Question

【題目】K、Al、Si、Cu、Ni均為重要的合金材料，在工業(yè)生產(chǎn)、科技、國(guó)防領(lǐng)域有著廣泛的用途，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）K元素處于元素同期表的_____區(qū)。

（2）下列狀態(tài)的鋁中，電離最外層一個(gè)電子所需能量最大的是______（填標(biāo)號(hào)）。

A. [Ne] 　 B.[Ne]　 C.[Ne] D. [Ne]

　 　 3s　 3s　3p 3s　3p 3s　3p 3p

（3）從核外電子排布角度解釋高溫下Cu2O比CuO更穩(wěn)定的原因是_____________。

（4）一些化合物的熔點(diǎn)如下表所示：

化合物	NaCl	KCl	SiO2
熔點(diǎn)/°C	801	770	1723

解釋表中化合物之間熔點(diǎn)差異的原因________________________________。

（5）NiSO4溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4。

①N、O、S三種元素中電負(fù)性最大的是_______。

②寫(xiě)出一種與[Ni(NH3)6]SO4中的陰離子互為等電子體的分子的分子式_________。

③1mol[Ni(NH3)6]SO4中含有δ鍵的數(shù)目為___________。

④NH3的VSEPR模型為____；NH3、SO42-的中心原子的雜化類型分別為___、___。

（6）K、Ni、F三種元素組成的一種晶體的長(zhǎng)方體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。若NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，該晶體的密度ρ=______g·cm-3(用代數(shù)式表示)。

Answer 1

【答案】s A 基態(tài)Cu+的價(jià)電子排布式為3d10，為全充滿狀態(tài)，更穩(wěn)定（或“Cu+離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài)”） NaCl、KCl為離子晶體，SiO2為原子晶體；K+半徑大于Na+半徑，晶格能NaCl >KCl O CX4、SiX4（X表示鹵素原子，任寫(xiě)一種） 28NA 四面體形 sp3 sp3

【解析】

(1)K元素的價(jià)電子排布式為4s1，最后的電子排在s軌道上，所以處于元素同期表的s區(qū)。

答案為s；

(2)在第三周期，軌道的能量3s<3p，電子的能量越低，電離時(shí)消耗的能量越高，所以3s軌道上的電子電離時(shí)消耗的能量最高。答案為A；

(3)從核外電子排布角度看，基態(tài)Cu+的價(jià)電子排布式為3d10，為全充滿狀態(tài)，更穩(wěn)定。

答案為：基態(tài)Cu+的價(jià)電子排布式為3d10，為全充滿狀態(tài)，更穩(wěn)定（或“Cu+離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài)”）

(4)從表中可以看出，KCl、NaCl的熔點(diǎn)相近，而SiO2的熔點(diǎn)高。因?yàn)?/span>NaCl、KCl為離子晶體，SiO2為原子晶體，所以SiO2的熔點(diǎn)高；K+半徑大于Na+半徑，晶格能NaCl >KCl，所以NaCl的熔點(diǎn)高。

答案為：NaCl、KCl為離子晶體，SiO2為原子晶體；K+半徑大于Na+半徑，晶格能NaCl >KCl

(5)NiSO4溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4。

① N、O、S三種元素中電負(fù)性最大的是O。答案為O

② [Ni(NH3)6]SO4中的陰離子為SO42-，它的價(jià)電子數(shù)為42，與它互為等電子體的分子為CX4、SiX4（X表示鹵素原子，任寫(xiě)一種）。答案為CX4、SiX4（X表示鹵素原子，任寫(xiě)一種）

③在[Ni(NH3)6]SO4中，[Ni(NH3)6]2+含有24個(gè)δ鍵，SO42-中含有4個(gè)δ鍵。所以1mol[Ni(NH3)6]SO4中含有δ鍵的數(shù)目為28NA。答案為28NA

④NH3的VSEPR模型為四面體。答案為四面體形

NH3的中心原子的雜化類型sp3，答案為sp3。

SO42-的中心原子的雜化類型為sp3，答案為sp3。

(6)從K、Ni、F三種元素組成的一種晶體的長(zhǎng)方體晶胞結(jié)構(gòu)圖，我們可以得出該物質(zhì)的化學(xué)式為K4Ni2F8，它的相對(duì)分子質(zhì)量為426，則該晶體的密度

ρ= ×1023g·cm-3。答案為：。