Question

【題目】下圖是用同位素35S、32P分別標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)、DNA，并與細(xì)菌混合培養(yǎng)、離心過程的示意圖。下列敘述正確的是

A.用35S標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)，離心后沉淀物放射性很高，上清液放射性低

B.用32P標(biāo)記噬菌體DNA，離心后上清液中可能有放射性

C.用35S標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)，離心后上清液繼續(xù)培養(yǎng)，放射性增強(qiáng)

D.用32P標(biāo)記噬菌體DNA，離心后沉淀物繼續(xù)培養(yǎng)，放射性增強(qiáng)

Answer 1

【答案】B

【解析】

噬菌體侵染細(xì)菌過程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：細(xì)菌的化學(xué)成分）→組裝→釋放。

T2噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)步驟：分別用35S或32P標(biāo)記噬菌體→噬菌體與大腸桿菌混合培養(yǎng)→噬菌體侵染未被標(biāo)記的細(xì)菌→在攪拌器中攪拌，然后離心，檢測上清液和沉淀物中的放射性物質(zhì)。

結(jié)論：DNA是遺傳物質(zhì)。

A、用35S標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)，離心后蛋白質(zhì)分布到上清液中，所以沉淀物放射性很低，上清液放射性高，A錯(cuò)誤；

B、用32P標(biāo)記噬菌體DNA，噬菌體侵染細(xì)菌時(shí)，DNA進(jìn)入細(xì)菌，離心隨細(xì)菌到沉淀物中，但若培養(yǎng)的時(shí)間過長，細(xì)菌裂解，子代噬菌體釋放，也會(huì)導(dǎo)致上清液中含有少量的放射性，B正確；

C、用35S標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)，離心后蛋白質(zhì)分布到上清液中，細(xì)菌分布到沉淀物中，上清液繼續(xù)培養(yǎng)，放射性仍然很低，C錯(cuò)誤；

D、用32P標(biāo)記噬菌體DNA，噬菌體侵染細(xì)菌時(shí)，DNA進(jìn)入細(xì)菌，離心隨細(xì)菌到沉淀物中，離心后沉淀物繼續(xù)培養(yǎng)，細(xì)菌裂解，子代噬菌體釋放，導(dǎo)致放射性減少，D錯(cuò)誤。

故選B。