分析 (1)該晶胞中陰離子個數(shù)8、陽離子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,則陰陽離子個數(shù)比=8:4=2:1,若A和B的核外電子排布與Ar相同,則A為Ca元素、B為Cl元素;
(2)根據(jù)圖知,每個陽離子的配位數(shù)是8、每個陰離子的配位數(shù)是4;
(3)離子晶體熔沸點與晶格能成正比,晶格能與電荷成正比,與離子半徑成反比;
(4)A的離子半徑為r m,每個面上處于對角線上的3個陽離子緊鄰,則晶胞棱長=$\sqrt{\frac{(4r)^{2}}{2}}$m=2$\sqrt{2}$rm,據(jù)此計算晶胞體積.
解答 解:(1)該晶胞中陰離子個數(shù)8、陽離子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,則陰陽離子個數(shù)比=8:4=2:1,若A和B的核外電子排布與Ar相同,則A為Ca元素、B為Cl元素,該物質(zhì)化學式為CaCl2,故答案為:CaCl2;
(2)根據(jù)圖知,每個陽離子的配位數(shù)是8、每個陰離子的配位數(shù)是4,故答案為:8;4;
(3)離子晶體熔沸點與晶格能成正比,晶格能與電荷成正比,與離子半徑成反比,MgO中氧離子電荷數(shù)大于氯化鈣中氯離子,且原子半徑鎂離子小于鈣離子、氧離子小于氯離子,所以MgO晶格能大于CaCl2,則MgO熔沸點較高,故答案為:MgO中晶格能大;
(4)A的離子半徑為r m,每個面上處于對角線上的3個陽離子緊鄰,則晶胞棱長=$\sqrt{\frac{(4r)^{2}}{2}}$m=2$\sqrt{2}$rm,晶胞體積=(2$\sqrt{2}$rm)3=16$\sqrt{2}$r3 m3,
故答案為:16$\sqrt{2}$r3.
點評 本題考查晶胞計算,為高頻考點,側重考查學生分析、判斷及空間想象能力,明確晶胞中哪些原子緊鄰、離子晶體熔沸點影響因素等知識點是解本題關鍵,難點是(4)題計算,題目難度中等.
科目:高中化學 來源: 題型:多選題
A. | 實驗室中完成反應③應在坩堝中進行 | |
B. | 反應②產(chǎn)生的陰離子主要為CO32- | |
C. | 流程中涉及的反應均為非氧化還原反應 | |
D. | 反應④的產(chǎn)物除了Al,還有O2 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 2FeCO3(s)+O2(g)=Fe2O3(s)+2CO2(g)△H=-130 KJ/mol | |
B. | 4 FeCO3(s)+O2(g)=2Fe2O3(s)+4CO2(g)△H=+260 KJ/mol | |
C. | 4 FeCO3(s)+O2(g)=2Fe2O3(s)+4CO2(g)△H=-260 KJ/mol | |
D. | 4 FeCO3(s)+O2(g)=2Fe2O3(s)+4CO2(g)△H=+130 KJ/mol |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
時間(min) | 0 | 5 | 10 | 15 | 20 |
c(CO2)(mol/L) | 0.00 | 0.02 | 0.03 | 0.03 | 0.03 |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 用澄清的石灰水可鑒別NaHCO3和Na2CO3 | |
B. | 工業(yè)生產(chǎn)上向母液中加石灰乳使Mg2+轉(zhuǎn)化為Mg(OH)2沉淀 | |
C. | 在第③、④、⑤步驟中,溴元素均被氧化 | |
D. | 工業(yè)上通過電解飽和MgCl2溶液制取金屬鎂 |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 用物質(zhì)A表示的平均反應速率為0.3mol/(L•s) | |
B. | 用物質(zhì)B表示的平均反應速率為0.6mol/(L•s) | |
C. | 2 s時物質(zhì)A的轉(zhuǎn)化率為70% | |
D. | 2 s時物質(zhì)B的濃度為0.5mol•L-1 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | SiO2和CO2一樣能夠與NaOH溶液反應 | |
B. | 硅的導電性能介于金屬和絕緣體之間,是良好的半導體材料 | |
C. | 硅酸是一種比碳酸還弱的酸 | |
D. | 硅的化學性質(zhì)不活潑,常溫下不與任何物質(zhì)反應 |
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