15．2015年10月，屠喲喲因發(fā)現(xiàn)青篙素和雙氫青篙素獲諾貝爾生理學(xué)或醫(yī)學(xué)獎，已知青蒿素的化學(xué)式為C15H22O5，則1mol青蒿素中氫原子的物質(zhì)的量為（　　）
A．1molB．15molC．22molD．5mol

分析 化學(xué)式為C15H22O5，1個分子中含15個H，以此來解答．

解答 解：化學(xué)式為C15H22O5，1個分子中含15個H，則1mol青蒿素中氫原子的物質(zhì)的量為15mol，
故選B．

點評 本題考查有機(jī)物的官能團(tuán)與結(jié)構(gòu)，為高頻考點，把握有機(jī)物分子的構(gòu)成為解答的關(guān)鍵，側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查，注意分子的構(gòu)成，題目難度不大．

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

13．下列實驗操作中正確的是（　　）
A．蒸餾時，當(dāng)燒瓶中液體出現(xiàn)暴沸時，要立即添加碎瓷片
B．蒸發(fā)操作時，應(yīng)使溶液蒸發(fā)至干，以保證得到的固體中沒有任何水分
C．分液操作時，分液漏斗中下層液體先從下口放出，再讓上層液體從上口倒出
D．萃取操作時，應(yīng)選擇有機(jī)萃取劑，且萃取劑的密度必須比水大

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

6．下列排列順序正確的是（　　）
A．熱穩(wěn)定性：HBr＜HCl＜HFB．原子半徑：I＜Br＜Cl
C．酸性：HClO4＜HBrO4＜HIO4D．非金屬性：F＜Cl＜Br

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

3．2SO2（g）+O2（g）=2SO3（g） 反應(yīng)過程的能量變化如圖所示．已知1mol SO2（g）氧化為1mol SO3（g）的△H=-99kJ•mol-1．請回答下列問題：
（1）由圖知該反應(yīng)向右方向為放熱（填吸熱或放熱）反應(yīng)，E的大小對該反應(yīng)的反應(yīng)熱無（填有或無）無影響？該反應(yīng)通常用V2O5作催化劑，加V2O5會使圖中B點降低（填升高或降低）？
（2）圖中△H=-198 kJ•mol-1；
（3）已知單質(zhì)硫的燃燒熱為296kJ•mo l-1，寫出由S（s）生成SO3（g）的熱化學(xué)方程式S（s）+3/2O2（g）=SO3（g）△H=-395kJ•mol-1．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

10．溫度為t℃時，在10mL1.0mol/L的鹽酸中，逐滴滴入xmol/L的氨水，隨著氨水遂漸加入，溶液中的溫度變化曲線（曲線I）和pH變化曲線（曲線II）如圖所示（忽略混合時溶液體積的變化）．下列有關(guān)判斷正確的是（　�。�
A．c點時，c（NH3•H2O）=1.0mol•L-1B．a點時，水的電離程度最大
C．b點時，c（NH4+）＞c（Cl-）＞c（H+）＞c（OH-）D．c點時，c（NH3•H2O）=$\frac{x-1}{2}$mol•L-1

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：推斷題

20．X、Y、Z三種物質(zhì)有如下的轉(zhuǎn)化關(guān)系：

試推斷：
（1）X、Z的化學(xué)式分別為：XCuSO4，ZCuCl2．
（2）試劑甲為BaCl2溶液．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

7．下列化學(xué)用語表達(dá)不正確的是（　　）
A．乙烯的最簡式：CH2B．S2-的結(jié)構(gòu)示意圖：
C．NH3的結(jié)構(gòu)式：D．HCl的電子式：

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

4．下列關(guān)于膠體的敘述正確的是（　�。�
A．膠體區(qū)別與其他分散系的本質(zhì)特征是分散質(zhì)的粒子直徑在1-100nm之間
B．用平行光照射CuSO4溶液和氫氧化鐵膠體，不可以加以區(qū)分
C．膠體是純凈物
D．樹林中的晨曦，該現(xiàn)象與丁達(dá)爾效應(yīng)無關(guān)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

5．下面是改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的工藝流程．

（1）用惰性電極電解飽和食鹽水，寫出常溫下X與Z反應(yīng)的化學(xué)方程式Cl2+2NaOH=NaCl+NaClO+H2O．
（2）在合成SiHCl3的過程中，還會有生成副產(chǎn)物SiCl4．已知兩物質(zhì)的沸點分別為57.6℃和31.8℃，則提純SiHCl3的方法是蒸餾．
（3）SiHCl3提純后用H2還原：SiHCl3（g）+H2（g）?Si（s）+3HCl（g）．不同溫度及不同$\frac{n（{H}_{2}）}{n（SiHC{l}_{3}）}$時，反應(yīng)物X的平衡轉(zhuǎn)化率關(guān)系如圖圖1所示．

①X是SiHCl3（填“H2”或“SiHCl3”）．
②上述反應(yīng)的平衡常數(shù)K（1150℃）＞K（950℃）（填“＞”、“＜”或“=”）．
（4）SiH4（硅烷）法生產(chǎn)高純多晶硅是非常優(yōu)異的方法．用粗硅作原料，熔融鹽電解法制取硅烷原理如圖2所示，電解時陽極的電極反應(yīng)式為Si+4H--4e-=SiH4↑．

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