W、X、Y、Z、N是短周期元素，它們的核電核數(shù)依次增大。      
（1）W單質(zhì)的化學(xué)式為__________ ，Z元素原子核外有__________個(gè)原子軌道填充了電子。    
（2）W和X形成的化合物中的共價(jià)鍵按原子軌道的重疊方式屬于____________鍵。    
（3）Y、Z和N三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)開_________（填元素符號(hào)）。
（4）Z和X形成的化合物構(gòu)成的晶體屬于___________晶體。    
（5）Y晶體的堆積方式如下圖所示，晶胞中Y原子的配位數(shù)為___________。    
（6）不用電解Y與N熔融化合物的方法生產(chǎn)Y單質(zhì)的原因是_____________。
（1）H2  ；  8
（2）
（3）Cl >Si >Al  
（4）原子 
（5）12 
（6）AlCl3熔化無(wú)自由移動(dòng)的離子
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2012?上饒一模）W、X、Y、Z、N是短周期元素，它們的核電核數(shù)依次增大．
元素編號(hào) 元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)
W 原子核內(nèi)無(wú)中子
X 原子核外s亞層上的電子總數(shù)與p亞層上的電子總數(shù)相等
Y 元素的離子半徑在該周期中最小
Z 原子核外p亞層上的電子總數(shù)與s亞層上的電子總數(shù)多2
N 最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)少1
（1）W單質(zhì)的化學(xué)式為
H2
H2
，Z元素原子核外有
8
8
個(gè)原子軌道填充了電子．
（2）W和X形成的化合物中的共價(jià)鍵按原子軌道的重疊方式屬于
δ
δ
鍵．
（3）Y、Z和N三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
Cl＞Si＞Al
Cl＞Si＞Al
（填元素符號(hào)）．
（4）Z和X形成的化合物構(gòu)成的晶體屬于
原子
原子
晶體．
（5）Y晶體的堆積方式如右圖所示，晶胞中Y原子的配位數(shù)為
12
12
．
（6）不用電解Y與N熔融化合物的方法生產(chǎn)Y單質(zhì)的原因是
AlCl3熔化無(wú)自由移動(dòng)的離子
AlCl3熔化無(wú)自由移動(dòng)的離子
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2008年寧夏銀川一中高三年級(jí)第三次模擬考試、理科綜合試卷化學(xué)部分 題型：022

W、X、Y、Z、N是短周期元素，它們的核電核數(shù)依次增大．下表列出它們的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)：

(1)W元素單質(zhì)的結(jié)構(gòu)式：___________．

(2)Y元素原子的電子排布式為________．

(3)Y、Z和N三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)開_______(填元素符號(hào))．

(4)Y、X和Z三種元素形成的單質(zhì)熔點(diǎn)由高到底的順序?yàn)開_______(填單質(zhì)的化學(xué)式)．

(5)Z和X形成的化合物構(gòu)成的晶體屬于________晶體；Y和N形成的化合物構(gòu)成的晶體中每個(gè)Y離子周圍等距離最近的N離子構(gòu)成的空間結(jié)構(gòu)為________．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

W、X、Y、Z、N是短周期元素,它們的核電核數(shù)依次增大。下表列出它們的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)：

元素編號(hào)

元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)

W

原子核內(nèi)無(wú)中子

X

核外s亞層上的電子總數(shù)與p亞層上的電子總數(shù)相等

Y

元素的原子半徑在該周期中最大（除稀有氣體外）

Z

原子核外p亞層上的電子總數(shù)比s亞層上的電子總數(shù)多2

N

最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)少1

（1）W元素單質(zhì)的結(jié)構(gòu)式： ____________。

（2）Y元素原子的電子排布式為_________________。

（3）W和X形成的化合物中的共價(jià)鍵按原子軌道的重疊方式屬于_______鍵。

（4）Y、Z和N三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)開_______________ （填元素符號(hào)）。

（5）Y、X和Z三種元素形成的單質(zhì)熔點(diǎn)由高到底的順序?yàn)開_____________ （填單質(zhì)的化學(xué)式）。

（6）Z和X形成的化合物構(gòu)成的晶體屬于_________晶體；Y和 N形成的化合物構(gòu)成的晶體中每個(gè)Y離子周圍等距離最近的N離子構(gòu)成的空間結(jié)構(gòu)為____________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

I．有四種化合物W、X、Y、Z，它們是由短周期元素A、B、C、D、E中的兩種元素組成。已知

（1）A、B、C、D、E的原子序數(shù)依次增大，且A、D同主族，C、E同主族；B、C 同周期；

（2）W由A、B組成，其分子中原子個(gè)數(shù)比為A：B=4：1，常溫為氣態(tài)。

（3）X由A、C組成，其分子中原子數(shù)比為A：C=1：1

（4）Y是C、D形成的離子化合物，且Y晶體中相應(yīng)元素的原子個(gè)數(shù)比為1：1

（5）Z是由D、E形成的離子化合物，其中陽(yáng)離子比陰離子少一個(gè)電子層，陽(yáng)離子數(shù)與陰離子數(shù)之比為2：1

   則B為          ，W為         ，X的結(jié)構(gòu)式        Y的電子式為              。

II．（1）．一元素原子的N層上只有1個(gè)電子，該元素原子各內(nèi)層均已充滿，寫出該原子電子排布式：                        ，

（2）一元素屬于短周期元素，該元素的原子核外所有P軌道全滿或者半滿，寫出該元素原子的價(jià)電子軌道排布圖                  ，

（3）乙烯分子中有          個(gè)σ鍵，           π鍵，以        雜化。

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