下列說(shuō)法不正確的是( 。
A.C2H4和HCN分子中,都含σ鍵和π鍵,但C原子的雜化方式并不相同
B.在元素周期表中,p區(qū)元素的最外層電子排布均可表示為ns2np1~6
C.某基態(tài)原子的核外電子排布圖為 ,它違背了泡利不相容原理
D.用紅外光譜可鑒別乙醇和二甲醚,用X-射線衍射實(shí)驗(yàn)可鑒別玻璃與水晶
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
某同學(xué)設(shè)計(jì)如下圖所示原電池(鹽橋中裝有含瓊膠的KCl飽和溶液)。
該電池工作時(shí),下列說(shuō)法正確的是
A.鹽橋中的K+ 移向AgNO3溶液
B.負(fù)極反應(yīng)為:Ag –e— =Ag+
C.該裝置可將電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能
D.在外電路中,電子由銀電極流向銅電極
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
等體積等物質(zhì)的量濃度的下列溶液與足量的鋁充分反應(yīng),相同條件下,放出氫氣的體積最大的是
A.氫氧化鈉溶液 B.稀硫酸 C.鹽酸 D.稀硝酸
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、B、C、D、E屬于短周期元素,原子序數(shù)依次增大,已知A 與E同主族,B、C、D、E同周期,A與B可形成兩種離子化合物甲和乙,在甲中A、B 離子的電子層結(jié)構(gòu)相同;C的簡(jiǎn)單離子半徑是同周期所有離子中最小的,高純度的D單質(zhì)可制造芯片;又知 C、D的單質(zhì)都能與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)。
(1)寫出: A D (元素符號(hào)),乙 (化學(xué)式)。
(2)E元素在周期表中的位置是第 周期,第 族。
(3)畫出B的原子結(jié)構(gòu)示意圖 ;
(4)C單質(zhì)與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式 ;
(5)舉出C單質(zhì)在工業(yè)上的一種重要用途(必須用化學(xué)方程式表示) 。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
CO2、BF3、CCl4都是非極性分子,NH3、H2S都是極性分子,由此推出ABn型分子是非極性分子的經(jīng)驗(yàn)規(guī)律,正確的是( )
A.所有原子在同一平面內(nèi) B.分子中不含有氫原子
C.A的化合價(jià)的數(shù)值等于其最外層電子數(shù) D.分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法中不正確的是 ( 。
A.在NaCl晶體(圖甲)中,距Na+最近的Cl-形成正八面體
B.該氣態(tài)團(tuán)簇分子(圖乙)的分子式為E4F4或F4E4
C.在SiO2晶體(圖丙)中,1molSi原子最多可形成4molSi-O鍵
D.單質(zhì)鋅采取六方最密堆積(圖。湮粩(shù)為8
甲 乙 丙 丁
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
某金屬晶體M有兩種堆積形式,如下圖甲和乙,在T℃以上時(shí)甲可以轉(zhuǎn)變?yōu)橐,這兩種結(jié)構(gòu)中最鄰近的原子間距離相同。
甲 乙
(1)乙的堆積方式稱為 堆積;
甲和乙兩種堆積方式中配位數(shù)之比為 ,晶胞邊長(zhǎng)之比為 。
(2)在T℃以下測(cè)定該金屬晶體有關(guān)性質(zhì)參數(shù)如下表所示。已知原子化熱指1mol金屬由固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)原子時(shí)所需要吸收的熱量,是衡量金屬鍵強(qiáng)弱的物理量。
金屬 | 相對(duì)原子質(zhì)量 | 密度/g·㎝-3 | 原子化熱/kJ·mol-1 |
Na | 22. 99 | 0. 960 | 108. 4 |
M | 60. 20 | 7. 407 | 7735 |
預(yù)測(cè)該金屬的熔點(diǎn)比Na (填“高”或“低”),由上述數(shù)據(jù)可計(jì)算M原子的原子半徑為 pm。
(已知,7. 407≈,1pm=10m)
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
Al3+、Al(OH)3、[Al(OH)4]-之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系
寫出上述轉(zhuǎn)化的離子方程式。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
按電子排布,可把周期表里的元素劃分成5個(gè)區(qū),以下元素屬于p區(qū)的是( )
A、Fe B、Mg C、P D、La
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