下列物質(zhì)的晶體中,化學(xué)鍵類型相同,熔化時(shí)所克服的作用力也完全相同的是 | |
A. |
CO2和SiO2 |
B. |
CO2和KF |
C. |
CH2CH2和NH4Cl |
D. |
KH和KCl |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
元素 | 相關(guān)信息 |
A | A的基態(tài)原子最外層電子排布式為2S22P3 |
B | B是地殼中含量最高的元素 |
C | C+與B的簡(jiǎn)單離子的電子層結(jié)構(gòu)相同 |
D | D的一種核素的質(zhì)量數(shù)為64,中子數(shù)為35 |
E、F | E、F既同周期又同族,且原子序數(shù)F比E多2 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年湖北省高三上學(xué)期12月月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問題。
(1)下圖是石墨的結(jié)構(gòu),其晶體中存在的作用力有 (填序號(hào))
A:σ鍵 B:π鍵 C:氫鍵 D:配位鍵 E:分子間作用力 F:金屬鍵 G:離子鍵
(2) 下面關(guān)于晶體的說法不正確的是___________
A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4
B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅
C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al
D.晶格能由大到小:NaF> NaCl> NaBr>NaI
(3)CaF2結(jié)構(gòu)如圖Ⅰ所示,Cu形成晶體的結(jié)構(gòu)如Ⅲ所示,Ⅱ?yàn)镠3BO3晶體結(jié)構(gòu)圖(層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵結(jié)合)
圖Ⅰ 圖Ⅱ 圖Ⅲ
① 圖I所示的晶體中與Ca2+離子最近且等距離的Ca2+離子數(shù)為 ,
圖III中未標(biāo)號(hào)的Cu原子形成晶體后周圍最緊鄰的Cu原子數(shù)為 ;
② H3BO3晶體中B原子雜化方式______ ; CNO-的形狀為____________;
③ 三種晶體中熔點(diǎn)高低的順序?yàn)?u> (填空化學(xué)式),
H3BO3晶體受熱熔化時(shí),克服的微粒之間的相互作用為
(4) 碳的某種單質(zhì)的晶胞如右圖所示,一個(gè)晶胞中有_____個(gè)碳原子;若該晶體的密度為ρ g/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶體中最近的兩個(gè)碳原子之間的距離為_ ____cm(用代數(shù)式表示)
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科目:高中化學(xué) 來源:2010年四川省綿陽(yáng)市高三第三次診斷性考試(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題
(14分)用A~M分別代表一種物質(zhì),它們之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示(部分生成物略去)。其中A為紫色晶體,B、H、J均為常見的單質(zhì)氣體,單質(zhì)E在濃硝酸中鈍化。
請(qǐng)回答下列問題:
(1)D的化學(xué)式是 ,L由3種元素組成,其電子式是 。
(2)E元素在周期表中的位置是 。工業(yè)上可利用C與E在高溫下反應(yīng)冶煉金屬,該反應(yīng)的化學(xué)方程式是 。
(3)用C與F溶液制H氣體時(shí),發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是 。
(4)用石墨電極電解D的水溶液時(shí),陽(yáng)極的電極反應(yīng)式是 。
(5)在500 mL 0.2 mol/L K物質(zhì)的水溶液中逐滴加入F的水溶液并不斷攪拌,溶液中析出沉淀的質(zhì)量發(fā)生變化,在右圖中畫出沉淀質(zhì)量隨加入F的物質(zhì)的量的變化曲線。
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