一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示,陰離子B以表示。
(1)每個(gè)晶胞種含A離子的數(shù)目為________,含B離子數(shù)目為________。
(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;
(3)陽離子的配位數(shù)為_________,陰離子的配位數(shù)為________。
(4)已知A的離子半徑為0.99×10-10m,則該晶胞的體積是_______________m3。
(每空2分,共12分)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示,陰離子B以表示。
(1)每個(gè)晶胞種含A離子的數(shù)目為________,含B離子數(shù)目為________。
(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;
(3)陽離子的配位數(shù)為_________,陰離子的配位數(shù)為________。
(4)已知A的離子半徑為0.99×10-10m,則該晶胞的體積是_______________m3。
(每空2分,共12分)
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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題
(13分)(1)下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__ ___(請用相應(yīng)的編號填寫)
(2)一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示,陰離子B以表示。則每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為________,含B離子數(shù)目為________。若A的核外電子排布與Ar相同,B的核外電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;
(3)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
(4)通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
化學(xué)鍵 | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si |
鍵能/kJ·mol—1 | 360 | 436 | 431 | 176 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013年湖北省仙桃市毛嘴高中高二上學(xué)期學(xué)業(yè)水平監(jiān)測試化學(xué)卷(帶解析) 題型:填空題
(6分)一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽離子A以表示,陰離子B以表示。
(1)每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為________,含B離子數(shù)目為________。
(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;
(3)陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為_____,陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)_____。
(4)已知A的離子半徑為r m,則該晶胞的體積是 ___________m3。
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科目:高中化學(xué) 來源:2010年鄭州市高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題 題型:填空題
一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示,陰離子B以表示。
(1)每個(gè)晶胞種含A離子的數(shù)目為________,含B離子數(shù)目為________。
(2)若A的核外電子排布與Ar相同,B的電子排布與Ne相同,則該離子化合物的化學(xué)式是___________________;
(3)陽離子的配位數(shù)為_________,陰離子的配位數(shù)為________。
(4)已知A的離子半徑為0.99×10-10m,則該晶胞的體積是_______________m3。
(每空2分,共12分)
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