A.1s¹2s²2p⁶                                            B.1s²2s²2p³3s¹

C.1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹                     D.1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d³4s²

A.能量守恒原理                            B.能量最低原則

C.泡利不相容原理                         D.洪特規(guī)則

A.N電子層               B.M電子層                C.O電子層              D.L電子層

A.盧瑟福                   B.玻爾                 C.湯姆遜                 D.道爾頓

圖3-40

（2）天然和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷，例如在某種NiO晶體中就存在如圖340所示的缺陷：一個Ni²⁺空缺，另兩個Ni²⁺被兩個Ni³⁺所取代。其結(jié)果晶體仍呈電中性，但化合物Ni和O的比值卻發(fā)生了變化。某氧化鎳樣品組成為Ni_0.97O，試計算晶體中Ni³⁺與Ni²⁺的離子數(shù)之比。

圖3-39

（1）晶體中每個Y同時吸引著____________個X，每個X同時吸引著____________個Y，該晶體的化學式為____________。

（2）晶體中在每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有____________個。

（3）晶體中距離最近的2個X與一個Y形成的夾角∠XYX為____________（填角的度數(shù)）。

（4）設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為M g·mol^-1，晶體密度為ρ g·cm^-3，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則晶體中兩個距離最近的X中心間的距離為____________cm。

（1）由圖可確定硼化鎂的化學式為___________________________。

（2）請畫出硼化鎂的一個晶胞的透視圖。標出該晶胞的面、棱、頂角上可能存在的所有硼原子和鎂原子（鎂原子用大白球，硼原子用小黑球表示）。

圖3-38

圖3-37

（1）c點代表的單質(zhì)可以是____________，其熔點高的主要原因是_____________________

____________________________________________________________________。

（2）d所屬的晶體類型是____________________________。

圖3-36

（2）在CsCl離子晶體中距Cs⁺最近且等距離的Cl^-個數(shù)為______________。

（3）如圖3-36是石英晶體平面示意圖：它實際上是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其中硅、氧原子數(shù)之比為______________________。原硅酸根離子的結(jié)構(gòu)表示為，二聚硅酸根離子中，只有硅氧鍵，它的結(jié)構(gòu)可表示為________________。

（1）屬于原子晶體的化合物是_______________，直接由原子構(gòu)成的晶體是_______________，直接由原子構(gòu)成的分子晶體是_______________。

（2）由極性分子構(gòu)成的晶體是_______________，含有共價鍵的離子晶體是_______________，屬于分子晶體的單質(zhì)是_______________。

（3）在一定條件下能導(dǎo)電而不發(fā)生化學變化的是_______________，受熱熔化后化學鍵不發(fā)生變化的是_______________，需克服共價鍵的是_______________。