相關(guān)習(xí)題
 0  103766  103774  103780  103784  103790  103792  103796  103802  103804  103810  103816  103820  103822  103826  103832  103834  103840  103844  103846  103850  103852  103856  103858  103860  103861  103862  103864  103865  103866  103868  103870  103874  103876  103880  103882  103886  103892  103894  103900  103904  103906  103910  103916  103922  103924  103930  103934  103936  103942  103946  103952  103960  203614 

科目: 來源:不詳 題型:單選題

下表實(shí)驗(yàn)中“操作及現(xiàn)象”與“給定溶液”的性質(zhì)不對(duì)應(yīng)的是
選項(xiàng)
溶液
操作及現(xiàn)象
A
Ca(OH)2溶液
通入CO2,溶液變渾濁。繼續(xù)通CO2至過量,渾濁消失。再加入足量NaOH溶液,又變渾濁。
B
溶液
通入CO2,溶液變渾濁。繼續(xù)通CO2至過量,渾濁消失。
C
Ca(ClO)2溶液
通入CO2,溶液沒有明顯變化。再滴入品紅溶液,紅色褪去。
D
CaCl2溶液
通入CO2,溶液沒有明顯變化。若同時(shí)通入CO2和NH3,則溶液變渾濁。
 

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科目: 來源:不詳 題型:實(shí)驗(yàn)題

高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料,是制備半導(dǎo)體的重要材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場(chǎng)“革命”。高純硅通常用以下方法制備:用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度為450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置圖。

相關(guān)信息:a.四氯化硅遇水極易水解;b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物;c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì)
SiCl4
BCl3
AlCl3
FeCl3
PCl5
沸點(diǎn)/℃
57.7
12.8

315

熔點(diǎn)/℃
-70.0
-107.2



升華溫度/℃


180
300
162
 
請(qǐng)回答下列問題:
(1)儀器e的名稱為____________,裝置A中f管的作用是_______________________________________,其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_____        ____________________________________    _______。
(2)裝置B中的試劑是____________。
(3)某學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)了以下兩種實(shí)驗(yàn)方案:方案甲:g接裝置Ⅰ;方案乙:g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個(gè)方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處,請(qǐng)你評(píng)價(jià)后填寫下表。
方案
不足之處

 

 
 
(4)在上述(3)的評(píng)價(jià)基礎(chǔ)上,請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)合理方案:___________    ________                 
(5)通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是   (填寫元素符號(hào))。

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機(jī)物,無機(jī)鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對(duì)太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH,Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好。
回答下列問題
(1)能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液,為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                          
(2)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                   ,對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH反應(yīng),生成SiO44,然后SiO44迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為                    。
(3)本;瘜W(xué)興趣小組同學(xué),為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確,完成以下實(shí)驗(yàn):
 
實(shí)驗(yàn)事實(shí)
事實(shí)一
水蒸汽在600℃時(shí)可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。
事實(shí)二
盛放于鉑或石英器皿中的純水長(zhǎng)時(shí)間對(duì)粉末狀還原硅無腐蝕作用。
事實(shí)三
普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。
事實(shí)四
在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點(diǎn)著后燜燒,可劇烈放出H2。
事實(shí)五
1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。
 
結(jié)論:從實(shí)驗(yàn)上說明堿性水溶液條件下,H2O可作                劑;NaOH作              劑,降低反應(yīng)            。高溫?zé)o水環(huán)境下,NaOH作              劑。
(4)在太陽能電池表面沉積深藍(lán)色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷(SiH4)與氨氣(NH3)在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體,常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是               。
A.在使用硅烷時(shí)要注意隔離空氣和水,SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2;
B.硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為:3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2↑,反應(yīng)中NH3作氧化劑;
C.它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能,化學(xué)穩(wěn)定性很好,不與任何酸、堿反應(yīng);
D.氮化硅晶體中只存在共價(jià)鍵,Si3N4是優(yōu)良的新型無機(jī)非金屬材料。

