，這3種試劑添加的合理順序是
③①②
③①②
（填序號(hào)）洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl，選用的試劑為
③
③
．（填序號(hào)）（①飽和Na2CO3溶液  ②飽和K2CO3溶液  ③75%乙醇�、芩穆然迹�
（2）如圖是離子交換膜（允許鈉離子通過(guò)，不允許氫氧根與氯離子通過(guò)）法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是
氯氣
氯氣
；NaOH溶液的出口為
a
a
（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
d
d
（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是
濃硫酸
濃硫酸
．

Ⅱ．多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注．
（1）SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
SiCl4+2H2+O2
 高溫 
.
 
SiO2+4HCl
．
（2）SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）?4SiHCl3（g）
達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
0.351
0.351
kg．
（3）實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng)：
Zn+H2SO4→ZnSO4+H2↑；MnO2+4HCl（濃）
△
MnCl2+Cl2↑+2H2O
據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
e
e
（填代號(hào)）和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
d
d
（填代號(hào)）．
可選用制備氣體的裝置：

（4）采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣
134.4
134.4
m3（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．（忽略可能存在的其他反應(yīng)）
某工廠(chǎng)生產(chǎn)硼砂過(guò)程中產(chǎn)生的固體廢料，主要含有MgCO3、MgSiO3、CaMg（CO3）2、Al2O3和Fe2O3等，回收其中鎂的工藝流程如下：

沉淀物 Fe（OH）3 Al（OH）3 Mg（OH）2
PH 3.2 5.2 12.4
Ⅲ．部分陽(yáng)離子以氫氧化物形式完全沉淀時(shí)溶液的pH見(jiàn)上表，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）“浸出”步驟中，為提高鎂的浸出率，可采取的措施有
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
（要求寫(xiě)出兩條）．
（2）濾渣I的主要成分是
Fe（OH）3、Al（OH）3
Fe（OH）3、Al（OH）3
．
Mg（ClO3）2在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑，可采用復(fù)分解反應(yīng)制備：
MgCl2+2NaClO3→Mg（ClO3）2+2NaCl
已知四種化合物的溶解度（S）隨溫度（T）變化曲線(xiàn)如圖所示：

（3）將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)比混合制備Mg（ClO3）2．簡(jiǎn)述可制備Mg（ClO3）2的原因：
在某一溫度時(shí)，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
在某一溫度時(shí)，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
．
（4）按題（3）中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn)．在冷卻降溫析出Mg（ClO3）2過(guò)程中，常伴有NaCl析出，原因是：
降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過(guò)程中，NaCl溶解度會(huì)降低，會(huì)少量析出；
降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過(guò)程中，NaCl溶解度會(huì)降低，會(huì)少量析出；
．除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是：
重結(jié)晶
重結(jié)晶
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2012?大興區(qū)一模）工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，下列說(shuō)法中不正確的是（　　）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（14分）工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）

達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   kg。

（3）采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013屆湖北省高二上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（12分）工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

（1）下圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是     ；NaOH溶液的出口為       （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為       （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是      。

（2）多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。

① SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                        。

② SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

   3 SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）4SiHCl3（g）

達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為   ______kg。

（3）采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣      （標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

 

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