A. | 原子最外層電子數(shù)為2的元素一定處于周期表IIA族 | |
B. | 水分子和氨氣分子中,中心原子的雜化方式相同 | |
C. | SiO2晶體結(jié)構(gòu)中,存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角 | |
D. | 同主族元素形成的氧化物的晶體類(lèi)型均相同 |
分析 A、原子最外層電子數(shù)為2的元素有He、第ⅡA族元素、第ⅡB族元素等;
B、水分子中價(jià)電子數(shù)=2+$\frac{1}{2}$(6-2×1)=4,水分子中含有2個(gè)孤電子對(duì),所以氧原子采取sp3 雜化,氨氣中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+$\frac{1}{2}$(5-3×1)=4且含有1個(gè)孤電子對(duì),所以N原子采用sp3雜化;
C、二氧化硅晶體中存在四面體結(jié)構(gòu)單元,每個(gè)硅原子能構(gòu)成四個(gè)共價(jià)鍵,每個(gè)氧原子能形成2個(gè)共價(jià)鍵,Si處于中心,O處于4個(gè)頂角;
D、二氧化碳為分子晶體,二氧化硅為原子晶體.
解答 解:A.原子最外層電子數(shù)為2的元素有He、第ⅡA族元素、第ⅡB族元素等,不一定為IIA族,故A錯(cuò)誤;
B、水分子中價(jià)電子數(shù)=2+$\frac{1}{2}$(6-2×1)=4,水分子中含有2個(gè)孤電子對(duì),所以氧原子采取sp3 雜化,氨氣中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+$\frac{1}{2}$(5-3×1)=4且含有1個(gè)孤電子對(duì),所以N原子采用sp3雜化,故B正確;
C、二氧化硅晶體中存在四面體結(jié)構(gòu)單元,每個(gè)硅原子能構(gòu)成四個(gè)共價(jià)鍵,每個(gè)氧原子能形成2個(gè)共價(jià)鍵,Si處于中心,O處于4個(gè)頂角,故C錯(cuò)誤;
D、同主族元素形成的氧化物的晶體類(lèi)型不一定相同,如二氧化碳為分子晶體,二氧化硅為原子晶體,故D錯(cuò)誤;
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查元素周期表及元素周期律,為高頻考點(diǎn),把握元素在周期表的位置、元素的性質(zhì)及變化規(guī)律為解答的關(guān)鍵,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Al2O3 | B. | Al | C. | Al(OH)3 | D. | NaHCO3 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 銅是正極,銅片上有氣泡產(chǎn)生 | B. | 氫離子在鋅片表面被還原 | ||
C. | 電流從鋅片經(jīng)導(dǎo)線流向銅片 | D. | 銅片質(zhì)量逐漸減少 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | A、C兩點(diǎn)氣體的平均相對(duì)分子質(zhì)量:A>C | |
B. | A、C兩點(diǎn)氣體的顏色:A深,C淺 | |
C. | 由狀態(tài)B到狀態(tài)A,可以用加熱的方法 | |
D. | A、C兩點(diǎn)的反應(yīng)速率:A>C |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 只有①② | B. | 只有④⑤ | C. | 只有①②⑤ | D. | 只有①②③⑤ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 有機(jī)物 | B. | 共價(jià)化合物 | C. | 電解質(zhì) | D. | 離子化合物 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | H2 | B. | O2 | C. | HBr | D. | Br2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 3種 | B. | 4種 | C. | 5種 | D. | 6種 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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