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

硅被譽(yù)為無機(jī)非金屬材料的主角。下列物品用到硅單質(zhì)的是
A.陶瓷餐具B.石英鐘表C.計(jì)算機(jī)芯片D.光導(dǎo)纖維

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料。科學(xué)家預(yù)計(jì),到2014年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成100億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為 : 
①SiO2 + 2CSi  + 2CO
②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl
其中,反應(yīng)①和③屬于
A.化合反應(yīng)B.分解反應(yīng)C.置換反應(yīng)D.復(fù)分解反應(yīng)o

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

金剛石SiC具有優(yōu)良的耐磨、耐腐蝕特性,應(yīng)用廣泛.
(1)碳與同周期元素Q的單質(zhì)化合僅能生成兩種常見氣態(tài)化合物,其中一種化合物H為非極性分子,碳元素在周期表中的位置是,Q是,R的電子式為.
(2)一定條件下,Na還原CCl4可制備金剛石,反應(yīng)結(jié)束冷卻至室溫后,回收CCl4的實(shí)驗(yàn)操作名稱為,除去粗產(chǎn)品中少量鈉的試劑為.
(3)碳還原制SiC,其粗產(chǎn)品中雜質(zhì)為Si和SiO2.先將20.0g粗產(chǎn)品加入到過量的NaOH溶液中充分反應(yīng),收集到0.1mol氫氣,過濾得SiC固體11.4g,濾液稀釋到1L,生成氫氣的離子方程式為,硅酸鈉的物質(zhì)的量濃度為
(4)下列敘述正確的有(填序號(hào)),
①Na還原CCl4的反應(yīng)、Cl2與H2O的反應(yīng)均是置換反應(yīng)②水晶、干冰熔化時(shí)克服粒子間作用力的類型相同③Na2SiO3溶液與SO3的反應(yīng)可用于推斷Si與S的非金屬性強(qiáng)弱
④鈉、鋰分別在空氣中燃燒,生成的氧化物中陰陽離子數(shù)目比均為1:2

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

在下列各溶液中通入足量CO2氣體,最終有渾濁產(chǎn)生的(  )
①飽和Na2CO3溶液;②澄清石灰水;③Ca(ClO)2溶液;④CaCl2溶液;⑤Na2SiO3溶液;⑥NaAlO2溶液
A.全部B.除①④外C.除①②③④外 D.除②③④外

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列說法不正確的是
A.水玻璃可用作木材防火劑B.硅是制造光導(dǎo)纖維的材料
C.硅是制造太陽能電池的常用材料D.硅是構(gòu)成一些巖石和礦物的基本元素

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

高純硅生產(chǎn)流程如下:

(1)由SiO2制粗硅的化學(xué)方程式是       ,該反應(yīng)不能說明碳的非金屬性強(qiáng)于硅,原因是       ,請(qǐng)寫出一個(gè)能說明碳的非金屬性強(qiáng)于硅的化學(xué)方程式       
(2)900℃以上,H2與SiHCl3發(fā)生反應(yīng):SiHCl3(g)+ H2(g)Si(s) + 3HCl(g)  ΔH>0。將一定量的反應(yīng)物通入固定容積的密閉容器中進(jìn)行反應(yīng)。下列說法正確的是      (填字母)。
a.在恒溫條件下,若容器內(nèi)壓強(qiáng)不變,則該反應(yīng)一定達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)
b.增大SiHCl3的用量,可提高SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率
c.升高溫度可加快反應(yīng)速率,且提高硅的產(chǎn)率
(3)該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是       

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列說法中,正確的是
A.水晶和陶瓷的主要成分都屬于硅酸鹽B.單質(zhì)硅是制造光導(dǎo)纖維的材料
C.硅酸鈉是制備硅膠和木材防火劑的原料D.工業(yè)上用鹽酸刻蝕玻璃

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同步練習(xí)冊(cè)答案