【題目】短周期主族元素X、Y、Z、W,已知X的某種氫化物可使溴的四氯化碳溶液褪色,X原子電子占據(jù)2個電子層;Y廣泛作電池材料且單位質(zhì)量的金屬提供電子數(shù)目最多;實驗室可用Z的簡單氫化物的濃溶液和KMnO4固體在常溫下制備Z的單質(zhì):向含W元素的鈉鹽溶液中通入x的氧化物,觀察到沉淀質(zhì)量(m)與X的氧化物體積(V)關(guān)系如圖所示。下列說法正確的是( )
A.Y的單質(zhì)在空氣中燃燒生成過氧化物和氮化物
B.W一定位于周期表中第三周期IIIA族
C.X的含氧酸的酸性可能比Z的含氧酸的酸性強
D.Z和W組成的化合物可能是離子化合物
【答案】C
【解析】
X的某種氫化物可使溴的四氯化碳溶液褪色,X原子電子占據(jù)2個電子層,X為C元素;Y廣泛作電池材料且單位質(zhì)量的金屬提供電子數(shù)目最多,Y為Li元素;實驗室可用Z的簡單氫化物的濃溶液和KMnO4固體在常溫下制備Z的單質(zhì),Z為Cl元素;向含W元素的鈉鹽溶液中通入x的氧化物,產(chǎn)生沉淀且不溶解,W為Al或Si元素,據(jù)此分析解答。
由上述分析可知:X為C元素;Y為Li元素;Z為Cl元素;W為Al或Si元素。
A、Li在空氣中燃燒不能生成過氧化物,故A錯誤;
B、W為Al或Si元素,不一定位于周期表中第三周期IIIA族,故B錯誤;
C、X為C元素,其含氧酸可能是碳酸,Z為Cl元素,其含氧酸可能是次氯酸,碳酸的酸性強于次氯酸,故C正確;
D、Z為Cl元素,W為Al或Si元素,Z和W組成的化合物可能為四氯化碳或氯化鋁,兩者都是共價化合物,故D錯誤。
答案選C。
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】硼的無機化學(xué)問題比周期表里任何一種元素都更復(fù)雜和變化多端。
(1)基態(tài)B原子的價電子軌道表達式為__,第二周期第一電離能比B高的元素有__種。
(2)B易形成配離子,如[B(OH)4]-、[BH4]-等。[B(OH)4]-的結(jié)構(gòu)式為__(標出配位鍵),其中心原子的VSEPR模型名稱為__,寫出[BH4]-的兩種等電子體__。
(3)圖1表示偏硼酸根的一種無限長的鏈式結(jié)構(gòu),其化學(xué)式可表示為__(以n表示硼原子的個數(shù)),圖2表示的是一種五硼酸根離子,其中B原子的雜化方式為__。
圖1 | 圖2 | 圖3 |
(4)硼酸晶體是片層結(jié)構(gòu),圖3表示的是其中一層的結(jié)構(gòu)。同一層微粒間存在的作用力有__。
(5)1892年,化學(xué)家已用Mg還原B2O3制得硼單質(zhì)。Mg屬六方最密堆積,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖4所示,若在晶胞中建立如圖5所示的坐標系,以A為坐標原點,把晶胞的底邊邊長和高都視作單位1,則B、E、C的坐標分別為B(1,0,0)、E(0,1,0)、C(0,0,1),請寫出D點的坐標:D:___。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】一種利用生物電化學(xué)方法脫除水體中NH4+的原理如圖所示。
下列說法正確的是
A. M為電源的負極,N為電源的正極
B. 裝置工作時,電極a周圍溶液的pH降低
C. 裝置內(nèi)工作溫度越高,NH4+的脫除率一定越大
D. 電極b上發(fā)生的反應(yīng)之一為2NO2-+8H++8e-=N2↑+4H2O
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值。下列說法正確的是( )
A.1mol甲苯含有6NA個C-H鍵
B.5NH4NO32HNO3+4N2↑+9H2O的反應(yīng)中,生成28gN2,轉(zhuǎn)移的電子數(shù)目為3.75NA
C.標準狀況下,22.4L氨水含有NA個NH3分子
D.56g鐵片投入足量濃硫酸中生成NA個SO2分子
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】丁烷的催化裂解可按下列兩種方式進行:C4H10→C2H6+C2H4; C4H10→CH4+C3H6;某化學(xué)興趣小組的同學(xué)為探究丁烷裂解氣中CH4和C2H6的比例關(guān)系,設(shè)計如圖所示實驗:
注:CuO能將烴氧化成CO2和H2O;A12O3是丁烷裂解的催化劑,G后面裝置已省略。如圖連接好裝置后(部分夾持裝置已略去),需進行的實驗操作有:
①給D、G裝置加熱:②檢査整套裝置的氣密性;③排盡裝置中的空氣。
(1)這三步操作的先后順序依次是____________。
(2)簡要說明檢驗空氣排盡的方法:_______________________________________________。
(3)B裝置所起的作用是__________________________________________。
