硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如圖

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)方程式：__________________
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平后的化學(xué)方程式________________；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混有O2，可能引起的后果是_____________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是___________（填字母）。
A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料--光導(dǎo)纖維
D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英制成的，其熔點(diǎn)很高
E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(1)①SiHCl3+H2Si+3HCl；②SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+3HCl↑+H2↑；氧氣與氫氣混合，可能引起爆炸，氧氣可能會(huì)氧化SiHCl3
 (2)BC
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    相關(guān)習(xí)題

    科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

    硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．
    （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅．
    Ⅰ．高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；
    Ⅱ．粗硅與干燥的氯氣在450～500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4；
    Ⅲ．SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1 100～1 200℃條件下反應(yīng)制得高純硅．
    已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6℃，能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)．1mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2kJ．
    請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
    ①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
    2H2（g）+SiCl4（g）
     1100-1200℃ 
    .
     
    Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
    2H2（g）+SiCl4（g）
     1100-1200℃ 
    .
     
    Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
    ．
    ②整個(gè)制備純硅的過(guò)程中必須嚴(yán)格控制在無(wú)水無(wú)氧的條件下．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是
    H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
    H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
    ；H2還原SiCl4過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是
    爆炸
    爆炸
    ．
    （2）二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃．工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示，則其中x=
    4
    4
    ．

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    科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

    （2008?廣東）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
    （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

    ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式
    SiHCl3+H2
     1357K 
    .
     
    Si+3HCl
    SiHCl3+H2
     1357K 
    .
     
    Si+3HCl
    ．
    ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式
    3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
    3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
    ；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混O2，可能引起的后果是
    高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸
    高溫下，H2遇O2發(fā)生爆炸
    ．
    （2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是
    ABCD
    ABCD
    （填字母）．
    A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水混
    B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
    C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的，其熔點(diǎn)很高
    D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
    （3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩．寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋
    生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓
    生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng)，SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓
    ．

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    科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

    硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．三氯硅烷（SiHCl3）還原法是目前工業(yè)制高純度硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程如下圖：
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    根據(jù)題意完成下列備題：
    （1）硅在元素周期表的位置
     
    ，其最外層有
     
    種能量不同的電子．
    （2）硅的氣態(tài)氫化物為SiH4，其空間構(gòu)型為
     
    ；三氯硅烷中某些元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性
     
    ＞
     
    （填化學(xué)式）．
    （3）寫出三氯硅烷與氫氣反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)方程式：
     
    ．
    （4）自然界中硅酸鹽種類多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，通常用二氧化硅和金屬氧化物的形式來(lái)表示其組成．如正長(zhǎng)石（KALSi3O8），氧化物形式為：
     
    ．

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    科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

    硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

    （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

    ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。

    ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是_________________________。

    （2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是__________________（填字母）。

    A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

    B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

    C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

    D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

    E.鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

    （3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。

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    科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2011屆福建省廈門外國(guó)語(yǔ)學(xué)校高三11月月考化學(xué)試卷 題型：填空題

    硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。
    （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：
    Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
    Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl4
    Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1100 ℃～1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅
    已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6 ℃，能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
    ① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                       ，第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。
    ②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是          ；H2還原SiCl4過(guò)程中若混O2，可能引起的后果是        。
    （2）二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44 kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示，則其中x＝         。

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