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在元素周期表中位于金屬元素和非金屬元素交界處最容易找到的材料是()
A. 制催化劑的材料 B. 半導體材料
C. 制農(nóng)藥的材料 D. 耐高溫、耐腐蝕的合金材料
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元素的化學性質(zhì)主要決定于原子的()
A. 質(zhì)子數(shù) B. 中子數(shù) C. 核外電子數(shù) D. 最外層電子數(shù)
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在某容積可變的密閉容器中,有下列的可逆反應:A(g)+B(g)⇌xC(g),有圖1(T表示溫度,P表示壓強,C%表示C的體積分數(shù))所示的反應曲線.若試判斷對圖2的說法中正確的是( 。
| A. | P3>P4,y軸表示C的體積分數(shù) |
| B. | P3<P4,y軸表示B的質(zhì)量分數(shù) |
| C. | P3<P4,y軸表示混合氣體的密度 |
| D. | P3>P4,y軸表示混合氣體的平均摩爾質(zhì)量 |
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在一密閉體系中發(fā)生下列反應A(g)+3B(g)⇌2C(g)△H<0,如圖是某一時間段中反應速率與反應進程的曲線關(guān)系,完成下列問題:
(1)t1、t3、t4時刻體系中所改變的條件可能是: 、 、 ;
(2)C體積分數(shù)最高的時間段是 .(填“tx﹣ty”)
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現(xiàn)有陽離子交換膜、陰離子交換膜、石墨電極,請用氯堿工業(yè)中的膜技術(shù)原理,回答下列問題.
(1)寫出氯堿工業(yè)中電解飽和食鹽水的離子方程式 ;
(2)請利用交換膜技術(shù),根據(jù)上圖框架,設計一個電解硫酸鈉溶液制氫氧化鈉溶液和硫酸溶液的裝置,標出進出物質(zhì)的化學式:
A ;C ; E ;膜b為 離子交換膜(填“陽”或“陰”).
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如圖裝置中,已知A、B兩池溶液的體積均為200mL:
(1)判斷裝置的名稱:A池為 ;
(2)A池中左邊石墨棒為 極,電極反應式為 ;A池中總反應化學方程式為 4 ;
(3)若反應開始時,CuSO4溶液的濃度為1.0mol/L.工作一段時間后取出電極,測得導線上通過了0.04mol e﹣.則反應后A池c(Cu2+)為 mol/L(體積變化忽略不計).
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以下框圖中A~M是中學化學常見的物質(zhì),其中A、E是金屬,F(xiàn)和J為氣體單質(zhì),其余均為化合物或其溶液,C為淡黃色固體,D為紅棕色粉末,M為紅褐色固體.
(1)B的化學式 ;
(2)19.5gC與足量的水反應轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為 mol;
(3)寫出物質(zhì)C的電子式 ;
(4)寫出②、③反應的方程式② ,③ .
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一定溫度下,在一定容積的密閉容器中發(fā)生如下可逆反應:
2A(g)+B(g)⇌2C(g),在反應過程中,C的物質(zhì)的量n(C)隨時間的變化關(guān)系如下圖所示(從t1時間開始對反應體系升高溫度).試回答下列問題:
(1)a點時,反應的v(正) v(逆)(填“>”、“<”或“=”);
(2)此反應的逆反應為 熱反應(填“放”或“吸”);
(3)a、b兩點的正反應速率:v(a) v(b)(填“>”、“<”或“=”).
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在一個固定體積為2升的密閉容器中,充入2mol A和1mol B,發(fā)生如下反應:2A(g)+B(g)⇌3C(g)+D(s),2分鐘反應達到平衡,此時C的濃度為1.2 mol/L.
(1)2分鐘內(nèi)用B表示的平均反應速度為 ;
(2)若容器溫度升高,平衡時混合氣體的平均相對摩爾質(zhì)量減小,則正反應為: (填“吸熱”或“放熱”)反應.
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