(4)假設(shè)丁烷完全裂解,流經(jīng)各裝置中的氣體能完全反應(yīng)。當(E和F)裝置的總質(zhì)量比反應(yīng)前增加了 1.82g, G裝置中固體質(zhì)量減少了 4.l6g,則丁烷的裂解產(chǎn)物中n(CH4)∶n(C2H6)=_____________。
(5)若對E裝置中的混合物再按以下流程實驗:
①分離操作I、Ⅱ的名稱是I_____________、 II_______________;
②Na2SO3溶液的作用是(用離子方程式表示)__________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】(1)某含碳、氫、氧三種元素的未知物A,經(jīng)燃燒分析知其碳的質(zhì)量分數(shù)為60%,氧的質(zhì)量分數(shù)為26.7%,則其實驗式為 _______;
(2)物質(zhì)A相對于相同狀況下的氫氣的密度是30,則A的分子式為________,可能的結(jié)構(gòu)式有________種;
(3)A的紅外光譜圖上發(fā)現(xiàn)有O﹣H鍵、C﹣H鍵和C﹣O鍵的振動吸收,則A的結(jié)構(gòu)簡式可能為(有幾種寫幾種)________;
(4)A的核磁共振氫譜有三個吸收峰,峰面積之比為1:1:6,則A的名稱是 ________ 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】化合物M是一種抗心率失常藥物中間體,實驗室由化合物A、B制備M的一種合成路線如圖所示:
已知:①R1COR2(R1、R2表示氫原子或烴基)
②(-NH2易被氧化)
③RCOOHRCOCl
請回答下列問題:
(1)A中官能團的名稱為__,B的化學(xué)名稱為__。
(2)C的結(jié)構(gòu)簡式為__。
(3)由B生成F的反應(yīng)類型為__。
(4)由E與G反應(yīng)生成H的化學(xué)方程式為___。
(5)反應(yīng)I中加入的過量NH3,除作為反應(yīng)物外,另一個作用為___。
(6)同時滿足下列條件的M的同分異構(gòu)體有___種(不考慮立體異構(gòu))。
①苯環(huán)上連有3個取代基,其中2個為-NH2
②能發(fā)生銀鏡反應(yīng)
③核磁共振氫譜中有6組吸收峰
(7)參照上述合成路線和信息,以為原料(無機試劑任選),設(shè)計制備的合成路線:__。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】硒化銅納米晶體在光電轉(zhuǎn)化中有著廣泛的應(yīng)用,銅和硒等元素形成的化合物在生產(chǎn)、生活中應(yīng)用廣泛。
(1)基態(tài)硒原子的核外電子排布式為______。As、Se、Br三種元素第一電離能由大到小的順序為______。
(2)SeO2易溶解于水,熔點為340~350℃,315℃時升華,由此可判斷SeO2中的化學(xué)鍵類型為______。
(3)Se2Cl2為深棕紅色的劇毒液體,其分子結(jié)構(gòu)中含有Se-Se 鍵,該分子中,Se原子的雜化軌道類型為______,Se2Cl2的空間構(gòu)型為______(填字母)。
a.直線形 b.鋸齒形 c.環(huán)形 d.四面體形
(4)硒酸鋼(CuSeO4)在電子、儀表工業(yè)中發(fā)揮著重要作用。硒酸的酸性與硫酸的比較,酸性較強的是______(填化學(xué)式)。
(5)SeO42-中Se-O的鍵角比SeO3的鍵角______(填“大“或“小“),原因是______。
(6)銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則該氧化物的化學(xué)式為______,若組成粒子氧、銅的半徑分別為r(O)pm、r(Cu)pm,密度為ρgcm-3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶胞的空間利用率為______(用含π的式子表示)。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】1,3-丁二烯在環(huán)已烷溶液中與溴發(fā)生加成反應(yīng)時,會生成兩種產(chǎn)物M和N(不考慮立體異構(gòu)),其反應(yīng)機理如圖1所示;室溫下,M可以緩慢轉(zhuǎn)化為N,能量變化如圖2所示。下列關(guān)于該過程的敘述錯誤的是( )
A.室溫下,N的穩(wěn)定性強于M
B.有機物N存在順反異構(gòu)
C.任何時間段內(nèi)M的產(chǎn)率一定低于N的產(chǎn)率
D. △H=-(E2-E1)kJ·mol-1
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