下面的排序不正確的是
A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4
B.硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅
C.熱穩(wěn)定性:HI>HBr>HCl>HF
D. 晶格能由大到小: NaF> NaCl> NaBr>NaI
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、電負(fù)性的大。篊l>S>Al>Mg | B、硬度由大到。航饎偸咎蓟瑁揪w硅 | C、熔點(diǎn)由高到低:石英>食鹽>干冰>鈉 | D、晶格能由大到小:NaF>NaCl>NaBr>NaI |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
下面的排序不正確的是
A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CCI4
B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅
C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al
D.晶格能由大到小:NaF> NaCl> NaBr>NaI
【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體,其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),碳原子比較小于硅原子半徑,所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體,金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān),陽(yáng)離子半徑越小,電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),所以熔點(diǎn)由高到低是Na<Mg<Al,C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體,形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以D是正確的。答案選C。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下面的排序不正確的是
A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CCI4
B.硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅
C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al
D.晶格能由大到。篘aF> NaCl> NaBr>NaI
【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體,其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),碳原子比較小于硅原子半徑,所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體,金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān),陽(yáng)離子半徑越小,電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),所以熔點(diǎn)由高到低是Na<Mg<Al,C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體,形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以D是正確的。答案選C。
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