ZnS型晶體，一個(gè)晶胞中實(shí)際擁有S2-為____個(gè)，Zn2+為_____個(gè)，符合ZnS型的離子晶體有
_________。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問題：

（1）S單質(zhì)的常見形式是S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
O＞S＞Se
O＞S＞Se
；
（3）Se的原子序數(shù)為
34
34
，其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10
；
（4）H2Se的酸性比 H2S
強(qiáng)
強(qiáng)
（填“強(qiáng)”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
，
SO
2-
3
離子的立體構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
；
（5）H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4的第一步幾乎完全電離，K2是1.2×10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因：
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，正電性更高．導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，正電性更高．導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
．
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛．立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm，密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3（列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
pm（列式表示）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

    VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題：

    (1)S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

    (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____；

    (3)Se原子序數(shù)為______，其核外M層電子的排布式為______；

    (4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形，SO32－離子的立體構(gòu)型為______三角錐形；

    (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10－3和2.5×10－8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

    ①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：__________；

    第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；

    ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：______；

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為____________(列式并計(jì)算)，a位置S2－離子與b位置Zn2＋離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013-2014學(xué)年江西省贛州市高三上學(xué)期期末聯(lián)考理綜化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題：

（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____；

（3）Se原子序數(shù)為______，其核外M層電子的排布式為______；

（4）H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形，SO32－離子的立體構(gòu)型為______三角錐形；

（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10－3和2.5×10－8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：                    ；第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；

②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：______；

（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為____________(列式并計(jì)算)，a位置S2－離子與b位置Zn2＋離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

 

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012年全國(guó)統(tǒng)一高考化學(xué)試卷（新課標(biāo)Ⅱ卷）（解析版） 題型：填空題

ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問題：

（1）S單質(zhì)的常見形式是S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是    ；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>    ；
（3）Se的原子序數(shù)為    ，其核外M層電子的排布式為    ；
（4）H2Se的酸性比 H2S    （填“強(qiáng)”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為    ，離子的立體構(gòu)型為    ；
（5）H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4的第一步幾乎完全電離，K2是1.2×10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因：    ；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：    ．
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛．立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm，密度為    g?cm-3（列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為    pm（列式表示）

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