Question

（2013?廈門二模）[化學(xué)--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]科技日報(bào)報(bào)道：輝鉬（MoS₂）在納米 電子設(shè)備制造領(lǐng)域比硅或富勒烯 （如C₆₀）更有優(yōu)勢．從不同角度觀察MoS₂的晶體結(jié)構(gòu)見右圖．已知：Mo位于第五周期ⅥB族．

（1）晶體硅中硅原子的軌道雜化類型為

sp³

（2）電負(fù)性：C

＜

S（填“＞”或“＜”）．
（3）晶體硅和MoS₂比較，焙點(diǎn)較高的是

硅晶體

（4）Mo元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為

4d⁵5s¹

．
（5）根據(jù)MoS₂的晶體結(jié)構(gòu)回答：
①每個(gè)Mo原子周圍距離最近的S原子數(shù)目為

6

．
②Mo-S之間的化學(xué)鍵為

AC

（填序號）．
A．極性鍵 B．非極性鍵 C．配位鍵 D．金屬鍵 E．范德華力
③MoS₂納米粒子具有優(yōu)異的潤滑性能，其原因是

MoS₂具有層狀結(jié)構(gòu)，Mo和S同層間以共價(jià)鍵結(jié)合，層與層之間通過范德華力結(jié)合，外力作用層與層易發(fā)生相對滑動

．

Answer 1

分析：（1）根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定其雜化方式，含有4個(gè)共價(jià)鍵的原子采用sp³雜化；
（2）元素的非金屬性越強(qiáng)其電負(fù)性越大；
（3）原子晶體熔點(diǎn)最大；
（4）Mo是42號元素，其原子核外有42個(gè)電子，4d和5s電子為其價(jià)電子；
（5）①根據(jù)右邊圖判斷每個(gè)Mo原子周圍距離最近的S原子數(shù)目；
②提供空軌道和提供孤電子對的原子間易形成配位鍵，配位鍵屬于共價(jià)鍵；
③MoS₂結(jié)構(gòu)和石墨相似，根據(jù)石墨結(jié)構(gòu)分析．

解答：解：（1）晶體硅中每個(gè)硅原子和4個(gè)硅原子能形成4個(gè)共價(jià)鍵，所以每個(gè)硅原子含有4個(gè)σ鍵且不含孤電子對，含有4個(gè)共價(jià)鍵的原子采用sp³雜化，故答案為：sp³；
（2）元素的非金屬性越強(qiáng)其電負(fù)性越大，S元素的非極性大于C元素，所以電負(fù)性：C＜S，故答案為：＜；
（3）硅晶體屬于原子晶體，MoS₂晶體中層與層之間存在分子間作用力，Mo和S原子之間以共價(jià)鍵相連接，所以硅晶體熔點(diǎn)高于MoS₂，故答案為：硅晶體；
（4）Mo是42號元素，其原子核外有42個(gè)電子，4d和5s電子為其價(jià)電子，所以其價(jià)電子排布式為4d⁵5s¹，
故答案為：4d⁵5s¹；
（5）①根據(jù)右邊圖知，每個(gè)Mo原子周圍距離最近的S原子數(shù)目是6，故答案為：6；
②提供空軌道和提供孤電子對的原子間易形成配位鍵，配位鍵屬于共價(jià)鍵，不同元素之間易形成的配位鍵屬于極性共價(jià)鍵，故選AC；
③MoS₂結(jié)構(gòu)和石墨相似，根據(jù)圖片知，MoS₂具有層狀結(jié)構(gòu)，Mo和S同層間以共價(jià)鍵結(jié)合，層與層之間通過范德華力結(jié)合，外力作用層與層易發(fā)生相對滑動，
故答案為：MoS₂具有層狀結(jié)構(gòu)，Mo和S同層間以共價(jià)鍵結(jié)合，層與層之間通過范德華力結(jié)合，外力作用層與層易發(fā)生相對滑動．

點(diǎn)評：本題考查較綜合，涉及知識點(diǎn)較多，根據(jù)價(jià)電子對互斥理論、構(gòu)造原理、電負(fù)性與非金屬性強(qiáng)弱之間的關(guān)系來分析解答，注意采用知識遷移的方法來分析問題，難度中等．