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科目: 來(lái)源: 題型:


合成氨所需的氫氣可由水煤氣反應(yīng)制得,其中的一步反應(yīng)為:CO(g)+H2O(g)⇌CO2(g)+H2(g);△H=﹣43kJ•mol﹣1對(duì)于上述反應(yīng),下列措施中能提高CO轉(zhuǎn)化率的是(  )

 

A.

增大壓強(qiáng)

B.

升高溫度

 

C.

增大水蒸氣的濃度

D.

增大CO的濃度

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科目: 來(lái)源: 題型:


已知反應(yīng):H2S(g)+aO2(g)═X+cH2O(l)△H,若△H表示H2S燃燒熱,則X為(  )

 

A.

S(s)

B.

SO2(g)

C.

SO3(g)

D.

SO3(l)

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科目: 來(lái)源: 題型:


 下表中物質(zhì)分類(lèi)正確的是( 。

編號(hào)

A

B

C

D

強(qiáng)電解質(zhì)

H2SO4

KNO3

BaSO4

HClO4

弱電解質(zhì)

CaCO3

HF

HClO

氨水

非電解質(zhì)

NH3

SO2

H2O

C2H5OH

 

A.

A

B.

B

C.

C

D.

D

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科目: 來(lái)源: 題型:


 (1)中學(xué)教材中圖示了NaCl晶體,它向三維空間延伸得到完美晶體。NiO(氧化鎳)晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl相同,Ni2與最鄰近的O2核間距離為a×10-8cm,計(jì)算NiO晶體的密度。(已知NiO的摩爾質(zhì)量為74.7 g·mol-1)

(2)天然和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷,例如在某種NiO晶體中就存在如圖所示的缺陷:一個(gè)Ni2空缺,另兩個(gè)Ni2被兩個(gè)Ni3所取代。其結(jié)果晶體仍呈電中性,但化合物Ni和O的比值卻發(fā)生了變化。某氧化鎳樣品的組成為Ni0.97O,試計(jì)算晶體中Ni3與Ni2的離子個(gè)數(shù)之比。

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科目: 來(lái)源: 題型:


某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖(●)X位于立方體的頂點(diǎn),(○)Y位于立方體的中心。

(1)晶體中每個(gè)Y同時(shí)吸引著________個(gè)X,每個(gè)X同時(shí)吸引著________個(gè)Y,該晶體的化學(xué)式為_(kāi)_______。

(2)晶體中在每個(gè)X周?chē)c它最接近且距離相等的X共有________個(gè)。

(3)晶體中距離最近的2個(gè)X與一個(gè)Y形成的夾角∠XYX為_(kāi)_______(填角的度數(shù))。

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科目: 來(lái)源: 題型:


在1~18號(hào)元素中,部分連續(xù)元素單質(zhì)的熔點(diǎn)情況如下圖所示,試回答:

(1)c點(diǎn)代表的單質(zhì)可以是________,其熔點(diǎn)高的主要原因是____________________________。

(2)d所屬的晶體類(lèi)型是________。

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科目: 來(lái)源: 題型:


 (1)如圖所示的是干冰的晶胞結(jié)構(gòu)。觀(guān)察此圖,發(fā)現(xiàn)干冰的晶胞呈________體。在干冰晶體中CO2分子之間通過(guò)________結(jié)合為晶體。

(2)試判斷:①CO2、贑S2、跾iO2晶體的沸點(diǎn)由高到低排列的順序是________>________>________(填寫(xiě)相應(yīng)物質(zhì)的編號(hào))。

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科目: 來(lái)源: 題型:


 (1)金屬導(dǎo)電靠________,電解質(zhì)溶液導(dǎo)電靠________。

(2)影響金屬鍵強(qiáng)弱的因素有_______________、_______等。一般說(shuō)來(lái),金屬鍵越強(qiáng),則金屬的熔點(diǎn)________,硬度________。

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科目: 來(lái)源: 題型:


下列有關(guān)晶體和非晶體的說(shuō)法中正確的是(  )

A.具有規(guī)則幾何外形的固體均為晶體

B.晶體具有自范性,非晶體沒(méi)有自范性

C.晶體研碎后即變?yōu)榉蔷w

D.將玻璃加工成規(guī)則的固體即變成晶體

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科目: 來(lái)源: 題型:


根據(jù)下列幾種物質(zhì)熔點(diǎn)和沸點(diǎn)的數(shù)據(jù),判斷下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是(  )

NaCl

MgCl2

AlCl3

SiCl4

單質(zhì)B

熔點(diǎn)/℃

810

710

190

-68

2 300

沸點(diǎn)/℃

1 465

1 418

182.7

57

2 500

注:AlCl3熔點(diǎn)在2.5×105Pa條件下測(cè)定。

A.SiCl4是分子晶體

B.單質(zhì)B是原子晶體

C.AlCl3加熱能升華

D.MgCl2所含離子鍵的強(qiáng)度比NaCl大

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