太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的價電子排布式表示為                   。

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為             (用元素符號表示)。

(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì)。

①[B(OH)4]中B的原子雜化類型為                      ;

②不考慮空間構(gòu)型,[B(OH)4]的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為                     。

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得右圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);若在晶體硅所有Si—Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體。

①在SiC中,每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為                    ;

②判斷a. SiO2,b.干冰,c.冰3種晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是         (填序號)。

 

【答案】

(12分)

(1)3d10 (2分)   (2)Br>As>Se (2分)        (3)①SP3(2分)

(4)①12(2分)②b<c<a(2分)

【解析】

試題分析:

(1)亞銅離子是由銅原子失去了一個電子得到的,所以有28個電子,所以為3d10;

(2)由于AS的外圍電子排布式為4S24P3每個軌道電子處于半充滿狀態(tài),能量比較低,比較穩(wěn)定,失去電子較困難。

(3)①根據(jù)價層電子互斥理論,[B(OH)4]中B中價電子數(shù)為(3+4+1)/2=4,所以應(yīng)該是SP3雜化;

(4)①在SiC中,每個SI和周圍的四個原子以共價鍵結(jié)合,其結(jié)構(gòu)和金剛石相同。觀察其結(jié)構(gòu)圖可知應(yīng)該為12;②b.干冰c.冰是分子晶體,但冰中存在氫鍵,所以晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是b<c<a。

考點(diǎn):本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)中的分子的結(jié)構(gòu),電離能的判斷,核外電子排布式的書寫,分子的雜化方式判斷,化學(xué)鍵類型的判斷和晶體性質(zhì)的判斷等知識點(diǎn)。

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

(2013?青島一模)[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池.完成下列填空:
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為
Br>As>Se
Br>As>Se
 (用元素符號表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大

(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價電子數(shù)少于價層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
,B與N之間形成
配位
配位
鍵;
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
12
12

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2013?樂山三模)太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池.
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的價電子排布式表示為
3d10
3d10

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則這3種元素的第一電離能從大到小的順序為
Br>As>Se
Br>As>Se
(用元素符號表示).
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]-而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì).
①[B(OH)4]-中B的原子雜化類型為
sp3
sp3

②不考慮空間構(gòu)型,[B(OH)4]-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);若在晶體硅所有Si-Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體.
①在SiC中,每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
12
12

②判斷a.SiO2,b.干冰,c.冰三種晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是
b<c<a
b<c<a
(填序號).

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆東北三省四市教研協(xié)作體高三聯(lián)合考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGs(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的價電子排布式表示為               

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為    (用元素符號表示)。

(3)Cu晶體的堆積方式是          (填堆積名稱),其配位數(shù)為        ;往Cu的硫酸鹽溶液中加入過量氨水,可生成[Cu(NH3)4]SO4,下列說法正確的是_____

A.[Cu (NH3)4]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵

B.在[Cu(NH3)4 ]2+中Cu2+給出孤對電子,NH3提供空軌道

C.[Cu (NH3)4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素

D.SO42-與PO43-互為等電子體,空間構(gòu)型均為正四面體

(4)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)溶于水顯弱酸性,但它卻只是一元酸,可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因。

①H3BO3中B的原子雜化類型為         

②寫出硼酸在水溶液中的電離方程式          。

(5)硅與碳是同一主族元素,其中石墨為混合型晶體,已知石墨的層 間距為335pm,C-C鍵長為142pm,計算石墨晶體密度(要求寫出計算過程,得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字,NA為6.02×1023mol-1

 

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年山東省青島市高三第一次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。完成下列填空:

(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的電子排布式為                         

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為          (用元素符號表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋               ;

(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價電子數(shù)少于價層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3。 BF3·NH3中B原子的雜化軌道類型為     ,B與N之間形成      鍵;

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為         

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江西省南昌市高三第三次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻人Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是___       。

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為    (用元素符號表示)。

(3)H2Se的酸性比H2S____(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____    

(4)硅烷(SinH2n+2)的沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是      。

(5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì),則[B(OH)4]中B的原子雜化類型為                  

(6)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是____,反應(yīng)的離子方程式為             。

(7)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,則該合金中Au原子與Cu原子個數(shù)之比為      ,若該晶胞的邊長為a pm,則合金的密度為     g·cm-3(已知lpm=10-12m,只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏加塞羅常數(shù)為NA)。

 

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