Question

A、B、C、D為短周期元素，A元素的原子價(jià)電子排布為ns²np²，B元素原子的最外層子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，C元素原子的M能層的p能級(jí)有3個(gè)未成對(duì)電子，D元素原子核外的M能層中只有2對(duì)成對(duì)電子．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）當(dāng)n=2時(shí)，AB₂屬于

 

 分子（填“極性”或“非極性”），AH₂B分子中A原子的雜化軌道類型是

 

 雜化，分子中有

 

個(gè)δ鍵、

 

 個(gè)π鍵．
（2）當(dāng)n=3時(shí)，A與B形成的晶體中含有的粒子間的作用為

 

．
（3）若n=3時(shí)，A、C、D三種元素的第一電離能由大到小的順序是

 

（用元素符號(hào)表示）．DB₂分子的VSEPR模型是

 

；DB₂分子的空間構(gòu)型是

 

．
（4）已知銅能形成多種化合物，如硫酸銅的結(jié)構(gòu)如圖所示，請(qǐng)?jiān)趫D中標(biāo)出水合銅離子中的配位鍵．

Answer 1

考點(diǎn)：原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：A、B、C、D為短周期元素，A元素的原子價(jià)電子排布為ns²np²，則A屬于第IVA族元素；
B元素原子的最外層子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，最外層電子數(shù)不超過(guò)8個(gè)，則B是O元素；
C元素原子的M能層的p能級(jí)有3個(gè)未成對(duì)電子，則C是P元素；
D元素原子核外的M能層中只有2對(duì)成對(duì)電子，則D是S元素；
（1）當(dāng)n=2時(shí)，A為C元素，CO₂分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱，其正負(fù)電荷重心重合；CH₂O分子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為HCHO，C原子含有3個(gè)δ鍵、1個(gè)π鍵，據(jù)此判斷C原子雜化方式；
（2）當(dāng)n=3時(shí)，A為Si元素，A與B形成的晶體為SiO₂，屬于原子晶體，非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵；
（3）若n=3時(shí)，A為Si元素，同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定DB₂分子的VSEPR模型、DB₂分子的空間構(gòu)型；
（4）銅離子含有空軌道、水分子中O原子含有孤電子對(duì)，二者形成配位鍵．

解答： 解：A、B、C、D為短周期元素，A元素的原子價(jià)電子排布為ns²np²，則A屬于第IVA族元素；
B元素原子的最外層子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，最外層電子數(shù)不超過(guò)8個(gè)，則B是O元素；
C元素原子的M能層的p能級(jí)有3個(gè)未成對(duì)電子，則C是P元素；
D元素原子核外的M能層中只有2對(duì)成對(duì)電子，則D是S元素；
（1）當(dāng)n=2時(shí)，A為C元素，CO₂分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱，其正負(fù)電荷重心重合，為非極性分子；CH₂O分子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為HCHO，C原子含有3個(gè)δ鍵、1個(gè)π鍵，所以C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3，則C原子采用sp²雜化，故答案為：非極性；sp²；3；1；
（2）當(dāng)n=3時(shí)，A為Si元素，A與B形成的晶體為SiO₂，屬于原子晶體，二氧化硅晶體中Si原子和O原子之間存在共價(jià)鍵，故答案為：共價(jià)鍵；
（3）若n=3時(shí)，A為Si元素，同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以第一電離能大小順序是P＞S＞Si，
SO₂分子中S原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+

1

2

×（6-2×2）=3，且含有一個(gè)孤電子對(duì)，所以二氧化硫的VSEPR模型為三角形，其空間構(gòu)型為V形，故答案為：P＞S＞Si；三角形；V形；
（4）銅離子含有空軌道、水分子中O原子含有孤電子對(duì)，二者形成配位鍵，配位鍵由提供孤電子對(duì)的原子指向提供空軌道的原子，所以其表示方法為：
，
故答案為：．

點(diǎn)評(píng)：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，涉及分子空間構(gòu)型的判斷、配位鍵的表示、第一電離能大小比較等知識(shí)點(diǎn)，這些都是考試高頻點(diǎn)，注意VSEPR模型、分子空間構(gòu)型的區(qū)別及配位鍵的表示方法，關(guān)鍵是配位鍵箭頭方向，為易錯(cuò)點(diǎn)．