（06年天津卷）某溫度下，體積一定的密閉容器中進行如下可逆反應：

X(g)＋Y(g)Z(g)＋W(s)：△H＞0

下列敘述正確的是（）

A  加入少量W，逆反應速率增大    B  當容器中氣體壓強不變時，反應達到平衡

C  升高溫度，平衡逆向移動        D  平衡后加入X，上述反應的△H增大

 

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：物理教研室 題型：013

（2003年天津高考理綜卷）某溫度下，在一容積可變的容器中，反應2A（g）＋B（g）

?2C（g）達到平衡時，A、B和C的物質的量分別為4mol、2mol和4mol。保持溫度和壓強不變，對平衡混合物中三者的物質的量作如下調整，可使平衡右移的是

(  )

A. 均減半

B. 均加倍

C. 均增加1mol

D. 均減少1mol

 

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科目：高中化學 來源： 題型：

（08年山東卷）某溫度時，BaSO4在水中的沉淀溶解平衡曲線如圖所示。下列說法正確的是（   ）

A．加入Na2SO4可以使溶液由a點變到b點

B．通過蒸發(fā)可以使溶液由d點變到c點

C．d點無BaSO4沉淀生成

D．a(chǎn)點對應的Kap大于c點對應的Kap

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科目：高中化學 來源： 題型：

（06年天津卷）（19分）晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl3：Si＋3HClSiHCl3＋H2

③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應制得純硅

已知SiHCl3，能與H2O強烈反應，在空氣中易自燃。

請回答下列問題：

（1）第①步制備粗硅的化學反應方程式為           。

（2）粗硅與HCl反映完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點57.6℃）和HCl（沸點－84.7℃），提純SiHCl3采用的方法為              。

（3）用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是          。裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是           。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是            ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是                 ，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為                 。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及                              。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號）是                     。

a．碘水    b．氯水    c．NaOH溶液    d．KSCN溶液    e．Na2SO3溶液

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科目：高中化學 來源： 題型：

（06年江蘇卷）某化學科研小組研究在其他條件不變時，改變某一條件對化學平衡的影響，得到如下變化規(guī)律（圖中P表示壓強，T表示溫度，n表示物質的量）：

根據(jù)以上規(guī)律判斷，下列結論正確的是（）

A．反應Ⅰ：△H＞0，P2＞P1

B．反應Ⅱ：△H＜0，T1＞T2

C．反應Ⅲ：△H＞0，T2＞T1；或△H＜0，T2＜T1

D．反應Ⅳ：△H＜0，T2＞T1

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