Question

14．工業(yè)上生產(chǎn)半導(dǎo)體材料硅的流程如下：石英砂（SiO₂）$→_{高溫}^{焦炭}$粗硅$→_{高溫}^{氯氣}$四氯化碳$→_{高溫}^{氫氣}$純硅
（1）寫出制備粗硅時反應(yīng)的化學(xué)方程式：SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO．
（2）粗硅與氯氣反應(yīng)后得到沸點(diǎn)較低的液態(tài)四氯化硅中�；煊幸恍└叻悬c(diǎn)、難揮發(fā)性液態(tài)雜質(zhì)，必須進(jìn)行分離提純，其提純方法為A（填字母）．
A、蒸餾     B、過濾      C、萃取      D、結(jié)晶
（3）為防止污染空氣，常用氫氧化鈉溶液吸收多余的氯氣．

Answer 1

分析 （1）高溫下，碳還原二氧化硅制備粗硅；
（2）依據(jù)不同沸點(diǎn)物質(zhì)可以采用蒸餾方法分離；
（3）氯氣有毒，能夠與氫氧化鈉溶液反應(yīng)．

解答 解：（1）高溫下，碳還原二氧化硅制備粗硅，其反應(yīng)方程式為：SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO，故答案為：SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO；
（2）粗硅與氯氣反應(yīng)后得到沸點(diǎn)較低的液態(tài)四氯化硅中常混有一些高沸點(diǎn)、難揮發(fā)性液態(tài)雜質(zhì)，由于四氯化硅與雜質(zhì)的沸點(diǎn)差別較大，所以采用蒸餾的方法來分離；
故答案為：A；
（3）氯氣有毒，能夠與氫氧化鈉溶液反應(yīng)，可以用氫氧化鈉溶液吸收過量的氯氣，故答案為：氫氧化鈉．

點(diǎn)評 本題考查了粗硅的制備和提純，明確硅及其化合物的性質(zhì)是解題關(guān)鍵，題目難度不大．