等物質(zhì)的量的下列化合物在相應(yīng)條件下完全分解后得到氧氣最多的是
A.KClO3(加MnO2催化劑,加熱) B.KMnO4(加熱)
C.H2O2(水溶液,加MnO2催化劑) D.HgO(加熱)
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
向盛有KI溶液的試管中加入少許CCl4后滴加氯水,CCl4層變成紫色。如果繼續(xù)向試管中滴加氯水,振蕩,CCl4層會逐漸變淺,最后變成無色。
完成下列填空:
1)寫出并配平CCl4層由紫色變成無色的化學(xué)反應(yīng)方程式(如果系數(shù)是1,不用填寫):
2)整個過程中的還原劑是 。
3)把KI換成KBr,則CCl4層變?yōu)開_色:繼續(xù)滴加氯水,CCl4層的顏色沒有變化。Cl2、HIO3、HBrO3氧化性由強到弱的順序是 。
4)加碘鹽中含碘量為20mg~50mg/kg。制取加碘鹽(含KIO3的食鹽)1000kg,若莊Kl與Cl2反應(yīng)制KIO3,至少需要消耗Cl2 L(標(biāo)準(zhǔn)狀況,保留2位小數(shù))。
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用括號中的試劑和方法除去各組物質(zhì)中的少量雜質(zhì),正確的是( )
A.苯中的甲苯(酸化高錳酸鉀溶液 分液)
B.乙醇中的水(無水硫酸銅 干燥)
C.乙醇中的乙酸(NaOH溶液 分液)
D.溴乙烷中的乙醇(水 分液)
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硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。
②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________;H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是_________________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是__________________(填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。
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下列實驗現(xiàn)象的描述錯誤的是
A. 氫氣在氯氣中燃燒生成綠色煙霧
B. 紅熱的鐵絲在氧氣中燃燒,火星四射,生成黑色固體顆粒
C. 點燃的硫在氧氣中劇烈燃燒,發(fā)出藍紫色火焰
D.鈉在空氣中燃燒,發(fā)出黃色的火焰,生成淡黃色固體
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將空氣中氮氣轉(zhuǎn)化成氮的化合物的過程稱為固氮。下圖中能實現(xiàn)人工固氮的是( )。
A.閃電 B.電解飽和食鹽水車間
C.根瘤 D.合成氨車間
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下圖中各物質(zhì)均由常見元素(原子序數(shù)≤20)組成。已知A、B、K為單質(zhì),且在常溫下A和K為氣體,B為固體。D為常見的無色液體。I是一種常用的化肥,在其水溶液中滴加AgNO3溶液有不溶于稀HNO3的白色沉淀產(chǎn)生。J是一種實驗室常用的干燥劑。它們的相互轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示(圖中反應(yīng)條件未列出)。請回答下列問題:
(1)I的化學(xué)式為 ;J的電子式為 。
(2)反應(yīng)①的化學(xué)方程式為 。
(3)F的水溶液與氯氣反應(yīng)的離子方程式為 。
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閃電時空氣中有臭氧生成。下列說法中正確的是
A.O3和O2互為同位素
B.O2比O3穩(wěn)定
C.等體積O3和O2含有相同質(zhì)子數(shù)
D.O3與O2的相互轉(zhuǎn)變是物理變化
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下列有關(guān)微粒之間關(guān)系和特征描述正確的是( )。
選項 | 微粒 | 相互關(guān)系 | 特征描述 |
A | C60、C70、C540 | 同位素 | 微粒中只含非極性共價鍵 |
B | 新戊烷、2,2-二甲基丙烷 | 同分異構(gòu)體 | 常溫常壓下呈氣態(tài) |
C | Pt、Pt | 同素異形體 | 鉑作氨催化氧化時的催化劑 |
D | 甲酸、硬脂酸 | 同系物 | 能發(fā)生酯化反應(yīng) |
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