在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的磷離子P＋和P3＋，經(jīng)電壓為U的電場加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示．已知離子P＋在磁場中轉(zhuǎn)過θ＝30°后從磁場右邊界射出．在電場和磁場中運(yùn)動時，離子P＋和P3＋(　　)

A．在電場中的加速度之比為1∶1

B．在磁場中運(yùn)動的半徑之比為∶1

C．在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1∶2

D．離開電場區(qū)域時的動能之比為1∶3

 [解析] 離子在電場中的加速度a＝，故＝＝，A錯誤．離開電場區(qū)域時的動能Ek＝Uq，故＝＝，D正確．在磁場中運(yùn)動的半徑r＝＝＝，故＝＝，B正確．在磁場中轉(zhuǎn)過的角度的正弦值sinθ＝＝Bd，故＝＝，因θ1＝30°，則sinθ2＝，即θ2＝60°，所以＝，C正確．

答案：BCD

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精英家教網(wǎng)在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示．已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出．在電場和磁場中運(yùn)動時，離子P+和P3+（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示。已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出。在電場和磁場中運(yùn)動時，離子P+和P3+

A．在電場中的加速度之比為1:1

B．在磁場中運(yùn)動的半徑之比為:1

C．在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1 : 2

D．離開電場區(qū)域時的動能之比為1 : 3

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科目：高中物理 來源：浙江 題型：多選題

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示．已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出．在電場和磁場中運(yùn)動時，離子P+和P3+（　�。�
A．在內(nèi)場中的加速度之比為1：1
B．在磁場中運(yùn)動的半徑之比為
3
：1
C．在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1：2
D．離開電場區(qū)域時的動能之比為1：3
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科目：高中物理 來源：2013年浙江省高考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經(jīng)電壓為U的電場加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，有一定的寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示．已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出．在電場和磁場中運(yùn)動時，離子P+和P3+（ ）

A．在內(nèi)場中的加速度之比為1：1
B．在磁場中運(yùn)動的半徑之比為：1
C．在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1：2
D．離開電場區(qū)域時的動能之比為1：3

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