（物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）（13分）

磷化硼（BP）和氮化硼（BN）是受到高度關(guān)注的耐磨涂料，它們的結(jié)構(gòu)相似，右下圖為磷化硼晶體結(jié)構(gòu)中最小的重復結(jié)構(gòu)單元。磷化硼可由三溴化硼和三溴化磷在氫氣中高溫反應(yīng)合成：BBr3＋PBr3＋3H2＝BP＋6HBr。
回答下列問題：
（1）寫出基態(tài)磷原子的電子排布式　　　　　　　　　　　　　　　　
（2）磷化硼的晶體類型是　　　　　　，B原子的雜化方式是　　　　　。
（3）電負性：N        B (填“>”、“<”)
（4）BP中每個B或P原子均形成4個共價鍵，其中有一個配位鍵，提供空軌道是　　　原子。
（5）BBr3分子中，B原子采取sp2雜化，則BBr3屬于　　　  （填“極性”或“非極性”）分子
（6）氮化硼晶體的熔點要比磷化硼晶體高，其原因是       　　　　           。


（1）1s22s22p63s23p3                               　　　　　　　　　　　　                           （2分）
（2）原子晶體；sp3         　　　　　　　                              （各2分，共4分）
（3）＞                                                                    （2分）
（4）B                                        　　　　　　　　                                 （1分）
（5）非極性                                            　　　　　    （2分）
（6）磷原子的半徑比氮原子大，N—P共價鍵鍵長比B—P小，鍵能大  　　　　　　　（2分）

解析

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相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

【化學--選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
VA族的氮、磷、砷（As）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請回答下列問題：
（1）白磷單質(zhì)的中P原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序為
N＞P＞As
N＞P＞As
；
（3）As原子序數(shù)為
33
33
，其核外M層和N層電子的排布式為
3s23p63d104s24p3
3s23p63d104s24p3
；
（4）NH3的沸點比PH3
高
高
（填“高”或“低”），原因是
NH3分子間存在較強的氫鍵，而PH3分子間僅有較弱的范德華力
NH3分子間存在較強的氫鍵，而PH3分子間僅有較弱的范德華力
．
PO43-離子的立體構(gòu)型為
正四面體
正四面體
；
（5）H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13．硝酸完全電離，而亞硝酸K=5.1×10-4，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H3PO4的K1遠大于K2的原因
第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
；
②硝酸比亞硝酸酸性強的原因
硝酸中N呈+5價，N-O-H中O的電子更向N偏移，導致其越易電離出氫離子
硝酸中N呈+5價，N-O-H中O的電子更向N偏移，導致其越易電離出氫離子
；
（6）NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似，其晶胞的棱長為a cm，則該晶體中距離最近的兩個陽離子核間的距離為
2
2
a
2
2
a
cm（用含有a的代數(shù)式表示）．
在一定溫度下NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”（如圖），可以認為氧離子作密致單層排列，鎳離子填充其中，列式并計算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為
1.83×10-3
1.83×10-3
g （氧離子的半徑為1.40×10-10m）

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科目：高中化學 來源： 題型：

[化學--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．Ga原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．在四大晶體類型中，GaN屬于
原子
原子
晶體．
（2）NH3分子的空間構(gòu)型是：
三角錐型
三角錐型
，中心原子N的雜化軌道類型是：
sp3
sp3
．
（3）NH3與PH3相比，熱穩(wěn)定性更強的是：
NH3
NH3
，理由是：
氮的原子半徑比磷的原子半徑小，N-H鍵長比P-H鍵長短，鍵能更大，分子更穩(wěn)定
氮的原子半徑比磷的原子半徑小，N-H鍵長比P-H鍵長短，鍵能更大，分子更穩(wěn)定
．
（4）一定壓強，將NH3和PH3混合氣體降溫時，首先液化的物質(zhì)是
NH3
NH3
，理由是：
因為氨分子之間存在氫鍵，使分子間作用力更大，沸點更高
因為氨分子之間存在氫鍵，使分子間作用力更大，沸點更高
．
（5）銅、鐵元素能形成多種配合物．微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有
能夠接受孤電子對的空軌道
能夠接受孤電子對的空軌道
的原子或離子．

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科目：高中化學 來源： 題型：

[化學-選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
砷（As）在地殼中含量不大，但砷的化合物卻是豐富多彩．
（1）砷的基態(tài)原子的電子排布式為
 
．
（2）目前市售的發(fā)光二極管，其材質(zhì)以砷化鎵（GaAs）為主．Ga和As相比，電負性較大的 是
 
，GaAs中Ga的化合價為
 

（3）AsH3是無色稍有大蒜氣味的氣體，在AsH3中As原子的雜化軌道類型為
 
；AsH3的沸點高于PH3，其主要原因為
 

（4）Na3As04可作殺蟲劑．As043-的立體構(gòu)型為
 
與其互為等電子體的分子的化學式為
 
（任寫一種）．
（5）H3As04和H3As03是砷的兩種含氧酸，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，解釋H3AsO4比 H3AsO3 酸性強的原因
 
精英家教網(wǎng)
（6）磷與砷同主族，磷的一種單質(zhì)白磷（P4）屬于分子晶體，其晶胞如圖．已知最近的兩個白磷分子間距離為 a pm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶體的密度為
 
g/cm3（只要求列算式，不必計算）

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科目：高中化學 來源： 題型：

（物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）

磷化硼（BP）和氮化硼（BN）是受到高度關(guān)注的耐磨涂料，它們的結(jié)構(gòu)相似，右下圖為磷化硼晶體結(jié)構(gòu)中最小的重復結(jié)構(gòu)單元。磷化硼可由三溴化硼和三溴化磷在氫氣中高溫反應(yīng)合成：BBr3＋PBr3＋3H2＝BP＋6HBr。

回答下列問題：

（1）寫出基態(tài)磷原子的電子排布式　　　　　　　　　　　　　　　　

（2）磷化硼的晶體類型是　　　　　　，B原子的雜化方式是　　　　　。

（3）電負性：N        B (填“>”、“<”)

（4）BP中每個B或P原子均形成4個共價鍵，其中有一個配位鍵，提供空軌道是　　　原子。

（5）BBr3分子中，B原子采取sp2雜化，則BBr3屬于　　　   （填“極性”或“非極性”）分子

（6）氮化硼晶體的熔點要比磷化硼晶體高，其原因是        　　　　            。

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