【題目】下列說(shuō)法正確的是:( )

①Cl的結(jié)構(gòu)示意圖

羥基的電子式:

③HClO的結(jié)構(gòu)式:H—Cl—O

④NaHCO3在水中的電離方程式:NaHCO3=NaHCO32-

⑤Na2O的水溶液能導(dǎo)電,這不能說(shuō)明Na2O是電解質(zhì)

⑥SiO2既能與氫氟酸反應(yīng)又能與NaOH溶液反應(yīng),故SiO2是兩性氧化物;

分餾、干餾、裂化都是化學(xué)變化( )

A. ①②⑤ B. ①④⑥⑦ C. ②③④⑥ D. ②③⑤⑥⑦

【答案】A

【解析】試題分析:氯離子的核內(nèi)有17個(gè)質(zhì)子,核外有18個(gè)電子,正確;羥基的電子式,正確;③HClO的結(jié)構(gòu)式:H—O—Cl,錯(cuò)誤;④NaHCO3在水中的電離方程式:NaHCO3NaHCO3-,錯(cuò)誤;⑤Na2O的水溶液能導(dǎo)電,這不能說(shuō)明Na2O是電解質(zhì),只有熔融的Na2O導(dǎo)電才可以說(shuō)明,正確;⑥SiO2既能與氫氟酸反應(yīng)又能與NaOH溶液反應(yīng),但SiO2不是兩性氧化物,錯(cuò)誤;分餾是物理變化,錯(cuò)誤,答案選A。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

【題目】根據(jù)下列實(shí)驗(yàn)操作和現(xiàn)象所得出的結(jié)論正確的是

選項(xiàng)

實(shí)驗(yàn)操作和現(xiàn)象

結(jié)論

A

向苯酚濁液中滴加Na2CO3溶液,濁液變清

苯酚的酸性強(qiáng)于H2CO3的酸性

B

向碘水中加入等體積CCl4,振蕩后靜置,上層接近無(wú)色,下層顯紫紅色

I2CCl4中的溶解度大于在水中的溶解度

C

CuSO4溶液中加入鐵粉,有紅色固體析出

Fe2+的氧化性強(qiáng)于Cu2+的氧化性

D

NaCl、NaI的混合稀溶液中滴入少量稀AgNO3溶液,有黃色沉淀生成

Ksp(AgCl) >Ksp(AgI)

A. A B. B C. C D. D

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

【題目】漢黃芩素是傳統(tǒng)中草藥黃芩的有效成分之一,對(duì)腫瘤細(xì)胞的殺傷有獨(dú)特作用。下列有關(guān)漢黃芩素的敘述正確的是( )

A. 漢黃芩素的分子式為C16H13O5

B. 該物質(zhì)遇FeCl3溶液不顯色

C. 1 mol該物質(zhì)與溴水反應(yīng),最多消耗2 mol Br2

D. 與足量H2發(fā)生加成反應(yīng)后,該分子中官能團(tuán)的種類(lèi)減少1種

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

【題目】已知有以下物質(zhì)相互轉(zhuǎn)化:

試回答

(1)寫(xiě)出C的化學(xué)式____________;

(2)A與水蒸氣反應(yīng)方程式為:__________________________

(3)寫(xiě)出由E轉(zhuǎn)變成F的化學(xué)方程式_______________________;

(4)鑒別G溶液中陽(yáng)離子的方法是:____________________,現(xiàn)象為:________;用G溶液可以腐蝕銅印刷電路板,離子反應(yīng)方程式為___________________________;

(5)金屬鋁與A的氧化物可用來(lái)焊接火車(chē)鐵軌,實(shí)驗(yàn)室中該反應(yīng)所需藥品有_____________

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

【題目】下列關(guān)于常見(jiàn)有機(jī)物的說(shuō)法中正確的是(  )

①棉花、蠶絲和聚乙烯的主要成分都是纖維素

②甲烷、乙醇和乙酸在一定條件下都能發(fā)生取代反應(yīng)

③等質(zhì)量的乙烷、乙烯、苯充分燃燒,消耗氧氣的量由多到少

④除去乙酸乙酯中殘留的乙酸,加過(guò)量飽和Na2CO3溶液振蕩后,靜置分液

⑤乙酸乙酯和植物油均可水解生成乙醇

⑥乙烯、苯、乙醇、油脂都能使酸性KMnO4溶液褪色

A. ①⑤⑥ B. ②③④ C. ①②③ D. ②④⑤

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

【題目】現(xiàn)有部分元素的原子結(jié)構(gòu)特點(diǎn)如表:

X

L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的3

Y

核外電子層數(shù)等于原子序數(shù)

Z

L層電子數(shù)是K層和M層電子數(shù)之和

W

最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2.5

(1)畫(huà)出W原子結(jié)構(gòu)示意圖________________________

(2)元素X與元素Z相比,非金屬性較強(qiáng)的是________(填元素名稱(chēng)),寫(xiě)出一個(gè)能表示X、Z非金屬性強(qiáng)弱關(guān)系的化學(xué)反應(yīng)方程式:________________________________________

(3)X、Y、Z、W四種元素形成的一種離子化合物,其水溶液顯強(qiáng)酸性,該化合物的化學(xué)式為____________________。

(4)元素X和元素Y以原子個(gè)數(shù)比11化合形成的化合物Q,寫(xiě)出Q的電子式________元素W和元素Y化合形成的化合物M,QM的電子總數(shù)相等。以M為燃料,Q為氧化劑,可作火箭推進(jìn)劑,最終生成無(wú)毒的、且在自然界中穩(wěn)定存在的物質(zhì),寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:____________________________________。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

【題目】在托盤(pán)天平的兩盤(pán)上,分別放有兩個(gè)質(zhì)量相同的燒杯,各盛有6 mol·L1HCl 100 mL,使天平達(dá)到平衡。分別向兩燒杯中加入不超過(guò)5 g 的鎂和鋁,若要使其充分反應(yīng)后天平仍保持平衡,則加入的鎂與鋁的質(zhì)量之比為(  )

A. 11 B. 2427 C. 129 D. 3233

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

【題目】下列關(guān)于價(jià)層電子對(duì)互斥模型(VSEPR模型)的敘述中不正確的是

A. VSEPR模型可用來(lái)預(yù)測(cè)分子的立體結(jié)構(gòu)

B. 分子中價(jià)電子對(duì)相互排斥決定了分子的空間結(jié)構(gòu)

C. 中心原子上的孤電子對(duì)不參與互相排斥

D. 分子中鍵角越大,價(jià)電子對(duì)相互排斥力越小,分子越穩(wěn)定

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

【題目】單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450-500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅接觸水會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng);

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表:

物質(zhì)

SiCl4

BC13

A1C13

FeCl3

PCl5

沸點(diǎn)/℃

57.7

12.8

315

熔點(diǎn)/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)寫(xiě)出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:___________,D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式___________

(2)A中g(shù)管的作用是__________________,裝置C中的試劑是___________,作用是___________。

(3)裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是______________________

(4)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾(類(lèi)似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是___________(填寫(xiě)元素符號(hào))。

(5)過(guò)量的氯氣可以用石灰乳來(lái)處理,請(qǐng)寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式_____________________。

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