Question

16．噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)是研究DNA為遺傳物質(zhì)的經(jīng)典實(shí)驗(yàn)，其中的部分實(shí)驗(yàn)如圖所示．下列敘述錯(cuò)誤的是（　　）

• A． ①中噬菌體DNA復(fù)制的模板、原料、能量、酶均由細(xì)菌提供
• B． 適當(dāng)時(shí)間保溫后進(jìn)行②操作，使細(xì)菌外的噬菌體與細(xì)菌分離
• C． ③后進(jìn)行放射性檢測(cè)，上清液中有少量放射性屬于操作失誤
• D． 細(xì)菌最終裂解后釋放的子代噬菌體中，大多數(shù)含有放射性³²P

Answer 1

分析 1、噬菌體的繁殖過(guò)程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：細(xì)菌的化學(xué)成分）→組裝→釋放．
2、噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)步驟：分別用³⁵S或³²P標(biāo)記噬菌體→噬菌體與大腸桿菌混合培養(yǎng)→噬菌體侵染未被標(biāo)記的細(xì)菌→在攪拌器中攪拌，然后離心，檢測(cè)上清液和沉淀物中的放射性物質(zhì)．
3、上清液和沉淀物中都有放射性的原因分析：
①用³²P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，上清液中有少量放射性的原因：
a．保溫時(shí)間過(guò)短，部分噬菌體沒(méi)有侵染到大腸桿菌細(xì)胞內(nèi)，經(jīng)離心后分布于上清液中，使上清液出現(xiàn)放射陡．
b．保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，噬菌體在大腸桿菌內(nèi)增殖后釋放子代，經(jīng)離心后分布于上清液中，也會(huì)使上清液的放射性含量升高．
②用³⁵S標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，沉淀物中也有少量放射性的原因：由于攪拌不充分，有少量³⁵S的噬菌體蛋白質(zhì)外殼吸附在細(xì)菌表面，隨細(xì)菌離心到沉淀物中，使沉淀物中出現(xiàn)少量的放射性．

解答 解：A、①中噬菌體DNA復(fù)制的模板是由噬菌體提供的，而原料、能量、酶均由細(xì)菌提供，A錯(cuò)誤；
B、適當(dāng)時(shí)間保溫后進(jìn)行②操作，使細(xì)菌外的噬菌體與細(xì)菌分離，B正確；
C、③后進(jìn)行放射性檢測(cè)，懸浮液中有少量放射性不一定屬于操作失誤，可能是保溫時(shí)間過(guò)短，部分噬菌體未侵染，也可能是保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，部分噬菌體已經(jīng)釋放，C錯(cuò)誤；
D、根據(jù)DNA半保留復(fù)制特點(diǎn)，細(xì)菌最終裂解后釋放的子代噬菌體中，少數(shù)含有放射性³²P，D錯(cuò)誤．
故選：ACD．

點(diǎn)評(píng) 本題結(jié)合圖解，考查噬菌體侵染細(xì)菌實(shí)驗(yàn)，對(duì)于此類(lèi)試題，需要考生注意的細(xì)節(jié)較多，如實(shí)驗(yàn)的原理、實(shí)驗(yàn)采用的方法、實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象等，需要考生在平時(shí)的學(xué)習(xí)過(guò)程中注意積累．