X、Y、Z、W、Q、R均為前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大。其相關(guān)信息如下表所示：
X元素的基態(tài)原子中電子分布在三個不同的能級中，且每個能級中的電子總數(shù)相同
Y元素的氣態(tài)氫化物與其最高價氧化物對應(yīng)的水化物能發(fā)生化合反應(yīng)
Z元素的族序數(shù)是其周期數(shù)的三倍
W原子的第一至第六電離能分別為：I1=578KJ·mol-1  I2=1817KJ·mol-1  I3=2745KJ·mol-1 I4=11575KJ·mol-1  I5=14830KJ·mol-1   I6=18376KJ·mol-1
Q為前四周期中電負(fù)性最小的元素
元素R位于周期表的第10列
 
回答下列問題：
（1）Y元素的基態(tài)原子中未成對電子數(shù)為______；X、Y、Z三種元素原子的第一電離能由小到大的順序為____________(用元素符號表示)。
（2）W的氯化物的熔點比Q的氯化物的熔點__________(填“高”或“低”)，理由是__________________________________________________。
（3）光譜證實元素W的單質(zhì)與強堿性溶液反應(yīng)有[W(OH)4]-生成，則[W(OH)4]-中存在(填字母)_____________。
a．極性共價鍵     b．非極性共價鍵     c．配位鍵     d．氫鍵
（4）含有X、R和鎂三種元素的某種晶體具有超導(dǎo)性，其結(jié)構(gòu)如下圖所示。則該晶體的化學(xué)式為       ；晶體中每個鎂原子周圍距離最近的R原子有       個。
（1）3(2分)  C  O  N(2分)
（2）低 (2分)  W的氯化物為分子晶體，Q的氯化物為離子晶體(3分)
（3）ac (2分) （4）MgNi3C (2分)  12(2分)

試題分析：X元素的基態(tài)原子中電子分布在三個不同的能級中，且每個能級中的電子總數(shù)相同，說明是1s22s22p2，就是C，Y元素的氣態(tài)氫化物與其最高價氧化物對應(yīng)的水化物能發(fā)生化合反應(yīng)，是N，Z元素的族序數(shù)是其周期數(shù)的三倍，是O，根據(jù)W的電離能第一、二、三數(shù)據(jù)小確定是Al，Q為前四周期中電負(fù)性最小的元素K，元素R位于周期表的第10列，第四周期，是Ni。（1）N1s22s22p3，未成對電子數(shù)為3，（4）根據(jù)分?jǐn)傇瓌t，可以確定分子式MgNi3C
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

X、Y、Z、R、W均為周期表中前四周期的元素，其原子序數(shù)依次增大；x2－和Y+有相同的核外電子排布；Z的氫化物的沸點比其上一周期同族元素氫化物的沸點低；R的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多；W為金屬元素，X與W形成的某種化合物與Z的氫化物的濃溶液加熱時反應(yīng)可用于實驗室制取Z的氣態(tài)單質(zhì)�；卮鹣铝袉栴}（相關(guān)回答均用元素符號或化學(xué)式表示）：
（1）R的基態(tài)原子的核外電子排布式是＿＿＿＿＿＿＿。
（2）Z的氫化物的沸點比其上一周期同族元素氫化物的沸點低的原因是＿＿＿＿＿＿＿＿。
（3）X與Z中電負(fù)性較大的是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；Z的某種含氧酸鹽常用于實驗室中X的單質(zhì)的制取，此酸根離子的空間構(gòu)型是＿＿＿＿＿，此離子中含有的化學(xué)鍵類型是＿＿＿＿；X一Z一X的鍵角＿＿＿＿＿109． 50。（填“＞”、“＝”或“＜”）
（4）X與Y形成的化合物Y2X的晶胞如圖。其中X離子的配位數(shù)為_______，以相距一個X離子最近的所有Y離子為頂點構(gòu)成的幾何體為       。該化合物與MgO相比，熔點較高的是＿＿＿＿＿。

