下面的排序不正確的是


  1. A.
    晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4< CCl4< CBr4< Cl4
  2. B.
    硬度由大到�。航饎偸� > 碳化硅 > 晶體硅
  3. C.
    熔點(diǎn)由高到低：Na > Mg > Al
  4. D.
    晶體的熔點(diǎn)高低規(guī)律一般有：原子晶體 > 離子晶體 > 分子晶體
C
A中都是分子晶體，熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)系，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，A正確；B中都是原子晶體，硬度與共價(jià)鍵強(qiáng)弱有關(guān)系，形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，鍵越強(qiáng)，所以B正確；C中都是金屬晶體，熔點(diǎn)和金屬鍵強(qiáng)弱有關(guān)系，形成金屬鍵的金屬陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，所以C不正確，應(yīng)該是Na ＜ Mg ＜Al；D正確，所以答案選C。
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　　）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　�。�
A、電負(fù)性的大�。篊l＞S＞Al＞MgB、硬度由大到�。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C、熔點(diǎn)由高到低：石英＞食鹽＞干冰＞鈉D、晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是

     A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

     C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al

     D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

下面的排序不正確的是

     A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

     C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al

     D．晶格能由大到小：NaF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。

 

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