相關(guān)習題
 0  19613  19621  19627  19631  19637  19639  19643  19649  19651  19657  19663  19667  19669  19673  19679  19681  19687  19691  19693  19697  19699  19703  19705  19707  19708  19709  19711  19712  19713  19715  19717  19721  19723  19727  19729  19733  19739  19741  19747  19751  19753  19757  19763  19769  19771  19777  19781  19783  19789  19793  19799  19807  203614 

科目: 來源: 題型:

濃度均為0.1mol/L的三種溶液等體積混合,充分反應后沒有沉淀的一組是( 。

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:

下列物質(zhì)露置于空氣中易變質(zhì)的是( 。
①氯水  ②水玻璃  ③燒堿  ④漂白粉  ⑤綠礬  ⑥亞硫酸鈉  ⑦過氧化鈉.

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:

下列化合物與小蘇打溶液反應,沒有氣體或沉淀生成的是( 。

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:

關(guān)于硝酸的說法正確的是(  )

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:

下列說法符合事實的是( 。

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:

關(guān)于鈉及其化合物性質(zhì)的敘述,不正確的是( 。

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:

下列敘述中,正確的是(  )

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:

下列有關(guān)環(huán)境污染說法不正確的是(  )

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:閱讀理解

20世紀50年代科學家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預測簡單分子立體結(jié)構(gòu).其要點可以概括為:
Ⅰ、用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結(jié)合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數(shù).分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ、分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子;
Ⅲ、分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:i、孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;  ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;  iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強;  iv、其他.
請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據(jù)要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?br />
n+m 2
4
4
VSEPR理想模型
直線形
直線形
正四面體
價層電子對之間的理想鍵角
180°
180°
109°28′
(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線型分子的原因
CO2屬AX2E0,n+m=2,故CO2為直線形
CO2屬AX2E0,n+m=2,故CO2為直線形

(3)H2O分子的立體構(gòu)型為:
V形
V形
,請你預測水分子中∠H-O-H的大小范圍為
<109°28′
<109°28′
,原因是
水分子屬AX2E2,n+m=4,VSEPR理想模型為正四面體,價層電子對之間的夾角均為109°28′.根據(jù)Ⅲ-i,應有∠H-O-H<109°28′
水分子屬AX2E2,n+m=4,VSEPR理想模型為正四面體,價層電子對之間的夾角均為109°28′.根據(jù)Ⅲ-i,應有∠H-O-H<109°28′

(4)SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結(jié)合,S-Cl、S-F之間以單鍵結(jié)合.請你預測 SO2Cl2和SO2F2分子的立體構(gòu)型:
四面體
四面體

查看答案和解析>>

科目: 來源: 題型:

A、B、C、D是四種短周期元素,E是過渡元素.A、B、C同周期,C、D同主族,A的原子結(jié)構(gòu)示意圖為:,B是同周期第一電離能最小的元素,C的最外層有三個成單電子,E的外圍電子排布式為3d64s2
回答下列問題:
(1)用元素符號表示D所在周期(除稀有氣體元素外)第一電離能最大的元素是
F
F
,電負性最大的元素是
F
F

(2)D的氫化物比C的氫化物的沸點
(填“高“或“低“),原因
氨氣分子間形成氫鍵
氨氣分子間形成氫鍵

(3)E元素在周期表的位置是
第四周期第VIII族
第四周期第VIII族

(4)畫出D的核外電子排布圖
,這樣排布遵循了
能量最低
能量最低
原理、
泡利不相容
泡利不相容
原理和
洪特
洪特
規(guī)則.
(5)用電子式表示B的硫化物的形成過程:

查看答案和解析>>

同步練習冊答案