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(1)主族元素A的簡單陽離子不與任何原子具有相同的核外電子排布.元素B與氮元素同周期,B的原子序數(shù)大于氮,而第一電離能比氮的。瓵與B形成兩種化合物A2B2和A2B,其中B的雜化方式分別為
 
、
 
.A2B、NH3、SiH4的鍵角由大到小依次為
 
(填化學式).A2B由液態(tài)形成晶體時密度減小,主要原因是
 

(2)新型無機材料在許多領(lǐng)域被廣泛應用.陶瓷發(fā)動機的材料選用氮化硅,它硬度高、化學穩(wěn)定性高,是很好的高溫陶瓷材料.除氫氟酸外,氮化硅不與其他無機酸反應,抗腐蝕能力強.氮化硅的晶體類型是
 
,其中氮元素的化合價是
 
,氮化硅與氫氟酸反應的化學方程式為
 

(3)MgCO3和CaCO3都為離子晶體,熱分解的溫度分別為402℃和900℃,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系說明它們熱分解溫度不同的原因
 

(4)砷化鎵廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛(wèi)星,宇宙飛船等尖端技術(shù)中.鎵的基 態(tài)原子價電子排布式為
 
,砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石相似,其晶胞邊長為apm,則每立方厘米該晶體中所含砷元素的質(zhì)量為
 
g(用NA表示阿伏加德羅常數(shù)),該晶胞中Ga與As的最短距離為
 
cm.

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某二元酸(化學式用H2B表示)在水中的電離方程式是:H2B=H++HB-,HB-?H++B2-.回答下列問題:
(1)Na2B溶液顯
 
(填“酸性”,“中性”,或“堿性”).理由是
 
(用離子方程式表示).
(2)在0.1mol/L的Na2B溶液中,下列粒子濃度關(guān)系式正確的是
 

A.c(B2-)+c(HB- )+c(H2B)=0.1mol/L
B.c(OH-)=c(H+)+c(HB-
C.c(Na+)+c(H+ )=c(OH- )+c(HB-)+2c(B2- )
D.c(Na+)=2c(B2- )+c(HB- )

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①CH3-CH2-CH2-CH2-CH3    ②和              
③CH3-CH3和CH3-CH2-CH3 ④CH3-CH2-CH2-CH3    ⑤O2和O3 12C和14C
(1)
 
 組互為同位素;
(2)
 
組是同一物質(zhì);
(3)
 
組兩物質(zhì)互稱為同系物;
(4)
 
組兩物質(zhì)互為同分異構(gòu)體.

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使
 
 
作用,稱為離子鍵.
 
原子之間容易形成離子鍵.離子化合物中陰、陽離子可以按一定的方式在空間有規(guī)則地排列,形成有一定幾何外形的
 
晶體.

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(1)氯化鋁水溶液呈酸性的原因是
 
(用離子方程式表示).
(2)5.6g金屬鐵(相對原子質(zhì)量56)與足量的氯氣反應,同時放出熱量Q KJ.寫出此反應熱化學方程式:
 

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(1)某烯烴與H2發(fā)生加成反應后得到的產(chǎn)物是CH3-CH(CH32.該產(chǎn)物的名稱是
 
;原來烯烴的結(jié)構(gòu)簡式為:
 
;
(2)今有化合物:

①請寫出化合物丙中含氧官能團的名稱:
 

②請判別上述哪些化合物互為同分異構(gòu)體:
 

③請按酸性由強至弱排列甲、乙、丙的順序:
 

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氮、磷、鋅是與生命活動密不可分的元素.請回答下列問題:
(1)NH3和PH3都是極性分子,其中極性較大的是
 
,理由是
 

(2)NH4N03是一種重要的化學肥料,其中N原子的雜化方式是
 

(3)氮化硼(BN)的一種晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,則B-N-B之間的夾角是
 
,
氮化硼的密度為3.52g/cm3,則B-N鍵的鍵長是
 
pm(只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)為NA).
(4)已知磷酸分子中,P、O原子均滿足最外層8個電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則:
①P與非羥基O之間的共價鍵的形成方式是
 
;
②中和20mL 0.1mol/L次磷酸(H3PO2)溶液需要O.1mo/L NaOH溶液的體積恰好為20mL,則H3PO2的結(jié)構(gòu)式是
 

(5)Zn2+基態(tài)時的電子排布式是
 
,ZnO和ZnS的晶體結(jié)構(gòu)相似,其中熔點較高的是
 
,理由是
 

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乙烯的結(jié)構(gòu)式為
 
,電子式為
 
,其結(jié)構(gòu)簡式為
 

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A、B、C、D、E為中學化學常見的單質(zhì)或化合物,相互轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖甲所示
(1)若A是能使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍的氣體;C、D均為空氣的主要成分;E是一種無色、無味的有毒氣體.寫出反應Ⅱ的化學方程式
 

(2)若A是淡黃色固體化合物;常溫下D是無色氣體;C中含有的陰、陽離子均為10電子的粒子.寫出反應Ⅲ的離子方程式
 

(3)將一定量(2)中的氣體D通入2L C的溶液中,在所得溶液中逐滴加入稀鹽酸至過量,并將溶液加熱,產(chǎn)生的氣體與HCl的物質(zhì)的量的關(guān)系如圖乙(忽略氣體的溶解和HCl的揮發(fā)).
①O點溶液中所含溶質(zhì)的化學式為
 
;常溫下a點溶液的pH
 
 7(選填“>”、“<”或“=”).
②標況下,通入氣體D的體積為
 
L,C溶液的物質(zhì)的量濃度為
 
mol/L.

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氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法有:
方法一:直接氮化法:在1300℃-1400℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應方程式為
 

方法二:化學氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是
 

方法三:Si(NH24熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應生成Si(NH24和一種氣體(填分子式)
 
;然后使Si(NH24受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為
 

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