（5）已知該化合物的晶胞邊長為a pm，則該化合物的密度為＿＿＿＿g/cm3。（列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

現(xiàn)有A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大的六種元素，它們位于元素周期表的前四周期，B元素原子的價層電子總數(shù)是內(nèi)層電子總數(shù)的2倍；D元素原子的L電子層中只有兩對成對電子；E元素與F元素處于同一周期相鄰的族，它們的原子序數(shù)相差3,且E元素的基態(tài)原子有4個未成對電子。請回答下列問題：
(1) E元素基態(tài)原子的核外價層電子排布式為_________。
(2)用元素符號表示B、C、D三種元素的第一電離能由低到高的排序_________。
(3) A元素與B、C元素可形成化合物B2A4、C2A4。
①B2A4的結(jié)構(gòu)式為_________。
②下列有關(guān)C2A4的說法正確的是_________。
a.一個該分子中含有4個σ鍵
b.該分子可作為配位體形成配位鍵
c.該分子是非極性分子    d.1mol該分子最多可形成4mol氫鍵
e.該分子的穩(wěn)定性與氫鍵無關(guān)
f.該分子中C的原子軌道是sp3雜化
(4)B單質(zhì)的一種的晶體結(jié)構(gòu)如圖甲所示，E單質(zhì)的一種的晶體結(jié)構(gòu)如圖乙所示。

則圖中的單質(zhì)B的名稱_________，圖甲中B原子的配位數(shù)與圖乙中E原子的配位數(shù)之_________。
E元素與D元素形成的ED晶體與NaCl晶體一樣，欲比較ED與NaCl的晶格能大小，需考慮的數(shù)據(jù)是_______________________________________________________________________________。
(5)據(jù)最新資料顯示,F單質(zhì)的晶胞可能有多種,若其晶胞分別以六方緊密堆積和面心立方堆積存在時，其單質(zhì)的密度之比為_________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：推斷題

X、Y、Z、Q、W為按原子序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素，已知：
①x元素與Q處于同一主族，其原子價電子排布式都為ns2np2，且x原子半徑小于Q的原子半徑；
②Y元素是地殼中含量最多的元素；w元素的電負(fù)性略小于Y元素；在w原子的電子排布中，P軌道上只有1個未成對電子；
③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見下表(kJ·mol-1)
I1
I2
I3
I4
…
496
4562
6912
9540
…
 
（1）XY2分子空間構(gòu)型為____________________________。QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似，其中X原子的雜化方式為_______________，微粒間存在的作用力是____________。
（2）晶體ZW的熔點比晶體XW4明顯高的原因是______________。
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等，則M為_____(填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是___________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

物質(zhì)的結(jié)構(gòu)是決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素。請回答下列問題：
（1）基態(tài)Ni原子核外電子排布式為____________；第二周期基態(tài)原子未成對電子數(shù)與Ni相同且電負(fù)性最小的元素是_________________。
（2）NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，Ni2+和Fe2+的離子半徑分為0.069nm和0.078nm，則熔點NiO_____________FeO（填“＜”或“＞”）；NiO晶胞中Ni2+的配位數(shù)為____________。
（3）肼可用作火箭燃料，燃燒時發(fā)生的反應(yīng)是：N2O4+2N2H4＝3N2+4H2O，若該反應(yīng)中有4molN—H鍵斷裂，形成的鍵有________mol。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池，第三代就是銅銦鎵硒CIGS（CIS中摻人Ga）等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是___      。
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為   （用元素符號表示）。
（3）H2Se的酸性比H2S____（填“強”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____    。
（4）硅烷（SinH2n+2）的沸點與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是     。

（5）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H3BO3）在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B（OH）4]—而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì)，則[B（OH）4]—中B的原子雜化類型為                  。
（6）金屬Cu單獨與氨水或單獨與過氧化氫都不能反應(yīng)，但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng)，其原因是____，反應(yīng)的離子方程式為            。
（7）一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中，Au原子位于頂點，Cu原子位于面心，則該合金中Au原子與Cu原子個數(shù)之比為     ，若該晶胞的邊長為a pm，則合金的密度為    g·cm-3（已知lpm=10-12m，只要求列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加塞羅常數(shù)為NA）。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

