(15分)

⑴如圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

①請(qǐng)寫(xiě)出圖中b單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式                       。

②單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含      個(gè)σ鍵和          個(gè)π鍵。

③a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為          ;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為        ,其中X與Ag之間以           鍵結(jié)合。

④上圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu),請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因:                         。

⑵碳是形成化合物最多的元素,其單質(zhì)與化合物廣布于自然界。

①與碳同周期的非金屬元素N的第一電離能大于O的第一電離能,原因是       ;

②CS2是一種重要的有機(jī)溶劑,寫(xiě)出一種與CS2互為等電子體的物質(zhì)的化學(xué)式     ;

③冰晶胞中水分子的空間排列方式與金剛石晶胞(其晶胞結(jié)構(gòu)如上圖,其中空心球所示原子位于立方體的頂點(diǎn)或面心,實(shí)心球所示原子位于立方體內(nèi))類似。每個(gè)冰晶胞平均占有     個(gè)水分子,冰晶胞與金剛石晶胞微粒排列方式相同的原因是                       。

 

(15分)

⑴①1s22s22p3。1分)

 ②3 2    (2分)         ③三角錐形   [Ag(NH3)2]    配位。3分)

④HNO3是極性分子,易溶于極性的水中;HNO3分子中的-OH易與水分子之間形成氫鍵  (2分)

⑵①N原子2p軌道半充滿,能量低 (2分)       ②CO2(1分)

③8 (2分) 氫鍵具有方向性,每個(gè)水分子與相鄰的4個(gè)水分子形成氫鍵 (2分)

解析:

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

如圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體.下列判斷不正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年陜西省、西工大附中高三第七次適應(yīng)性訓(xùn)練(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題

(15分)

⑴如圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

①請(qǐng)寫(xiě)出圖中b單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式                        。

②單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含       個(gè)σ鍵和           個(gè)π鍵。

③a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為           ;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為         ,其中X與Ag之間以            鍵結(jié)合。

④上圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu),請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因:                          。

⑵碳是形成化合物最多的元素,其單質(zhì)與化合物廣布于自然界。

①與碳同周期的非金屬元素N的第一電離能大于O的第一電離能,原因是        ;

②CS2是一種重要的有機(jī)溶劑,寫(xiě)出一種與CS2互為等電子體的物質(zhì)的化學(xué)式     ;

③冰晶胞中水分子的空間排列方式與金剛石晶胞(其晶胞結(jié)構(gòu)如上圖,其中空心球所示原子位于立方體的頂點(diǎn)或面心,實(shí)心球所示原子位于立方體內(nèi))類似。每個(gè)冰晶胞平均占有     個(gè)水分子,冰晶胞與金剛石晶胞微粒排列方式相同的原因是                        。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體.下列判斷不正確的是(  )
A.e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵
B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式:1s22s22p63s23p2
C.b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵
D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1:1:1形成的分子中含2個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年四川省成都七中高二(上)期中化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體.下列判斷不正確的是( )

A.e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵
B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式:1s22s22p63s23p2
C.b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵
D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1:1:1形成的分子中含2個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵

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