有關(guān)晶體的下列說(shuō)法中不正確的是( 。

 

A.

在NaCl晶體中,距Na+最近的Cl形成正八面體

 

B.

在NaCl晶體中,每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na+

 

C.

在CsCl晶體中,每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs+

 

D.

銅晶體為面心立方堆積,銅原子的配位數(shù)(距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù))為12

 


考點(diǎn):

離子晶體;金屬晶體的基本堆積模型.

專(zhuān)題:

化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu).

分析:

A.氯化鈉晶體中,鈉離子的配位數(shù)是6,6個(gè)氯離子形成正八面體結(jié)構(gòu);

B.利用均攤法計(jì)算每個(gè)晶胞含有的鈉離子個(gè)數(shù);

C.利用均攤法計(jì)算每個(gè)晶胞中含有的銫離子個(gè)數(shù);

D.銅晶體是面心立方堆積,采用沿X、Y、Z三軸切割的方法確定其配位數(shù).

解答:

解:A.氯化鈉晶體中,距Na+最近的Cl是6個(gè),即鈉離子的配位數(shù)是6,6個(gè)氯離子形成正八面體結(jié)構(gòu),故A正確;

B.在NaCl晶體中,每個(gè)晶胞平均占有的Na+個(gè)數(shù)=1+12×=4,故B正確;

C.在CsCl晶體中,銫離子在晶胞的體心上,所以每個(gè)晶胞平均占有Cs+個(gè)數(shù)是1,故C錯(cuò)誤;

D.銅晶體是面心立方堆積,采用沿X、Y、Z三軸切割的方法知,每個(gè)平面上銅原子的配位數(shù)是4,三個(gè)面共有4×3=12個(gè)銅原子,所以每個(gè)銅原子的配位數(shù)是12,故D正確;

故選C.

點(diǎn)評(píng):

本題考查了晶體的結(jié)構(gòu),難度較大,具有豐富的空間想象能力是解本題的關(guān)鍵,易錯(cuò)選項(xiàng)是D,采用沿X、Y、Z三軸切割的方法即可確定其配位數(shù).

  

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


下列物質(zhì)的水溶液能導(dǎo)電,但屬于非電

解質(zhì)的是              (    )

A.HCl            B. Cl2           C. NaHCO3        D. CO2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


在標(biāo)準(zhǔn)狀況下①6.72L CH4  ②3.01×1023個(gè)HCl分子 ③13.6g

H2S ④0.2mol NH3,下列對(duì)這四種氣體的關(guān)系從大到小表達(dá)正確的是(  )

 a.體積②>③>①>④b.密度②>③>④>①

 c.質(zhì)量②>③>①>④d.氫原子個(gè)數(shù)①>③>④>②

   A.a(chǎn)bc          B. bcd             C. abcd            D. acd

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)的比較順序中,不正確的是( 。

 

A.

熱穩(wěn)定性:NH3>PH3>SiH4

 

B.

微粒半徑:K+>Na+>Mg2+>Al3+

 

C.

氫鍵的作用能F﹣H…F>O﹣H…O>N﹣H…N

 

D.

電負(fù)性:F>N>O>C

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


關(guān)于幾種分子中的化學(xué)鍵描述不正確的是( 。

 

A.

苯每個(gè)碳原子的未參加雜化的2p軌道形成大π鍵

 

B.

CH4中的4個(gè)C﹣H鍵都是H的1s軌道與C的2p軌道形成的s﹣p σ鍵

 

C.

C2H4中,每個(gè)碳原子的sp2雜化軌道形成σ鍵、未雜化的2p軌道形成π鍵

 

D.

H2分子中存在s﹣s σ鍵

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


A、B都是短周期元素,原子最外層電子排布式分別為(n+1)sx、nsx+1npx+3.A與B可形成化合物D.D溶于水時(shí)有氣體逸出,該氣體能使帶火星的木條復(fù)燃.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)比較電離能:I1(A)  I1(B)(填“>”或“<”,下同),比較電負(fù)性:A  B.

(2)通常A元素的化合價(jià)是 ,對(duì)A元素呈現(xiàn)這種價(jià)態(tài)進(jìn)行解釋?zhuān)?/p>

①用原子結(jié)構(gòu)的觀(guān)點(diǎn)進(jìn)行解釋?zhuān)?u>  .

②用電離能的觀(guān)點(diǎn)進(jìn)行解釋?zhuān)?u>  .

③寫(xiě)出D跟水反應(yīng)的離子方程式: 

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


下列四種裝置(電解質(zhì)溶液皆為海水)中的鐵電極腐蝕速率從快到慢順序?yàn)椋ā 。?/p>

 

A.

②③④①

B.

②③①④

C.

①④③②

D.

①②③④

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


某研究性學(xué)習(xí)小組為了探究醋酸的電離情況,進(jìn)行了如下實(shí)驗(yàn).

實(shí)驗(yàn)一配制一定濃度的醋酸溶液

(1)取冰醋酸配制250mL0.2mol/L的醋酸溶液,用0.2mol/L的醋酸溶液稀釋成所需濃度的溶液,配制250mL 0.2mol/L醋酸溶液時(shí)需要用到的玻璃儀器有量筒、燒杯、玻璃棒、    

實(shí)驗(yàn)二 探究濃度對(duì)醋酸電離程度的影響

測(cè)定25℃時(shí)不同濃度的醋酸的pH,結(jié)果如下:

醋酸濃度(mol•L﹣1

0.0010

0.100

0.0200

0.1000

0.2000

pH

3.88

3.38

3.23

2.88

2.73

(2)表中數(shù)據(jù)是利用  (填儀器名稱(chēng))測(cè)得的,根據(jù)表中數(shù)據(jù),可以得出醋酸是  (填“強(qiáng)電解質(zhì)”或“弱電解質(zhì)”),你得出此結(jié)論的依據(jù)是  

(3)已知10﹣2.73=1.86×10﹣3,利用此數(shù)據(jù)可以求得0.2000mol•L﹣1醋酸溶液的電離度α=  

(4)用水稀釋冰醋酸,電導(dǎo)率隨加入水量的變化如右圖所示A、B、C三點(diǎn)的電離度由大到小排列:  

實(shí)驗(yàn)三 探究  對(duì)醋酸電離程度的影響

某同學(xué)利用傳感器技術(shù)(如右下圖),將20mL,0.1mol/L醋酸溶液放置在可加熱磁力攪拌器上,并用pH傳感器測(cè)量溶液的pH,利用電腦處理實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)并作圖(如下圖)

(5)由數(shù)據(jù)處理結(jié)果可以得到的結(jié)論是  

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


氨氣分子空間構(gòu)型是三角錐形,而甲烷是正四面體形,這是因?yàn)椋ā 。?/p>

 

A.

兩種分子的中心原子雜化軌道類(lèi)型不同,NH3為sp2型雜化,而CH4是sp3型雜化

 

B.

NH3分子中有一對(duì)未成鍵的孤對(duì)電子,它對(duì)成鍵電子的排斥作用較強(qiáng)

 

C.

NH3分子中N原子形成三個(gè)雜化軌道,CH4分子中C原子形成4個(gè)雜化軌道

 

D.

氨氣分子是極性分子而甲烷是非極性分子

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