Fe3+可以與SCN-、CN-、F-有機分子等形成很多的配合物。
（1）寫出基態(tài)Fe3+的核外電子排布式   。
（2）CN-中碳原子的雜化方式為   。
（3）已知(CN)2是直線型分子，并有對稱性，則(CN)2中π鍵和σ鍵的個數(shù)比為   。
（4）寫出一種與SCN-互為等電子體的分子   。（用化學(xué)式表示）
（5）下圖是SCN-與Fe3+形成的一種配合物，畫出該配合物中的配位鍵（以箭頭表示）。

（6）F-不僅可與Fe3+形成[FeF6]3+，還可以與Mg2+、K+形成一種立方晶系的離子晶體（如下圖）。該晶體的化學(xué)式為   。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

[化學(xué)—物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
（1）依據(jù)第2周期元素第一電離能的變化規(guī)律，參照下圖B、F元素的位置，用小黑點標(biāo)出C、N、O三種元素的相對位置。

（2）NF3可由NH3和F2在Cu催化劑存在下反應(yīng)直接得到：4NH3+3F2NF3+3NH4F
①上述化學(xué)方程式中的5種物質(zhì)所屬的晶體類型有_________（填序號）。
a．離子晶體 b．分子晶體 c．原子晶體 d．金屬晶體
②基態(tài)銅原子的核外電子排布式為________。
（3）BF3與一定量水形成(H2O)2·BF3晶體Q，Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R：

①晶體Q中各種微粒間的作用力不涉及___________（填序號）。
a．離子鍵  b．共價鍵  c．配位鍵 d．金屬鍵 e．氫鍵 f．范德華力
②R中陽離子的空間構(gòu)型為_______，陰離子的中心原子軌道采用_______雜化。
（4）已知苯酚()具有弱酸性，其Ka=1.1 ×10-10；水楊酸第一級電離形成的離子能形成分子內(nèi)氫鍵。據(jù)此判斷，相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2(水楊酸)_______Ka(苯酚)（填“>”或“<”），其原因是__________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（12分）第一電離能I1是指氣態(tài)原子X（g）處于基態(tài)時，失去一個電子成為氣態(tài)陽離子X＋（g）所需要的能量。下表是部分元素原子的第一電離能I1：（單位）
H
 
 
 
 
 
 
He
1.3120
 
 
 
 
 
 
0.3723
Li
Be
B
C
N
O
F
Ne
0.5203
0.8995
0.8001
1.0864
1.4023
1.3140
1.6810
2.0807
Na
Mg
Al
Si
P
S
Cl
Ar
0.4958
0.7377
0.5776
0.7865
1.0118
0.9996
1.2511
1.5205
K
Ca
Ga
Ge
As
Se
Br
Kr
0.4189
0.5898
0.5788
 
0.9440
0.9409
1.1399
1.3507
Rb
Sr
In
Sn
Sb
Te
I
Xe
0.4030
0.5495
0.5583
0.7086
0.8316
0.8693
1.0084
1.1704
Cs
Ba
Tl
Pb
Bi
Po
At
 
回答下列問題：
（1）從表中數(shù)據(jù)可知，同一主族元素原子的第一電離能I1變化規(guī)律是　　　　　　　　　　。說明同一主族元素　　　　　　　能力從上到下逐漸增強。
（2）從表中數(shù)據(jù)預(yù)測Ge元素第一電離能I1的最小范圍          。
（3）SiC是原子晶體，其結(jié)構(gòu)類似金剛石，為C、Si兩原子依次相同排列的正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。如圖為兩個中心重合，各面分別平行的兩個正方體，其中心為Si原子，試在小正方體的頂點畫出與Si最近的C（用表示）的位置，在大正方體的棱、頂、面等處畫出相應(yīng)Si（用表示）的位置。

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同步練習(xí)冊答案