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硅是重要的半導體材料,構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎。回答下列問題:

(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為       、電子數(shù)為          。

(2)硅主要以硅酸鹽、               等化合物的形式存在于地殼中。

(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以               相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻           個原子。

(4)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4,該反應的化學方程式為                                   

(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:

化學鍵

C—C

C—H

C一O

Si—Si

Si—H

Si一O

鍵能/(kJ·mol-1)

356

413

336

226

318

452

 ①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是        

                                                                         

 ②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                                  

                                                                          

(6)在硅酸鹽中,SiO44四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結構型式。圖(b)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為                  。Si與O的原子數(shù)之比為             。

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草酸(乙二酸)可作還原劑和沉淀劑,用于金屬除銹、織物漂白和稀土生產(chǎn)。一種制備草酸(含2個結晶水)的工藝流程如右:

回答下列問題:

(1)CO和NaOH在一定條件下合成甲酸鈉、甲酸鈉加熱脫氫的化學反應方程式分別為:

                                、                                。

(2)該制備工藝中有兩次過濾操作,過濾操作①的濾液是           ,濾渣是       ;過濾操作②的濾液是_                         ,濾渣是            

(3)工藝過程中③和④的目的是                                      。

(4)有人建議甲酸鈉脫氫后直接用硫酸酸化制備草酸。該方案的缺點是產(chǎn)品不純,其中含有的雜質主要是                                        。

(5)結晶水合草酸成品的純度用高錳酸鉀法測定。

稱量草酸成品0.250 g溶于水,用0.0500 mol·L-1的酸性KMnO4溶液滴定,至淺粉紅色不消褪,消耗KMnO4溶液15.00 mL,反應的離子方程式為                           ;

列式計算該成品的純度                                                 。

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試運用所學知識,回答下列問題:

(1)已知某反應的平衡表達式為: ,它所對應的化學方程式為:

(2)已知在400℃時,N2 (g)+ 3H2(g) 2NH3(g) △H<0 的K=0.5,則400℃時,在0.5L的反應容器中進行合成氨反應,一段時間后,測得N2、H2、NH3的物質的量分別為2mol、1mol、2mol,則此時反應v(N2) v(N2)(填:>、<、=、不能確定)

欲使得該反應的化學反應速率加快,同時使平衡時NH3的體積百分數(shù)增加,可采取的正確措施是 (填序號)

A.縮小體積增大壓強 B.升高溫度 C.加催化劑 D.使氨氣液化移走

(3)在一定體積的密閉容器中,進行如下化學反應:A(g) + 3B(g) 2C(g) + D(s)ΔH,其化學平衡常數(shù)K與溫度t的關系如下表:

t/K

300

400

500

K/(mol·L—1)2

4×106

8×107

K1

請完成下列問題:

①判斷該反應的ΔH 0(填“>”或“<”)

②在一定條件下,能判斷該反應一定達化學平衡狀態(tài)的是 (填序號)

A.3v(B)=2v(C)B.A和B的轉化率相等

C.容器內壓強保持不變 D.混合氣體的密度保持不變

(4)以天然氣(假設雜質不參與反應)為原料的燃料電池示意圖如圖所示。

①放電時,負極的電極反應式為:

②假設裝置中盛裝100.0 mL 3.0 mol·L—1 KOH溶液,放電時參與反應的氧氣在標準狀況下體積為8 960 mL。放電完畢后,電解質溶液中各離子濃度的大小關系為:

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酸性條件下,錫在水溶液中有Sn2+、Sn4+兩種主要存在形式。SnSO4是一種重要的硫酸鹽,廣泛應用于鍍錫工業(yè),其制備路線如下:

回答下列問題:

(1) SnCl2用鹽酸而不用水直接溶解的原因是:

加入錫粉的作用是:

(2) 反應I生成的沉淀為SnO,寫出該反應的化學方程式:

(3) 檢驗沉淀已經(jīng)“洗滌”干凈的操作是: (3分)

(4)反應Ⅱ硫酸的作用之一是控制溶液的pH。若溶液中c(Sn2+)=1.0mol·L—1,則室溫下應控制溶液pH 。(已知:Ksp[Sn(OH)2]=1.0×10—26

(5)酸性條件下,SnSO4還可用作雙氧水的去除劑,試寫出所發(fā)生反應的離子方程式:

。

(6)潮濕環(huán)境中,鍍錫銅即使錫層破損也能防止形成銅綠,請結合有關的原理解釋其原因:

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某溶液中的溶質由下列中的幾種離子構成:Na+、Fe3+、Cu2+、Ba2+、AlO2、CO32—、SO32—、SO42—。取該溶液進行有關實驗,實驗步驟及結果如下:

①向溶液中加入過量稀鹽酸,得到氣體甲和溶液甲;

②向溶液甲中加入過量NH4HCO3溶液,得到白色沉淀乙、氣體乙和溶液乙;

③向溶液乙中加入過量Ba(OH) 2溶液,得到白色沉淀丙、氣體丙和溶液丙。

④檢驗氣體甲、氣體乙、氣體丙,都只含有一種成份,而且各不相同。

請回答下列問題:

(1)只根據(jù)實驗①能得出的結論是: 

(2)沉淀丙中一定含有: ,可能含有:

(3)該溶液中肯定存在的離子有:

(4)氣體乙分子的結構式為:   

(5)向溶液甲中加入NH4HCO3溶液至過量,該過程中可能發(fā)生反應的離子方程式為

; (根據(jù)需要,可不填完,也可補充)

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對實驗Ⅰ~Ⅳ的實驗現(xiàn)象預測正確的是(    )

A.實驗Ⅰ試管中紅色溶液逐漸變成無色溶液

B.實驗Ⅱ試管中出現(xiàn)淡黃色渾濁

C.實驗Ⅲ鐵棒上有無色氣泡產(chǎn)生

D.實驗Ⅳ中酸性KMnO4溶液中出現(xiàn)氣泡且顏色逐漸褪去

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化合物A、B、C、D各由兩種元素組成,甲、乙、丙是短周期元素的三種單質。這些常見的化合物與單質之間存在如下關系(已知C是一種有機物),以下結論不正確的(    )

A.常溫下,化合物A、B、C、D均為氣體

B.上圖所示的五個轉化關系中,有三個是化合反應

C.上圖所示的五個轉化關系中,均為氧化還原反應

D.上述轉化關系所涉及的化合物中只有一種是電解質

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氯氣在298K、101kPa時,在1L水中可溶解0.09mol,實驗測得溶于水的Cl2約有三分之一與水反應。估算該反應的平衡常數(shù)(    )

A.5.4×10—5      B.4.5×10—4            C.0.015      D.無法計算

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關于下列各裝置圖的敘述不正確的是( )

① ② ③ ④

A.用圖①裝置精煉銅,a極為粗銅,b為精銅,電解質溶液為CuSO4溶液

B.圖②裝置的鹽橋中KCl的Cl移向甲燒杯

C.圖③裝置中鋼閘門應與外接電源的正極相連獲得保護

D.圖④兩個裝置中通過導線的電子數(shù)相同時,消耗負極材料的物質的量不同

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化學科學需要借助化學專用語言來描述,下列有關化學用語正確的是( 。

A.氫化銨的電子式: B.甲醇分子的球棍模型:

C.次氯酸分子的結構式: D.Ge原子結構示意圖:

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