Question

【題目】請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為___，該能層具有的原子軌道數(shù)為___。

(2)BF3與一定量的水形成(H2O)2BF3晶體Q，Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R：

晶體Q中各種微粒間的作用力有____(填序號(hào))。

a 離子鍵 b 共價(jià)鍵 c 配位鍵 d 氫鍵

(3)第一電離能I1(Zn)___I1(Cu)(填“大于”或“小于”)，原因是______。

(4)石墨烯(如圖a)是一種由單層碳原子構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)新型碳材料，石墨烯中部分碳原子被氧化后，其平面結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變，轉(zhuǎn)化為氧化石墨烯(如圖b)。

圖a中，1號(hào)C與相鄰C形成σ鍵的個(gè)數(shù)為____，圖b中鍵角α___鍵角β。(填“>”、“<”或“＝” )；

Answer 1

【答案】M 9 bcd 大于 Zn核外電子排布為全滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失電子 3 <

【解析】

(2)非金屬元素原子之間易形成共價(jià)鍵，含有空軌道的原子和含有孤電子對(duì)的原子之間易形成配位鍵，水分子中的O原子和其它分子中的H原子易形成氫鍵；

(3)同周期相鄰元素比較第一電離能大小時(shí)要注意核外電子排布；

(4)單鍵均為σ鍵，雙鍵中有一個(gè)σ鍵；根據(jù)C原子的雜化方式判斷鍵角大小。

(1)基態(tài)Si原子核外有三個(gè)電子層，離核遠(yuǎn)的能量高，故占據(jù)的最高能層為第三能層，符號(hào)為M；第三能層有s、p、d三種軌道，軌道數(shù)分別為1、3、5，共計(jì)9個(gè)原子軌道；

(2)晶體Q中非金屬元素原子之間易形成共價(jià)鍵，含有B-F、O-H等共價(jià)鍵；B原子含有空軌道、O原子含有孤電子對(duì)，所以B原子和O原子之間存在配位鍵；水分子中的O原子和其它分子中的H原子易形成氫鍵，所以選bcd；

(3)Zn核外電子排布為全滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失電子，所以Zn的第一電離能大于Cu；

(4)每個(gè)C原子要形成4個(gè)共價(jià)鍵，根據(jù)圖a知，每個(gè)C原子形成2個(gè)共價(jià)單鍵、1個(gè)共價(jià)雙鍵，共價(jià)單鍵為σ鍵、共價(jià)雙鍵中1個(gè)是σ鍵、1個(gè)是π鍵，所以圖a中1號(hào)碳原子與相鄰C形成3個(gè)σ鍵；

圖b中，鍵角α中中心C形成3個(gè)C-C鍵及1個(gè)C-O鍵，C原子為sp3雜化，為四面體構(gòu)型，而鍵角β中中心C原子雜化方式為sp2，為平面結(jié)構(gòu)，所以鍵角α<鍵角β。