元素編號(hào) | 元素性質(zhì)或結(jié)構(gòu) |
X | 3p亞層上有1個(gè)空軌道 |
Y | 第三周期元素形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最大 |
Z | 短周期中原子最容易失電子 |
A. | 氫化物的穩(wěn)定性:X<Y | B. | 單質(zhì)與水反應(yīng)的難易程度:Y>Z | ||
C. | 單質(zhì)的熔點(diǎn):X<Y<Z | D. | X、Y、Z的氧化物晶體類型相同 |
分析 X原子3p亞層上有1個(gè)空軌道,核外電子排布為1s22s22p63s23p2,則X為Si;Y是第三周期元素形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最大的,則Y為S元素;短周期中Z原子最容易失電子,則Z為Na,據(jù)此解答.
解答 解:X原子3p亞層上有1個(gè)空軌道,核外電子排布為1s22s22p63s23p2,則X為Si;Y是第三周期元素形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最大的,則Y為S元素;短周期中Z原子最容易失電子,則Z為Na.
A.非金屬性X(Si)<Y(S),故氫化物穩(wěn)定性:X<Y,故A正確;
B.鈉與水劇烈反應(yīng),但硫單質(zhì)不與水反應(yīng),故B錯(cuò)誤;
C.硫單質(zhì)為分子晶體,Si單質(zhì)為原子晶體,硅的熔點(diǎn)原高于硫的,故C錯(cuò)誤;
D.X、Y、Z的氧化物分別為二氧化硅、二氧化硫(或三氧化硫)、氧化鈉(或過氧化鈉),分別屬于原子晶體、分子晶體、離子晶體,故D錯(cuò)誤,
故選A.
點(diǎn)評(píng) 本題考查原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì),比較基礎(chǔ),推斷元素是解題關(guān)鍵,注意對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的理解掌握.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 分子式為C10H1202的有機(jī)物,①苯環(huán)上有兩個(gè)取代基,②能與NaHCO3反應(yīng)生成氣體,滿足以上2個(gè)條件的該有機(jī)物的同分異構(gòu)體有15種 | |
B. | 分子式為C4H8Cl2機(jī)物,只含有一個(gè)甲基的同分異構(gòu)體有7種 | |
C. | 分子式為C4H10O的醇,能在銅催化下被O2氧化為醛的同分異構(gòu)體有4種 | |
D. | 分子中的所有原子有可能共平面 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 銅片消耗完所需時(shí)間 | |
B. | 反應(yīng)中氧化劑得到電子總數(shù) | |
C. | 反應(yīng)后溶液中銅離子濃度(反應(yīng)后溶液體積不變) | |
D. | 反應(yīng)生成氣體的體積(同溫、同壓) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 制純堿 | B. | 制燒堿 | C. | 制漂白粉 | D. | 制硝酸 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 20 | B. | 21 | C. | 22 | D. | 23 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
穩(wěn)定性 | 得電子能力 | 離子半徑 | 電負(fù)性 |
CH4<NH3 | 1H=2H | Na+>Al3+ | C>Al |
化學(xué)鍵 | H-H | H-Cl | Cl-Cl |
鍵能kJ/mol | a | b | c |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 曲線③④段有離子反應(yīng):HClO+OH-=ClO-+H2O | |
B. | 可依據(jù)②處數(shù)據(jù)計(jì)算所溶解的n(Cl2) | |
C. | ③處表示氯氣與氫氧化鈉溶液恰好反應(yīng)完全 | |
D. | ①處c(H+)約為②處c(H+)的兩倍 |
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