化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/kJ?mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
A.SiCl4的熔點比SiC熔點低 |
B.HCl的穩(wěn)定性比HI穩(wěn)定性高 |
C.C-C的鍵能大于Si-Si |
D.拆開1mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為176kJ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱.下列說法中錯誤的是( )
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/kJ?mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
高溫 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年四川省巴中市四縣中高二上期期末聯(lián)考化學(xué)試卷 題型:填空題
(6分)鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的化學(xué)鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù),回答下列問題:
化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/KJ.mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年福建省建甌二中高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題
鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù),回答下列問題:
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆寧夏高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
(每空2分,共12分)鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù),回答下列問題:
化學(xué)鍵 |
Si—O |
Si—Cl |
H—H |
H—Cl |
Si—Si |
Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 |
460 |
360 |
436 |
431 |
176 |
347 |
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”)
SiC Si; SiCl4 SiO2
(2)能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點高低? (填“能”或“不能”),原因是 。
(3)如圖立方體中心的“· ”表示金剛石晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“· ”表示出與之緊鄰的碳原子
(4)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取:SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s)+4HCl(g)
計算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為__________________。
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